AI驅(qū)動內(nèi)存革新 臺積電與三星引領(lǐng)存儲技術(shù)搶攻萬億商機

全球新興記憶體與儲存技術(shù)市場正快速擴張，而臺積電、三星、美光、英特爾等半導體巨頭正與專業(yè)IP供應(yīng)商合作，積極推動先進非揮發(fā)性存儲器解決方案的商業(yè)化。

過去兩年，相變內(nèi)存（PCM）、電阻式隨機存取內(nèi)存 （RRAM） 和 自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻式隨憶式內(nèi)存 （STT-MRAM） 已從實驗室走向次22納米節(jié)點的試產(chǎn)階段，并運用3D堆疊技術(shù)實現(xiàn)高密度，以解決傳統(tǒng)DRAM和NAND閃存在延遲、耐用性和能源效率方面的限制。

在臺積電、三星、美光、英特爾等業(yè)界領(lǐng)導者的合作下，每年超過50億美元的研發(fā)投入加速新材料與制程的成熟。 這些新興內(nèi)存已開始在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)儲存和汽車控制單元等領(lǐng)域出貨，顯示市場已進入從驗證到全面商業(yè)化的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點。

根據(jù)ResearchAndMarkets的報告，市場目前處于早期成長階段。 盡管早期采用者多為超大規(guī)模云運營商和AI加速器廠商，但近期在汽車和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用，已明顯透露這些市場有更廣闊的市場空間。

隨著制造成本降低和技術(shù)標準化，預計未來兩到三年內(nèi)，新興存儲器市場將進入快速成長期，實現(xiàn)主流應(yīng)用。

市場競爭主要由美光、三星、英特爾、SK海力士、WD等業(yè)者主導。 同時，Crossbar和應(yīng)用材料等創(chuàng)新者也在推動新材料與制程技術(shù)，并通過策略性聯(lián)盟與收購形塑新的市場格局。

在應(yīng)用層面，消費性電子產(chǎn)品是重要領(lǐng)域; 技術(shù)方面，非揮發(fā)性內(nèi)存居領(lǐng)先地位。 而亞太地區(qū)則因基礎(chǔ)設(shè)施需求和政府支持，有望成為生產(chǎn)重鎮(zhèn)。

市場增長的主要動力來自于對高速、低功耗內(nèi)存的需求，以及AI/ML，以及HPC的爆炸性增長。 然而，高制造成本和與傳統(tǒng)架構(gòu)整合的復雜性仍是主要挑戰(zhàn)。