全球晶圓廠擴張能否跟上美光 HBM 的激增？美國、日本和印度的最新時間表

美光在 2025 財年第三季度的創(chuàng)紀錄收入是由 HBM 銷售額激增近 50%推動的——而且勢頭仍在繼續(xù)。這家美國內存巨頭現在目標是到年底占據約 25%的 HBM 市場份額，正如 ZDNet 所報道的那樣。雖然其樂觀的展望吸引了市場關注，但焦點也集中在其全球產能擴張能否跟上。以下是美光最新制造動向的簡要回顧，包括國內和海外。

美國生產時間表指向2027年開始

2022 年 9 月，美光公司公布了一項 150 億美元的擴張計劃，計劃在其愛達荷州博伊西總部建設一個尖端研發(fā)和半導體制造設施——這是 20 多年來美國建造的第一家內存晶圓廠，根據其< span id=0>新聞稿 。

在 6 月 25 日的財報電話會議上，< span id=0> 美光透露，其位于愛達荷的第一家晶圓廠 ID1 在 6 月達到了一個主要的施工里程碑。美光表示，DRAM 晶圓生產預計將在 2027 年下半年開始，客戶認證將隨后進行。

就在幾周前，6 月 12 日，這家美國內存巨頭公布了一項 2000 億美元的擴張計劃，以提升國內制造業(yè)，其中包括在博伊西建設第二家晶圓廠。根據美光的說法，這家新工廠 ID2 預計將在其位于紐約的第一家晶圓廠之前開始生產。

然而，其位于紐約的 1000 億美元超級晶圓廠項目自 2022 年宣布以來，一直面臨反復的延誤。據 syrause.com 和每日橙報報道，動工日期現推遲至 2025 年 11 月下旬或 12 月——遠晚于原定的 2024 年 6 月目標。該公司表示，場地準備工作將于今年晚些時候開始，取決于環(huán)境審批的完成情況。

美光公司表示，紐約場地的準備工作計劃于今年晚些時候開始，取決于州和聯邦環(huán)境審查的完成情況。

廣島工廠按計劃進行，預計2026年開始生產

另一方面，美光位于日本廣島縣的新工廠進展順利。據日經報道，美光現計劃于 2026 年在其廣島工廠開始大規(guī)模生產下一代 DRAM。

值得注意的是，日經新聞報道，美光計劃在 6 月份在其晶圓廠安裝一套極紫外（EUV）系統(tǒng)。而 Rapidus 已經建立了一套用于測試的 EUV 系統(tǒng)，報道補充說，美光的安裝將是日本首次用于大規(guī)模生產。

印度工廠于2025年下半年投入運營

同時，美光在印度的組裝、測試、標記和包裝（ATMP）工廠的建設正在加速。該設施專注于將晶圓轉化為球柵陣列（BGA）集成電路封裝、內存模塊和固態(tài)硬盤，接近潔凈室驗證，據《 經濟時報 》報道，第一階段預計將在 2025 年下半年投入運營。

美國這家存儲芯片制造商計劃在印度兩個項目階段中投資高達8.25億美元，報告顯示，總資金——包括政府支持——達到27.5億美元。

根據其新聞稿 ，美光公司預計該項目第二階段，包括建設一個規(guī)模與第一階段相當的工廠，將在本世紀下半葉開始。