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主要內(nèi)存制造商的 DDR4 退出時(shí)間表逐漸明朗：三星、SK 海力士和美光計(jì)劃

  • 隨著主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 DDR5 和 HBM，他們的 DDR4 淘汰時(shí)間表逐漸清晰。根據(jù)商業(yè)時(shí)報(bào)的報(bào)道，三星、SK 海力士和美光計(jì)劃在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出貨。TrendForce 的最新調(diào)查也顯示，三大 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高端產(chǎn)品，并已開始宣布 PC 和服務(wù)器級(jí) DDR4 以及移動(dòng) LPDDR4X 的停產(chǎn)計(jì)劃。因此，預(yù)計(jì) 2025 年第三季度的傳統(tǒng) DRAM 合同價(jià)格將上漲 10%至 15%。包括 HBM 在內(nèi)，整體 DRAM 價(jià)格預(yù)計(jì)將上漲 15%至 2
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三星旨在通過新一代 DRAM 和 HBM4 實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體回歸

  • Samsung Electronics 第二季度盈利大幅下滑主要源于其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)不佳，該業(yè)務(wù)占整體利潤(rùn)的 50-60%。由于持續(xù)的技術(shù)問題，高帶寬內(nèi)存（HBM）和其他高容量、高附加值內(nèi)存產(chǎn)品未能從蓬勃發(fā)展的人工智能（AI）領(lǐng)域獲益。代工（合同芯片制造）和系統(tǒng) LSI 業(yè)務(wù)也因未能爭(zhēng)取到主要客戶而繼續(xù)虧損。然而，隨著 Nvidia 的 HBM 大規(guī)模生產(chǎn)批準(zhǔn)的可能性在第三季度增加，以及上半年積累的內(nèi)存庫(kù)存得到清理，人們對(duì)業(yè)績(jī)反彈的預(yù)期正在增長(zhǎng)。根據(jù)行業(yè)消息，7 月 8 日三星電子的設(shè)備解決方案（DS）部
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三星電子的半導(dǎo)體困境：HBM苦苦掙扎，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手表現(xiàn)出色

  • 三星電子在今年第二季度錄得的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)明顯低于市場(chǎng)預(yù)期，引發(fā)了對(duì)其高帶寬內(nèi)存 （HBM） 業(yè)務(wù)失敗的擔(dān)憂，這被視為這一缺口背后的最大原因，以及代工業(yè)務(wù)的潛在復(fù)蘇。盡管存儲(chǔ)半導(dǎo)體需求低迷，但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引領(lǐng)下取得了不錯(cuò)的成績(jī)，而三星電子卻在性能不佳的泥潭中苦苦掙扎。特別是，三星電子自第四代 HBM （HBM3） 以來，所有代 HBM 產(chǎn)品都未能取得顯著成果，導(dǎo)致 SK 海力士和美光占據(jù)市場(chǎng)領(lǐng)先地位。根據(jù)國(guó)內(nèi)證券公司的分析，三星電子的內(nèi)存部門錄得約 3 萬億韓元的營(yíng)業(yè)利
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HBM，爆炸式增長(zhǎng)

  • HBM，如何推動(dòng) AI 發(fā)展？
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全球晶圓廠擴(kuò)張能否跟上美光 HBM 的激增？美國(guó)、日本和印度的最新時(shí)間表

  • 美光在 2025 財(cái)年第三季度的創(chuàng)紀(jì)錄收入是由 HBM 銷售額激增近 50%推動(dòng)的——而且勢(shì)頭仍在繼續(xù)。這家美國(guó)內(nèi)存巨頭現(xiàn)在目標(biāo)是到年底占據(jù)約 25%的 HBM 市場(chǎng)份額，正如 ZDNet 所報(bào)道的那樣。雖然其樂觀的展望吸引了市場(chǎng)關(guān)注，但焦點(diǎn)也集中在其全球產(chǎn)能擴(kuò)張能否跟上。以下是美光最新制造動(dòng)向的簡(jiǎn)要回顧，包括國(guó)內(nèi)和海外。美國(guó)生產(chǎn)時(shí)間表指向2027年開始2022 年 9 月，美光公司公布了一項(xiàng) 150 億美元的擴(kuò)張計(jì)劃，計(jì)劃在其愛達(dá)荷州博伊西總部建設(shè)一個(gè)尖端研發(fā)和半導(dǎo)體制造設(shè)施——這是
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Micron將HBM擴(kuò)展到四個(gè)主要的GPU/ASIC客戶端

  • 在 2025 財(cái)年第三季度 HBM 銷售額增長(zhǎng)近 50% 的推動(dòng)下，美光公布了創(chuàng)紀(jì)錄的收入，現(xiàn)在正著眼于另一個(gè)里程碑。據(jù) ZDNet 稱，這家美國(guó)內(nèi)存巨頭的目標(biāo)是到 2025 年底將其 HBM 市場(chǎng)份額提高到 23-24%。值得注意的是，美光在其新聞稿中表示，它現(xiàn)在正在向 GPU 和 ASIC 平臺(tái)上的四個(gè)客戶交付大批量 HBM。因此，該公司預(yù)計(jì)到 2025 年下半年，其 HBM 市場(chǎng)份額將達(dá)到與其整體 DRAM 份額持平。據(jù)路透社報(bào)道，美光的強(qiáng)勁業(yè)績(jī)反映了 NVIDIA 和 AMD
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全球晶圓廠擴(kuò)張能否跟上美光HBM的激增

  • 美光在 2025 財(cái)年第三季度創(chuàng)紀(jì)錄的收入是由 HBM 銷售額增長(zhǎng)近 50% 推動(dòng)的，而且這種勢(shì)頭并沒有放緩。正如 ZDNet 所指出的那樣，這家美國(guó)存儲(chǔ)器巨頭現(xiàn)在的目標(biāo)是到年底在 HBM 市場(chǎng)占據(jù)大約 25% 的份額。雖然其樂觀的前景吸引了市場(chǎng)的關(guān)注，但人們也關(guān)注其全球產(chǎn)能擴(kuò)張能否跟上步伐。以下是美光在國(guó)內(nèi)外的最新制造舉措。美國(guó)生產(chǎn)時(shí)間表指向 2027 年開始根據(jù)其新聞稿，2022 年 9 月，美光公布了一項(xiàng)價(jià)值 150 億美元的計(jì)劃，以擴(kuò)建其位于愛達(dá)荷州博伊西的總部，該總部將擁有尖
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據(jù)報(bào)道三星 1c DRAM 良率高達(dá) 70%，為年底推出 HBM4 鋪平道路

  • 隨著將 HBM4 時(shí)代的希望寄托在其 1c DRAM 的進(jìn)展上，據(jù)報(bào)道三星在良率方面取得了重大突破。據(jù) sedaily 報(bào)道，該公司最近在其第六代 10nm 級(jí) DRAM（1c DRAM）晶圓測(cè)試中實(shí)現(xiàn)了 50-70%的良率——這一數(shù)字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。值得注意的是，與 SK 海力士和美光等堅(jiān)持使用更成熟的 1b DRAM 生產(chǎn) HBM4 不同，三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩(wěn)步提高，該公司計(jì)劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產(chǎn)規(guī)模，根據(jù)
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DDR4瘋狂漲價(jià)，DRAM廠商爆賺

  • 據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，由于DDR4供應(yīng)減少，再加上市場(chǎng)神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價(jià)等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報(bào)價(jià)已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點(diǎn)，更達(dá)到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報(bào)價(jià)大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報(bào)價(jià)更高，呈現(xiàn)“價(jià)格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒看過現(xiàn)貨價(jià)單日漲幅這么大?！备鶕?jù)DRAM專業(yè)報(bào)價(jià)網(wǎng)站DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價(jià)全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
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HBM 開發(fā)路線圖揭曉：2038 年將推出 HBM8，具有 16,384 位接口和嵌入式 NAND

  • 韓國(guó)頂尖國(guó)家級(jí)研究機(jī)構(gòu) KAIST 發(fā)布了一份 371 頁(yè)的論文，詳細(xì)介紹了到 2038 年高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)的演進(jìn)，展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發(fā)展，包括封裝、3D 堆疊、以內(nèi)存為中心的架構(gòu)以及嵌入 NAND 存儲(chǔ)，甚至基于機(jī)器學(xué)習(xí)的方法來控制功耗。 請(qǐng)記住，該文件是關(guān)于 HBM 技術(shù)假設(shè)演進(jìn)的，基于當(dāng)前行業(yè)和研究方向，而不是任何商業(yè)公司的實(shí)際路線圖。（圖片來源：KAIST）每堆疊的 HBM 容量將從 288GB 增加到 34
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據(jù)報(bào)道，三星再次在 NVIDIA 的 12-Hi HBM3E 驗(yàn)證中受挫，計(jì)劃于九月重新測(cè)試

  • 作為 Micron——在贏得 NVIDIA HBM 訂單的競(jìng)爭(zhēng)中關(guān)鍵對(duì)手——宣布已交付其首批 12 層 HBM4 樣品，據(jù)報(bào)道三星在 6 月份第三次嘗試通過 NVIDIA 的 HBM3E 12 層驗(yàn)證時(shí)遇到了挫折。根據(jù) Business Post引用的證券分析師，該公司現(xiàn)在計(jì)劃在 9 月份進(jìn)行重測(cè)。盡管 Deal Site 之前表示三星的 12 層 HBM3E 在 5 月份通過了 NVIDIA 的裸片認(rèn)證，但該產(chǎn)品仍需進(jìn)行完整封裝驗(yàn)證。另一方面，SR Times 建
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英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

  • 美國(guó)芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)報(bào)道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項(xiàng)目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數(shù)據(jù)傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計(jì)劃于2027年完成原型開發(fā)并評(píng)估量產(chǎn)可行性，目標(biāo)是在2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設(shè)計(jì)工作以及專利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負(fù)責(zé)這種分工模式有助于充分發(fā)揮
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三星考慮進(jìn)行大規(guī)模內(nèi)部重組

  • 據(jù)韓媒SEDaily報(bào)道，三星半導(dǎo)體部門（即DS設(shè)備解決方案部）正對(duì)系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)的組織運(yùn)作方式的調(diào)整計(jì)劃進(jìn)行最終審議，相關(guān)決定將在不久后公布。預(yù)計(jì)在由副董事長(zhǎng)鄭鉉鎬和DS部門負(fù)責(zé)人全永鉉做出最終決定之前，還將進(jìn)行更多高層討論，并聽取董事長(zhǎng)李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)主要負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)，在三星半導(dǎo)體體系中承擔(dān)著為移動(dòng)業(yè)務(wù)（MX）部門開發(fā)Exynos手機(jī)SoC的核心任務(wù)。然而，近年來Exynos 2x00系列應(yīng)用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機(jī)中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤(rùn)空間，
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英偉達(dá)新款中國(guó)特供芯片：放棄Cowos封裝和HBM

  • 據(jù)路透社報(bào)道，英偉達(dá)即將針對(duì)中國(guó)市場(chǎng)推出一款新的AI芯片，預(yù)計(jì)售價(jià)在6500美元至8000美元之間，遠(yuǎn)低于H20芯片的10000至12000美元，較低的價(jià)格反映了其較弱的規(guī)格和更簡(jiǎn)單的制造要求，避開了受美國(guó)出口規(guī)則限制的先進(jìn)技術(shù)。知情人士稱，這款新的專供中國(guó)市場(chǎng)的GPU將會(huì)是基于英偉達(dá)的服務(wù)器級(jí)圖形處理器RTX Pro 6000D來進(jìn)行構(gòu)建，采用傳統(tǒng)的GDDR7顯存，而不是HBM3e，也沒有使用臺(tái)積電的先進(jìn)封裝技術(shù)CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate），這也使得這款芯片成本大幅
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NVIDIA新中國(guó)版AI芯片放棄 CoWoS和HBM以降價(jià)30%

  • 據(jù)報(bào)道，在 NVIDIA 的 H20 受到最新的美國(guó) AI 芯片出口限制后，這家美國(guó)芯片巨頭一直在開發(fā)一款針對(duì)市場(chǎng)的新芯片組。據(jù)路透社報(bào)道，這款基于 Blackwell 的芯片最早可能在 6 月首次亮相，成本比 H30 低 20% 以上。路透社指出，NVIDIA 對(duì)內(nèi)存和封裝的選擇是該芯片價(jià)格較低的關(guān)鍵原因。值得注意的是，據(jù)報(bào)道，新型號(hào)將放棄臺(tái)積電先進(jìn)的 CoWoS 封裝。此外，該報(bào)告補(bǔ)充說，預(yù)計(jì)它將基于 RTX Pro 6000D（服務(wù)器級(jí) GPU）與標(biāo)準(zhǔn) GDDR7 內(nèi)存配對(duì)，而不是更昂貴的 HBM。
  • 關(guān)鍵字： NVIDIA  中國(guó)版  AI芯片  CoWoS  HBM  
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