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美光開始向客戶提供HBM4內(nèi)存樣品 —36 GB容量和2 TB/s帶寬

作者: 時間:2025-06-13 來源:Tom's Hardware 收藏

本周宣布,該公司已開始向主要客戶運送其下一代 內(nèi)存的樣品。適用于下一代 AI 和 HPC 處理器的新內(nèi)存組件具有 36 GB 的容量和 2 TB/s 的帶寬。

本文引用地址:http://www.2s4d.com/article/202506/471320.htm

的首批樣品是 12 層高器件,具有 36 GB 內(nèi)存,具有 2048 位寬接口以及約 7.85 GT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率。這些樣品依賴于采用該公司 1? (1-beta) DRAM 工藝技術(shù)制造的 24GB DRAM 器件,以及臺積電使用其 12FFC+(2nm 級)或 N5(5nm 級)邏輯工藝技術(shù)生產(chǎn)的邏輯基礎(chǔ)芯片。

最新一代 HBM3E 內(nèi)存還提供高達(dá) 36 GB 的容量,但它具有 1024 位接口和高達(dá) 9.2 GT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率,因此可提供高達(dá) 1.2 TB/s 的峰值帶寬。也就是說,Micron 的新型 可以擁有超過 60% 的帶寬以及高達(dá) 20% 的能源效率。此外,Micron 的 還包括內(nèi)置的內(nèi)存測試功能,以簡化合作伙伴的集成。

美光是業(yè)內(nèi)第一家正式開始與合作伙伴一起提供 HBM4 內(nèi)存模塊樣品的 DRAM 制造商,但預(yù)計三星和 SK 海力士等其他制造商將很快迎頭趕上。美光和其他內(nèi)存制造商打算在 2026 年的某個時候開始量產(chǎn) HBM4,屆時領(lǐng)先的 AI 處理器開發(fā)商將開始量產(chǎn)其下一代處理器。

預(yù)計 Nvidia 代號為 Vera Rubin 的數(shù)據(jù)中心 GPU 將在 2026 年底成為首批采用 HBM4 的產(chǎn)品之一,盡管它們肯定不會是唯一使用 HBM4 的 AI 和 HPC 處理器。

“美光 HBM4 的性能、更高的帶寬和行業(yè)領(lǐng)先的能效證明了我們的內(nèi)存技術(shù)和產(chǎn)品領(lǐng)先地位,”美光高級副總裁兼云內(nèi)存業(yè)務(wù)部總經(jīng)理 Raj Narasimhan 說。“在 HBM3E 部署取得的非凡里程碑的基礎(chǔ)上,我們將繼續(xù)通過 HBM4 和我們強大的 AI 內(nèi)存和存儲解決方案產(chǎn)品組合推動創(chuàng)新。我們的 HBM4 生產(chǎn)里程碑與客戶的下一代 AI 平臺就緒情況保持一致,以確保無縫集成和量產(chǎn)。

微米's HBM4



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