- 美光本周宣布，該公司已開始向主要客戶運送其下一代 HBM4 內存的樣品。適用于下一代 AI 和 HPC 處理器的新內存組件具有 36 GB 的容量和 2 TB/s 的帶寬。美光的首批樣品是 12 層高器件，具有 36 GB 內存，具有 2048 位寬接口以及約 7.85 GT/s 的數據傳輸速率。這些樣品依賴于采用該公司 1? （1-beta） DRAM 工藝技術制造的 24GB DRAM 器件，以及臺積電使用其 12FFC+（2nm 級）或 N5（5nm 級）邏輯工藝技術生產的邏輯基礎芯片。美光最新一代
- 關鍵字：
美光 HBM4 內存樣品
- 生成式AI持續(xù)爆發(fā)，推升高帶寬記憶體（HBM）需求急遽攀升。 全球三大內存廠—美光、SK海力士與三星電子全面投入HBM4戰(zhàn)局，爭搶AI加速器內存主導權。 其中，美光搶先宣布送樣，技術領先態(tài)勢明顯。美光12日宣布，已將最新12層堆疊、容量達36GB的HBM4，送樣給多家全球客戶。 該產品采用先進的1β DRAM制程，搭配2048位寬高速接口，單堆疊傳輸速率突破2.0 TB/s，效能較前一代HBM3E提升超過60%，能源效率亦提升逾20%，預計2026年正式量產。美光指出，HBM4具備內存內建自我測試（MBI
- 關鍵字：
HBM4 美光 HBM3E
- 三星計劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術，以減少熱量并實現超寬內存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對手 SK 海力士可能會推遲采用混合鍵合技術，EBN 報道。高帶寬內存 （HBM） 將多個存儲器件堆疊在基礎芯片上。目前，HBM 堆棧中的內存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數據、電源和控制信號）連接在一起，并使用模塑底部填充質量回流 （MR-MUF） 或使用非導電膜 （TC-NCF） 的熱壓縮等技術進行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個晶粒內的硅通孔
- 關鍵字：
三星 HBM4 內存 混合鍵合
- 4月16日，微電子行業(yè)標準制定者JEDEC固態(tài)技術協會正式發(fā)布了備受業(yè)界期待的HBM4標準。HBM4標準作為先前HBM3標準的升級版，將進一步提升數據處理速率，同時保持更高帶寬、更高能效及每顆芯片/堆疊的容量等基本特征。HBM4帶來的改進對于需要高效處理大型數據集和復雜計算的應用至關重要，例如生成式人工智能(AI)、高性能計算、高端顯卡和服務器。據介紹，與此前的版本相比，HBM4標準在帶寬、通道數、功耗、容量等多方面進行了改進。具體來看：●增加帶寬：通過2048位接口，傳輸速度高達8Gb/s，HBM4可將
- 關鍵字：
HBM4
- 據報道，當地時間4月16日，JEDEC固態(tài)技術協會宣布，正式推出HBM4內存規(guī)范JESD270-4，該規(guī)范為HBM的最新版本設定了更高的帶寬性能標準。據介紹，與此前的版本相比，HBM4標準在帶寬、通道數、功耗、容量等多方面進行了改進。其中，HBM4采用2048位接口，傳輸速度高達8Gb/s，HBM4可將總帶寬提高至2TB/s。 還支持 4 / 8 / 12 / 18 層 DRAM 堆棧和 24Gb / 32Gb 的芯片密度，單堆棧容量可達 64GB。此外，HBM4將每個堆疊的獨立通道數加倍，從16個通道（
- 關鍵字：
HBM4 存儲技術 存儲芯片
- 創(chuàng)意2日宣布，自主研發(fā)的HBM4控制器與PHY IP完成投片，采用臺積電最先進N3P制程技術，并結合CoWoS-R先進封裝，成為業(yè)界首個實現12 Gbps數據傳輸速率之HBM4解決方案，為AI與高效能運算（HPC）應用樹立全新里程碑。HBM4 IP以創(chuàng)新中間層（Interposer）布局設計優(yōu)化信號完整性（SI）與電源完整性（PI），確保在CoWoS系列封裝技術下穩(wěn)定運行于高速模式。 創(chuàng)意指出，相較前代HBM3，HBM4 PHY（實體層）效能顯著提升，帶寬提升2.5倍，滿足巨量數據傳輸需求、功耗效率提升1
- 關鍵字：
創(chuàng)意 HBM4 IP 臺積電 N3P
- AI 的火熱，令 HBM 也成了緊俏貨。業(yè)界各處都在喊：HBM 缺貨！HBM 增產！把 DDR4/DDR3 產線轉向生產 DDR5/HBM 等先進產品。數據顯示，未來 HBM 市場將以每年 42% 的速度增長，將從 2023 年的 40 億美元增長到 2033 年的 1300 億美元，這主要受工作負載擴大的 AI 計算推動。到 2033 年，HBM 將占據整個 DRAM 市場的一半以上。可即便行業(yè)全力增產，HBM 供應缺口仍然很大，芯片巨頭也急的「抓耳撓腮」。當下，
- 關鍵字：
HBM4
- 據韓媒報道，近日，三星電子在其內存業(yè)務部已完成HBM4內存邏輯芯片的設計，且Foundry已根據該設計正式啟動了4nm制程的試生產。待完成邏輯芯片的最終性能驗證后，三星電子將向客戶提供其開發(fā)的 HBM4 內存樣品。此前消息稱，除采用自家4nm工藝制造邏輯芯片外，三星電子還將在HBM4上導入1c nm制程DRAM Die，以提升產品能效表現，也方便在邏輯芯片中引入更豐富功能支持。
- 關鍵字：
三星 HBM4 4nm
- 據媒體報道，日前，臺積電11月歐洲開放創(chuàng)新平臺（OIP）論壇上宣布，其有望在2027年認證超大版本的CoWoS（晶圓上芯片）封裝技術，該技術將提供高達9個掩模尺寸的中介層尺寸和12個HBM4內存堆棧，推測它將在2027年至2028年被超高端AI處理器采用。據悉，這一全新封裝方法將解決性能要求最高的應用，并讓AI（人工智能）和HPC（高性能計算）芯片設計人員能夠構建手掌大小的處理器。報道稱，完全希望采用臺積電先進封裝方法的公司也能使用其系統級集成芯片（SoIC）先進封裝技術垂直堆疊其邏輯，以進一步提高晶體管
- 關鍵字：
臺積電 CoWoS HBM4
- 7 月 13 日消息，韓媒 businesskorea 報道，英偉達、臺積電和 SK 海力士將組建“三角聯盟”，為迎接 AI 時代共同推進 HBM4 等下一代技術。SEMI 計劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動（其影響力可以認為是半導體行業(yè)的 CES 大展），包括臺積電在內的 1000 多家公司將展示最新的半導體設備和技術，促進了合作與創(chuàng)新。預計這次會議的主要焦點是下一代 HBM，特別是革命性的 HBM4 內存，它將開啟市場的新紀元。IT之家援引該媒體報道，SK 海力士總裁 Kim Joo-
- 關鍵字：
英偉達 臺積電 SK 海力士深 HBM4 內存
- 據韓媒報道，韓國后端設備制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高帶寬內存 (HBM) 生產的演示熱壓 (TC) 鍵合機。雙方已開始聯合開發(fā)下一代鍵合機，用于HBM4生產。根據報道，美光還從日本新川半導體和韓美半導體采購TC鍵合機，用于生產HBM3E，于今年4月向韓美半導體提供了價值226億韓元的TC Bonder采購訂單。據透露，美光正在使用熱壓非導電薄膜 (TC-NCF) 工藝制造 HBM3E，該種工藝很可能會在下一代產品 HBM4 中采用。HBM4 16H產品正在考慮使用混合鍵合。此外，目前美光最大的
- 關鍵字：
ASMPT 美光 HBM4
- HBM（HighBandwidth Memory，高帶寬內存）是一款新型的 CPU/GPU 內存芯片，其實就是將很多個 DDR 芯片堆疊在一起后和 GPU 封裝在一起，實現大容量，高位寬的 DDR 組合陣列。該內存技術突破了內存容量與帶寬瓶頸，被視為新一代 DRAM 解決方案，也契合了半導體技術小型化、集成化的發(fā)展趨勢。過去 10 年里，HBM 技術性能不斷升級迭代，已經成為高性能計算領域重要的技術基石之一。2023 年初以來，以 ChatGPT 為代表的 AI 大模型催生了巨量的算力需求，使 HBM 成
- 關鍵字：
HBM4
- 6月2日消息，臺北電腦展2024的展前主題演講上，NVIDIA CEO黃仁勛宣布了下一代全新GPU、CPU架構，以及全新CPU+GPU二合一超級芯片，一直規(guī)劃到了2027年。黃仁勛表示，NVIDIA將堅持數據中心規(guī)模、一年節(jié)奏、技術限制、一個架構的路線，也就是使用統一架構覆蓋整個數據中心GPU產品線，并最新最強的制造工藝，每年更新迭代一次。NVIDIA現有的高性能GPU架構代號"Blackwell"，已經投產，相關產品今年陸續(xù)上市，包括用于HPC/AI領域的B200/GB200、用于游
- 關鍵字：
NVIDIA Rubin GPU Vera CPU 3nm工藝 HBM4 內存
- 在晶圓代工領域，三星與臺積電是純粹的競爭關系，但在存儲芯片市場，作為行業(yè)霸主，三星卻不得不尋求與臺積電深入合作，這都是英偉達惹的禍。據 DigiTimes 報道，三星 HBM3E 內存尚未通過英偉達的測試，仍需要進一步驗證，這是因為卡在了臺積電的審批環(huán)節(jié)。作為英偉達 AI GPU 芯片的制造和封裝廠，臺積電是英偉達驗證環(huán)節(jié)的重要參與者。據悉，臺積電采用的是基于 SK 海力士 HBM3E 產品設定的檢測標準，而三星的 HBM3E 產品在制造工藝上有些差異，例如，SK 海力士芯片封裝環(huán)節(jié)采用了 MR-MUF
- 關鍵字：
HBM3E HBM4
- 在 HBM4 內存帶來的幾大變化中，最直接的變化之一就是內存接口的寬度。隨著第四代內存標準從已經很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口，HBM4 內存堆棧將不會像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現在更先進的封裝方法，以適應更寬的內存。作為
2024 年歐洲技術研討會演講的一部分，臺積電提供了一些有關其將為 HBM4
制造的基礎模具的新細節(jié)，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺積電計劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來完成這項任務，該公司有望在 HBM4
制造工藝中占據有
- 關鍵字：
臺積電 12nm 5nm 工藝 HBM4 基礎芯片
hbm4介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條hbm4!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對hbm4的理解，并與今后在此搜索hbm4的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
