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SK海力士Q1利潤飆升158% 或取代三星成AI內(nèi)存芯片新王

  • 4月24日消息，韓國內(nèi)存巨頭SK海力士公布2025年Q1財報，Q1營業(yè)利潤同比增長158%，為7.44萬億韓元（約合52億美元），超過預(yù)期的6.6萬億韓元。營收同比增長42%，達到17.63萬億韓元。數(shù)據(jù)顯示，這是SK海力士第二好的季度業(yè)績，此前該公司上一季度營收和營業(yè)利潤均創(chuàng)歷史新高。作為英偉達HBM(高帶寬存儲器)的重要供應(yīng)商，SK海力士受益于HBM等AI關(guān)鍵組件的強勁需求增長。2025年Q1，SK海力士在DRAM市場的份額超過三星。報告期內(nèi)，SK海力士占據(jù)了DRAM市場36%的份額，而三星是34%。
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三大內(nèi)存廠持續(xù)減產(chǎn)DDR4

  • 三大原廠紛紛縮減舊制程產(chǎn)能，除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm制程的DDR4生產(chǎn)，美光亦通知客戶停產(chǎn)服務(wù)器用舊制程DDR4模組，SK海力士據(jù)傳也將DDR4產(chǎn)出比重降至20%。法人認為，市場景氣低迷，上游存儲器廠加速產(chǎn)品迭代，降低單位成本以提升獲利，同時將資源轉(zhuǎn)向高帶寬記憶體（HBM）及DDR5等高階產(chǎn)品。短期內(nèi)內(nèi)存價格受到關(guān)稅備貨與供給控制支撐，但整體環(huán)境不確定性高，未來基本面仍存隱憂。三星已通知供應(yīng)鏈，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4內(nèi)存將于2025年4月停止生產(chǎn)（EOL）
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SK海力士完成基于CXL 2.0的DDR5客戶驗證， 引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心存儲技術(shù)創(chuàng)新

  • 2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節(jié)）產(chǎn)品的客戶驗證，是基于CXL* 2.0標準的DRAM解決方案產(chǎn)品。SK海力士表示：“將此產(chǎn)品應(yīng)用于服務(wù)器系統(tǒng)，相較于現(xiàn)有的DDR5模組，其容量增長了50%，寬帶擴展了30%，可處理每秒最多36GB的數(shù)據(jù)。該產(chǎn)品有望顯著降低客戶在構(gòu)建并運營數(shù)據(jù)中心時所需的總體擁有成本*?！崩^96GB產(chǎn)品驗證，公司正在與其他客戶開展128GB產(chǎn)品的驗證流程。該產(chǎn)品搭載第五代10納米級（1b）32Gb
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SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營收第一：HBM市占率高達70%

  • 4月9日消息，根據(jù)Counterpoint Research的2025年第一季度內(nèi)存追蹤報告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營收的領(lǐng)導者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營收市占率達到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計占據(jù)剩余的5%。SK海力士預(yù)期，營收與市占率的增長至少會持續(xù)到下一季度，其還表示，公司在關(guān)鍵的HBM市場占有率高達70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
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美光、SK海力士跟隨中！三星對內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價3-5%：客戶已開始談判新合同

  • 4月7日消息，據(jù)國外媒體報道稱，三星公司領(lǐng)導層將對主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價格上漲，預(yù)計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過剩，但隨著主要公司開始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計顯示，
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SK海力士完成對英特爾NAND業(yè)務(wù)的收購

  • 據(jù)韓媒報道，根據(jù)SK海力士向韓國金融監(jiān)管機構(gòu)FSS披露的文件，該企業(yè)已完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務(wù)案的第二階段，交易正式完成。據(jù)了解，第一階段完成于2021年12月30日，SK海力士當時支付了78422億韓元，從英特爾接管SSD業(yè)務(wù)及其位于中國大連NAND閃存制造廠的資產(chǎn)。而在第二階段中，SK海力士以32783億韓元（約合人民幣163億元）的對價取得了包括NAND閃存晶圓的生產(chǎn)及設(shè)計相關(guān)的知識產(chǎn)權(quán)、研發(fā)人員以及大連工廠的員工在內(nèi)的其余相關(guān)有形/無形資產(chǎn)。
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SK海力士首次向客戶提供12層HBM4樣品，預(yù)計下半年量產(chǎn)

  • 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，3月19日，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品12層HBM4，并且全球首次向主要客戶提供了其樣品。據(jù)悉，此次提供的12層HBM4樣品，兼具了面向AI的存儲器必備的世界最高水平速率，其容量也是12層堆疊產(chǎn)品的最高水平。該產(chǎn)品首次實現(xiàn)了最高每秒可以處理2TB（太字節(jié)）以上數(shù)據(jù)的帶寬，相當于在1秒內(nèi)可處理400部以上全高清（Full-HD，F(xiàn)HD）級電影（5GB=5千兆字節(jié)）的數(shù)據(jù)，運行速度與前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。同時，公司通過在該產(chǎn)品上采用已在前一代產(chǎn)
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SK海力士宣布全球首次向客戶提供“12層HBM4”樣品

  • 2025年3月19日，SK海力士宣布，推出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品12層HBM4，并且全球首次向主要客戶提供了其樣品。SK海力士強調(diào)：“以引領(lǐng)HBM市場的技術(shù)競爭力和生產(chǎn)經(jīng)驗為基礎(chǔ)，能夠比原計劃提早實現(xiàn)12層HBM4的樣品出貨，并已開始與客戶的驗證流程。公司將在下半年完成量產(chǎn)準備，由此鞏固在面向AI的新一代存儲器市場領(lǐng)導地位。”此次提供的12層HBM4樣品，兼具了面向AI的存儲器必備的世界最高水平速率。其容量也是12層堆疊產(chǎn)品的最高水平。此產(chǎn)品首次實現(xiàn)了最高每秒可以處理2TB（太字節(jié)）以上數(shù)據(jù)的帶
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SK海力士完成90億美元收購 英特爾閃存業(yè)務(wù)塵埃落定

  • 在全球半導體產(chǎn)業(yè)格局加速重構(gòu)的背景下，韓國存儲巨頭SK海力士即將為英特爾NAND業(yè)務(wù)畫上句號。根據(jù)最新進展，SK海力士將在未來幾周內(nèi)支付最后一筆22.4億美元款項，標志著歷時五年的90億美元收購案正式收官。這一交易不僅宣告了英特爾徹底退出閃存市場，更讓SK海力士在與三星的競爭中握有新籌碼。此次收購涵蓋英特爾大連工廠的NAND制造業(yè)務(wù)及相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)，其固態(tài)硬盤部門則獨立為Solidigm子公司。值得關(guān)注的是，隨著最后階段資金到位，SK海力士將獲得大連工廠的完整技術(shù)控制權(quán)。集邦咨詢分析指出，此次整合有望推動S
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SK海力士將關(guān)閉CIS圖像傳感器部門轉(zhuǎn)向AI存儲器領(lǐng)域

  • 3月7日消息，近日，綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK等多家韓媒報道，SK海力士在內(nèi)部宣布將關(guān)閉其CIS（CMOS圖像傳感器）部門，該團隊的員工將轉(zhuǎn)崗至AI存儲器領(lǐng)域。SK海力士稱其CIS團隊擁有僅靠存儲芯片業(yè)務(wù)無法獲得的邏輯制程技術(shù)和定制業(yè)務(wù)能力。存儲和邏輯半導體高度融合的趨勢下，將CIS團隊和存儲部門聚合為一個整體，才能進一步提升企業(yè)的AI存儲器競爭力。
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SK海力士完成與英特爾的最終交割

  • SK海力士將于2025年3月（協(xié)議預(yù)設(shè)的最早時間點）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的最終交割。隨著交易的完成，將加強SK海力士在全球NAND閃存市場的地位，尤其是企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）方面。隨著AI技術(shù)的普及和應(yīng)用，存儲需求正在不斷增長，HBM領(lǐng)域的領(lǐng)導者SK海力士卻沒有停止擴張的步伐，這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開直接競爭?！?2020年10月，SK海力士與英特爾達成協(xié)議，宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)；· 2021年12月，第一階段的交易完成，SK海力士支付70億
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SK海力士正在開發(fā)低功耗LPDDR5M：能效提高8%

  • 2月28日消息，SK海力士正致力于開發(fā)新一代低功耗內(nèi)存LPDDR5M，其數(shù)據(jù)傳輸速率與現(xiàn)有的LPDDR5T相同，均為9.6Gbps，但在能效方面實現(xiàn)了顯著提升。LPDDR5M的工作電壓從1.01-1.12V降至0.98V，能效提高了8%。這一技術(shù)突破預(yù)計將廣泛應(yīng)用于具備設(shè)備端AI功能的智能手機中，使其在本地運行密集型操作時消耗更少的電量，從而滿足設(shè)備制造商對高效能、低功耗的需求。業(yè)內(nèi)人士推測，SK海力士最快將于年內(nèi)推出LPDDR5M產(chǎn)品。與此同時，SK海力士在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的研發(fā)也取得了重要進展
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三星、SK海力士計劃停用中國EDA軟件！

  • 2月17日消息，據(jù)韓國媒體報道，韓國半導體巨頭SK海力士已開始緊急審查其使用的中國半導體電子設(shè)計自動化（EDA）軟件，以應(yīng)對美國可能出臺的新政策。這些政策可能會限制韓國半導體公司使用中國軟件，業(yè)界人士透露，SK海力士正在評估其使用的中國EDA軟件是否符合未來政策要求。EDA軟件被稱為“芯片之母”，是芯片設(shè)計和制造過程中不可或缺的工具，用于模擬各種電路設(shè)計并預(yù)測結(jié)果。目前，EDA市場主要由美國公司主導，包括新思科技（Synopsys）、益華電腦（Cadence）和Siemens EDA，這些公司的市場占有率
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三星穩(wěn)坐全球前十大半導體品牌廠商第一！Intel跌至第五

  • 2月16日消息，據(jù)調(diào)研機構(gòu)Counterpoint的最新報告，全球半導體市場（包括存儲產(chǎn)業(yè)）在2024年預(yù)計將實現(xiàn)強勁復蘇，全年營收同比增長19%，達到6210億美元。這一增長主要得益于人工智能技術(shù)需求的大幅增加，尤其是內(nèi)存市場和GPU需求的持續(xù)推動。從廠商來看，三星電子以11.8%的市場份額位居全球第一，隨后分別是SK海力士（7.7%）、高通（5.6%）、博通（5%）、英特爾（4.9%）、美光（4.8%）、英偉達（4.3%）、AMD（4.1%）、聯(lián)發(fā)科（2.6%）和西部數(shù)據(jù)（2.5%）。需要注意的是，此
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NAND閃存再減產(chǎn)：三星、SK海力士將至少削減10%

  • 據(jù)報道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產(chǎn)計劃。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領(lǐng)域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續(xù)下滑，這一趨勢使得供應(yīng)商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態(tài)度。長期的價格疲軟無疑將進一步壓縮企業(yè)的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實施更為激進的減產(chǎn)措施，將NAND閃存產(chǎn)量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時，N
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sk海力士介紹

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