Q3報(bào)價(jià)談判啟動(dòng) 內(nèi)存供應(yīng)鏈吃緊 報(bào)價(jià)看漲

隨著第二季即將結(jié)束，多家內(nèi)存原廠已展開第三季合約報(bào)價(jià)談判。 原廠持續(xù)執(zhí)行減產(chǎn)、并調(diào)整產(chǎn)品組合，市場(chǎng)供需變化牽動(dòng)價(jià)格走勢(shì)分歧，尤以高帶寬記憶體（HBM）、LPDDR4X與DDR4等關(guān)鍵產(chǎn)品為觀察重點(diǎn)。

根據(jù)TrendForce調(diào)查，2025年DRAM整體位元產(chǎn)出將年增約25%，但若排除HBM產(chǎn)品，一般型DRAM位年增幅約20%，其中，三星、SK海力士及美光三大原廠成長(zhǎng)幅度僅15%，反映產(chǎn)能資源向HBM傾斜。

HBM成為AI服務(wù)器核心零組件，供應(yīng)持續(xù)吃緊，特別是HBM3e更面臨嚴(yán)重短缺，推升報(bào)價(jià)動(dòng)能。

在一般型DRAM部分，2025年供應(yīng)預(yù)期充足，若需求未如預(yù)期復(fù)蘇，部分產(chǎn)品價(jià)格恐面臨回調(diào)壓力。

惟從近期供需狀況來看，產(chǎn)業(yè)界人士觀察，LPDDR4X現(xiàn)貨供應(yīng)趨緊，報(bào)價(jià)再度上揚(yáng); 高規(guī)格DDR4如16Gb 3200與8Gb 3200價(jià)格也已上調(diào)至每顆6.40與3.20美元。 通路端則進(jìn)入高檔盤整階段，出現(xiàn)「有價(jià)無市」、交期延長(zhǎng)的現(xiàn)象，買氣轉(zhuǎn)弱。

另一方面，NAND Flash市場(chǎng)在原廠減產(chǎn)策略發(fā)酵下，供需逐步改善。 中國(guó)以舊換新政策，有效刺激智能手機(jī)銷量，加快庫存去化。

市場(chǎng)也觀察到256Gb NAND停產(chǎn)后，512Gb產(chǎn)品詢問度快速上升，小容量嵌入式Flash需求轉(zhuǎn)向高容量eMMC與eMCP產(chǎn)品。

企業(yè)端儲(chǔ)存需求則隨英偉達(dá)（NVIDIA）于下半年擴(kuò)大Blackwell系列出貨而走強(qiáng)，加上DeepSeek技術(shù)降低AI服務(wù)器建置門檻，帶動(dòng)中小企業(yè)導(dǎo)入AI動(dòng)能，有利存儲(chǔ)需求。

30TB以上Enterprise SSD具備高效能與成本優(yōu)勢(shì)，有望成為中小型企業(yè)優(yōu)先采購(gòu)項(xiàng)目，進(jìn)一步推升SSD整體需求。

盡管部分QLC NAND如1Tb晶圓價(jià)格略有松動(dòng)，下修至每片5.05美元，但整體NAND報(bào)價(jià)仍平穩(wěn)。

部分工業(yè)與海外PC客戶已接受存儲(chǔ)器與SSD價(jià)格上調(diào)，僅品牌廠商備貨意愿略為觀望。

市場(chǎng)普遍預(yù)期，第三季存儲(chǔ)器價(jià)格將延續(xù)高端產(chǎn)品強(qiáng)勢(shì)、中低端產(chǎn)品分歧的走勢(shì)，整體產(chǎn)業(yè)仍朝正向循環(huán)邁進(jìn)。