全球晶圓廠擴張能否跟上美光HBM的激增

美光在 2025 財年第三季度創(chuàng)紀錄的收入是由 HBM 銷售額增長近 50% 推動的，而且這種勢頭并沒有放緩。正如 ZDNet 所指出的那樣，這家美國存儲器巨頭現(xiàn)在的目標是到年底在 HBM 市場占據(jù)大約 25% 的份額。雖然其樂觀的前景吸引了市場的關(guān)注，但人們也關(guān)注其全球產(chǎn)能擴張能否跟上步伐。以下是美光在國內(nèi)外的最新制造舉措。

美國生產(chǎn)時間表指向 2027 年開始

根據(jù)其新聞稿，2022 年 9 月，美光公布了一項價值 150 億美元的計劃，以擴建其位于愛達荷州博伊西的總部，該總部將擁有尖端的研發(fā)和半導體制造設(shè)施——這是 20 多年來在美國建造的第一家內(nèi)存工廠。

在 6 月 25 日的財報電話會議上，美光透露，其愛達荷州的第一家晶圓廠 ID1 在 6 月達到了一個重要的建設(shè)里程碑。美光表示，DRAM 晶圓生產(chǎn)將于 2027 年下半年開始，客戶資格認證將緊隨其后。

就在幾周前，即 6 月 12 日，這家美國內(nèi)存巨頭公布了一項 2000 億美元的擴張計劃，以促進國內(nèi)制造業(yè)，其中包括在博伊西的第二家晶圓廠。據(jù)美光稱，這個新設(shè)施 ID2 預計將在其紐約第一家工廠之前開始生產(chǎn)。

然而，其于 2022 年宣布的 1000 億美元的紐約大型晶圓廠項目一再面臨延誤。The Daily Orange 援引 syracuse.com 報道稱，破土動工現(xiàn)在推遲到 2025 年 11 月下旬或 12 月，遠低于原定的 2024 年 6 月目標。該公司表示，場地準備工作將于今年晚些時候開始，等待環(huán)境批準。

美光表示，紐約工廠的地面準備工作計劃于今年晚些時候開始，等待州和聯(lián)邦環(huán)境審查完成。

廣島工廠有望于 2026 年投產(chǎn)

另一方面，美光在日本廣島縣的新工廠進展順利。據(jù)日經(jīng)新聞報道，美光現(xiàn)在的目標是于 2026 年在其廣島工廠開始大規(guī)模生產(chǎn)下一代 DRAM。

值得注意的是，日經(jīng)新聞報道稱，美光計劃在 6 月之前在其晶圓廠安裝 EUV（極紫外）系統(tǒng)。報告補充說，雖然 Rapidus 已經(jīng)建立了一個用于測試的 EUV 系統(tǒng)，但美光的安裝將是日本第一個用于大規(guī)模生產(chǎn)的系統(tǒng)。

印度工廠于 2H25 投入運營

與此同時，美光在印度的組裝、測試、標識和包裝 （ATMP） 工廠的建設(shè)正在加快。據(jù)《經(jīng)濟時報》報道，該工廠專注于將晶圓轉(zhuǎn)化為球柵陣列 （BGA） 集成電路封裝、內(nèi)存模塊和固態(tài)驅(qū)動器，已接近潔凈室驗證，第一階段預計將于 2025 年下半年投入運營。

報告顯示，這家美國存儲芯片制造商計劃在印度的兩個項目階段投資高達 8.25 億美元，包括政府支持在內(nèi)的總資金將達到 27.5 億美元。

根據(jù)其新聞稿，美光預計該項目的第二階段，其中包括建造一個規(guī)模與第一階段相似的設(shè)施，將于本世紀下半葉開始。