內存文章進入內存技術社區(qū)

DDR4加速退場，DDR5成為主流

三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產品本月即將停產，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產服務器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產能削減至其生產份額的20%。這意味著內存制造商正加速產品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
關鍵字： DDR4 DDR5 三星 SK海力士內存 HBM

在鐵電RAM內存中執(zhí)行計算

在一項新的 Nature Communications 研究中，研究人員開發(fā)了一種內存鐵電微分器，能夠直接在內存中執(zhí)行計算，而無需單獨的處理器。擬議的差異化因素承諾能源效率，尤其是對于智能手機、自動駕駛汽車和安全攝像頭等邊緣設備。圖像處理和運動檢測等任務的傳統(tǒng)方法涉及多步驟的能源密集型流程。這從記錄數(shù)據(jù)開始，這些數(shù)據(jù)被傳輸?shù)酱鎯卧?，存儲單元進一步將數(shù)據(jù)傳輸?shù)轿⒖刂破鲉卧詧?zhí)行差分作。由于差分運算是多項計算任務的基礎，研究人員利用鐵電材料的特性來制造他們的設備。Tech Xplore
關鍵字：鐵電RAM 內存執(zhí)行計算

備貨熱潮提前到內存廠Q2有望價量齊揚

內存產業(yè)在美國對等關稅政策反復變動下，提前出現(xiàn)備貨熱潮。根據(jù)TrendForce最新調查，美方雖釋出90天寬限期，卻已實質改變內存供需方的作策略，買賣雙方急于在寬限期內完成交易、生產出貨，預期將推升第二季市場交易熱度，DRAM、NAND Flash價格也同步上修。TrendForce資深研究副總吳雅婷指出，盡管關稅寬限期暫時緩解市場對需求下滑的疑慮，品牌與通路商仍普遍抱持「降低不確定因素、建立安全庫存」的心態(tài)，拉貨力道顯著升溫，積極提高DRAM及NAND Flash的庫存水位，進而帶動供應鏈產能，尤其以
關鍵字：備貨熱潮內存

美光、SK海力士跟隨中！三星對內存、閃存產品提價3-5%：客戶已開始談判新合同

4月7日消息，據(jù)國外媒體報道稱，三星公司領導層將對主要全球客戶提高內存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產品組合的價格上漲，預計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業(yè)內人士表示：去年全年供應過剩，但隨著主要公司開始減產，供應量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構DRAMeXchange給出的統(tǒng)計顯示，
關鍵字：內存 DRAM NAND HBM 三星美光 SK海力士

AI和數(shù)據(jù)中心需求激增，美光確認內存價格上漲

美光已確認其提高內存價格的計劃，理由是未來幾年對 DRAM 和 NAND 閃存的需求強勁。該公司的最新公告表明，隨著供應限制以及人工智能、數(shù)據(jù)中心和消費電子產品的需求增長推高了成本，價格將在 2025 年和 2026 年繼續(xù)上漲。價格上漲之際，內存市場正從供應過剩和收入下降的時期反彈。在過去的一年里，由于主要供應商的減產以及對高性能計算和 AI 工作負載的需求增加，DRAM 和 NAND 閃存的價格穩(wěn)步回升。隨著美光確認有意提高價格，三星和 SK 海力士等其他內存制造商預計將效仿，進一步鞏固價格上漲趨勢。
關鍵字： AI 數(shù)據(jù)中心美光內存

帶你探索面向AI邊緣應用的創(chuàng)新內存解決方案與設計

專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產品授權代理商貿澤電子?(Mouser Electronics)?與Micron合作推出了全新電子書，探討內存在AI邊緣應用中的重要性，以及有效部署邊緣人工智能?(AI)?的關鍵設計考慮因素。Micron是創(chuàng)新內存和存儲解決方案的行業(yè)知名企業(yè)，在邊緣計算、數(shù)據(jù)中心、網絡連接和移動等關鍵市場領域，為AI、機器學習和自動駕駛汽車的發(fā)展提供支持。在《5 Experts On Addressing The Hidden Challe
關鍵字： AI邊緣內存貿澤

下一代HBM4、HBM4E內存沖擊單顆64GB！中國已追到HBM2

3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未來三代AI服務器，不但規(guī)格、性能越來越強，HBM內存也是同步升級，容量、頻率、帶寬都穩(wěn)步前進。其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年發(fā)布，繼續(xù)采用HBM3E內存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升級為下一代HBM4內存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576繼續(xù)升級為加強版HBM4E內存；而到了2028年的Feynman全新架構有望首次采用HBM5內存。與此同時，SK海力士、三星、美光三大原廠也紛紛展示
關鍵字： HBM 內存

Intel傲騰死了中國非易失性存儲重大突破！容量128Gb

2月24日消息，Intel放棄了廣為看好的傲騰存儲業(yè)務，與之合作的美光也結束了3DX Point存儲技術的研發(fā)，但是來自中國的新存科技，卻在非易失性存儲方面取得了重大突破，無論容量還是性能都是一流水準。新存科技2022年7月成立于武漢，是一家專注于新型存儲芯片研發(fā)、生產、銷售的高科技企業(yè)，主要產品包括阻變存儲、相變存儲、鐵電存儲、磁阻存儲，目前員工約200人，其中約90％為研發(fā)人員，碩士及以上學歷占比77％。去年9月，新存科技發(fā)布了中國首款最大容量新型存儲芯片“NM101”，現(xiàn)在又宣布了非易失性新型存儲芯
關鍵字：英特爾傲騰內存非易失性存儲新存科技

英偉達被曝研發(fā) SOCAMM 內存：694 個 I/O 端口突破 AI 計算瓶頸

2 月 18 日消息，科技媒體 WccFTech 昨日（2 月 17 日）發(fā)布博文，報道稱英偉達正積極研發(fā)名為“SOCAMM”的全新內存模塊，主要用于 Project DIGITS 等個人 AI 超級計算機，可在性能方面帶來巨大飛躍。該模塊不僅體積小巧，而且功耗更低，性能更強，有望成為內存市場的新增長點。目前正與三星電子、SK 海力士和美光等內存廠商進行 SOCAMM 原型機的性能測試，預計最快將于今年年底實現(xiàn)量產。援引博文介紹，SOCAMM 擁有最多 694 個 I/O 端口，遠超 PC DRAM 和
關鍵字：英偉達 SOCAMM 內存 AI 計算

新一代HBM來了！NVIDIA主導開發(fā)新型內存標準SOCAMM：可拆卸升級成人中指大小

2月17日消息，據(jù)BK最新報道，NVIDIA正與包括三星電子、SK海力士在內的主要內存半導體公司進行秘密談判，合作開發(fā)新型內存標準SOCAMM，并推動其商業(yè)化。16日，業(yè)內人士證實了這一消息。此舉標志著內存半導體領域的重大轉轉變，對B2B服務器市場和蓬勃發(fā)展的設備端AI領域都有潛在影響。據(jù)悉，SOCAMM被譽為新一代HBM（高帶寬存儲器），是系統(tǒng)級芯片高級內存模塊的縮寫，這是一種尖端的DRAM內存模塊，可極大增強個人AI超級計算機的性能。與小型PC和筆記本電腦中使用的現(xiàn)有DRAM模塊相比，SOCAMM的性
關鍵字：英偉達內存 HBM

通過 SDRAM 調整提升樹莓派的性能

樹莓派工程師調整了 Pi 的 SDRAM 時序和其他內存設置，在默認的 2.4 GHz 時鐘下實現(xiàn)了 10-20%的速度提升。我當然要測試超頻，這讓我在 3.2 GHz 時獲得了 32% 的速度提升！這些更改可能很快就會在所有 Pi 5 和 Pi 4 用戶的固件更新中推出。樹莓派的工程師們正在進一步調整內存時序，他們與美光公司進行了溝通，并實施了一系列小的調整，這些調整——連同 NUMA 模擬——真正為多核工作負載帶來了性能提升。甚至對單核也有小小的改進！SDRAM 刷新間隔目前使用默認數(shù)據(jù)表設置。實際上
關鍵字：樹莓派 SDRAM 時序內存

?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內存，美光成為首要供應商

三星Galaxy S25系列可能會選擇美光作為第一內存供應商，而非自家的產品。這一決定標志著三星在旗艦智能手機中首次沒有優(yōu)先使用自家的內存解決方案，這也讓外界對三星內存技術的競爭力產生了質疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機中的第二內存供應商，這次卻打敗三星成為了第一供應商，似乎折射出內部部門競爭的微妙行情。2024年9月就有報道指出因良率問題，三星DS（設備解決方案）部門未能按時足量向三星MX（移動體驗）部門交付Galaxy S25系列手機開發(fā)所需的LPDDR5X內存樣品，導致MX部門的手
關鍵字： ?三星 Galaxy S25 內存美光 DRAM LPDDR5X

LPDDR6標準即將敲定：適應AI計算新需求

隨著人工智能技術的廣泛應用，移動產品對內存性能的需求日益增長，尤其需要相較LPDDR5X更為高效的數(shù)據(jù)處理能力以支撐端側AI模型的運行。一直懸而未決的LPDDR6標準也進入最終的敲定期，預計到2025年下半年我們有望看到采用新一代LPDDR6的產品上市。此前有報道稱，高通第四代驍龍8平臺將支持LPDDR6，以進一步提升定制Oryon內核的性能。LPDDR6帶來了哪些變化？目前，LPDDR最新的主流版本是LPDDR5（6.4Gbps），于2019年2月發(fā)布。之后，業(yè)界又陸續(xù)發(fā)布了小幅更新、改進版的LPDDR
關鍵字： LPDDR6 AI 內存 CAMM2

英偉達展望未來 AI 加速器：集成硅光子 I/O，3D 垂直堆疊 DRAM 內存

12 月 10 日消息，2024 IEEE IEDM 國際電子設備會議目前正在美國加州舊金山舉行。據(jù)分析師 Ian Cutress 的 X 平臺動態(tài)，英偉達在本次學術會議上分享了有關未來 AI 加速器的構想。英偉達認為未來整個 AI 加速器復合體將位于大面積先進封裝基板之上，采用垂直供電，集成硅光子 I/O 器件，GPU 采用多模塊設計，3D 垂直堆疊 DRAM 內存，并在模塊內直接整合冷板。IT之家注：Ian Cutress 還提到了硅光子中介層，但相關內容不在其分享的圖片中。在英偉達給出的模型中，每個
關鍵字：英偉達硅光子內存

SK 海力士新設 AI 芯片開發(fā)和量產部門，任命首席開發(fā)官及首席生產官

12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構優(yōu)化。本次調整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責任與權限，業(yè)務單元被劃分為包括 AI 基礎設施（CMO）、未來技術研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產（CPO）在內的五大部門。據(jù)介紹，新設的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內存等
關鍵字： SK海力士內存 NAND

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內存介紹

【內存簡介】　　在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存，港臺稱之為記憶體）。　　內存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細 ]