三星電子的半導體困境：HBM苦苦掙扎，競爭對手表現出色

三星電子在今年第二季度錄得的營業(yè)利潤明顯低于市場預期，引發(fā)了對其高帶寬內存 （HBM） 業(yè)務失敗的擔憂，這被視為這一缺口背后的最大原因，以及代工業(yè)務的潛在復蘇。盡管存儲半導體需求低迷，但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引領下取得了不錯的成績，而三星電子卻在性能不佳的泥潭中苦苦掙扎。

特別是，三星電子自第四代 HBM （HBM3） 以來，所有代 HBM 產品都未能取得顯著成果，導致 SK 海力士和美光占據市場領先地位。根據國內證券公司的分析，三星電子的內存部門錄得約 3 萬億韓元的營業(yè)利潤，而代工和系統(tǒng) LSI 部門估計錄得約 2.5 萬億韓元的赤字?？紤]到 SK 海力士第二季度的營業(yè)利潤預計將在 9 萬億韓元范圍內，內存業(yè)務盈利能力的差距擴大了三倍。

HBM 經營策略，徹底失敗...“DS營業(yè)利潤未超過1萬億韓元”

三星電子 8 日宣布，今年第二季度銷售額為 74 萬億韓元，營業(yè)利潤為 4.6 萬億韓元。與去年第二季度相比，銷售額下降了 0.1%，營業(yè)利潤下降了 55.9%。營業(yè)利潤大幅低于已經下調的 6.3 萬億韓元的市場預測。在過去的一個月里，證券分析師大幅下調了對三星電子第二季度營業(yè)利潤的預期，減少了約 2 萬億韓元，但實際結果更差。

國內主要證券公司將三星電子第二季度業(yè)績不佳的主要原因是其 HBM 業(yè)務戰(zhàn)略的失敗。特別是，在積極推動第五代 HBM （HBM3E） 的供應并加強產能和投資的同時，分析表明，與預期相比，性能表現不大。人工智能 （AI） 行業(yè)的主要參與者 NVIDIA 的供應延遲似乎對銷售產生了負面影響并增加了庫存成本。

MERITZ Securities 的研究分析師 Kim Seon-woo 指出，“盡管智能手機業(yè)務在第二季度表現良好，但 HBM 銷量的下降、先進工藝的成本反映滯后以及代工利用率的下降導致半導體業(yè)績出現痛苦的放緩，”預計半導體部門營業(yè)利潤約為 4000 億韓元。他解釋說：“HBM 可能與上個季度一起記錄了令人失望的 500 至 6 億吉比特的出貨量，根據去年開始的雄心勃勃的生產計劃，今年庫存乏善可陳造成的滯后成本似乎已經反映出來。

韓國投資證券研究員 Chae Min-sook 表示：“HBM 主要客戶的認證已推遲到第三季度末，因此不可避免地要下調三星電子第二季度 HBM 的銷售額和營業(yè)利潤預期。HBM 下半年的前景同樣黯淡。他補充說：“雖然三星正在認證 HBM3E 12 層，但競爭對手 SK 海力士和美光的目標是下一代產品 HBM4 12 層的認證，”并表示，“作為第三方供應商進入對三星來說不是一個有利的局面。

盡管積極減產，但預計會扭虧為盈的 NAND 閃存部門繼續(xù)面臨虧損。大多數國內證券公司估計，三星電子在第二季度的 NAND 閃存業(yè)務虧損超過 3000 億韓元。競爭對手正在增加企業(yè)級固態(tài)硬盤 （SSD） 等高價值產品的份額，以抵消一般 NAND 的損失，但三星仍然高度依賴對一般 NAND 產品的需求。

根據韓國證券公司的分析，系統(tǒng)上一季度錄得超過 2 萬億韓元的虧損 LSI 和代工部門據報道也擴大了虧損。MERITZ Securities 估計，兩個部門的總虧損為 2.3 萬億韓元，而 DS Investment Securities 預計，僅鑄造部門就虧損超過 2.1 萬億韓元。盡管從 Nintendo Switch 2 等一些較舊的工藝生產線獲得了大量訂單，但據說確保 3 納米和 5 納米等先進工藝的客戶仍然具有挑戰(zhàn)性。

下半年的前景也很嚴峻......“在 HBM 領域與 SK hynix 和 Micron 的差距正在擴大”

預計今年下半年將很難實現任何重大轉機。NVIDIA 的 HBM3E 12 層產品原本預計在第二季度進行認證，據報道已推遲到第三季度末，下一代產品 HBM4 在認證過程中也落后于競爭對手。三星電子的目標是用基于第六代 （d1c） 10 納米級的 HBM4 扭轉局面，但研究人員 Chae Min-sook 指出：“現在確認基于 1c 的 HBM4 的競爭力還為時過早。

一位業(yè)內人士表示：“自 HBM3E 進入以來，三星電子的市場份額明顯落后于 SK 海力士和美光，在確保向最重要的合作伙伴 NVIDIA 供貨方面面臨重大挑戰(zhàn)，”他補充說，“原定于第二季度進行的 NVIDIA 認證推遲到第三季度末，這表明三星的 HBM 業(yè)務， 已經停滯了一年多，很難立即趕上領先的企業(yè) SK 海力士和美光。

由于所有尖端 3 納米體積的出貨量都運往臺灣臺積電，晶圓代工部門也在苦苦掙扎，雖然它正在全力以赴在年內獲得 2 納米客戶，但性能似乎不太可能出現好轉。目前，臺積電的 2 納米良率已超過 60%，而三星電子保持在 30-40% 左右，行業(yè)分析師警告說，一旦開始大規(guī)模生產，可能會出現意想不到的變數。

作為最大收入來源的 DRAM 市場也面臨挑戰(zhàn)。DS Investment Securities 研究員 Lee Soo-rim 表示，“雖然預計 DRAM 價格趨勢將穩(wěn)定到第三季度，但第四季度有可能進行價格調整，”并補充道，“DDR4 DRAM 的使用壽命到期、庫存積累需求和關稅的影響提供了一些積極影響，但隨著 DDR5 DRAM 的價格溢價縮小， 價格調整是意料之中的。

三星電子計劃在今年下半年通過量產第六代 10 納米級 DRAM 來尋求 DRAM 和 HBM 市場的扭虧為盈。興國證券研究員 Son In-jun 指出：“雖然完成第 6 代 10 納米 DRAM 的開發(fā)本身就是一個好消息，但重要的是要認識到，僅僅完成工藝開發(fā)并不能保證后續(xù)量產的良率和質量保證，”并補充說，“隨著我們度過第三季度，技術競爭力可能會恢復。