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HBM4將迎來大突破？

  • AI大勢下，高帶寬內(nèi)存 (HBM) 從幕后走向臺前，備受存儲市場關(guān)注。近期，媒體報(bào)道下一代HBM將迎來重大變化，HBM4內(nèi)存堆棧將采用2048位內(nèi)存接口 。自2015年以來，所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從每堆棧1024位增加到每堆棧2048位，足以可見HBM4具備的變革意義。另據(jù)韓媒報(bào)道，三星為了掌握快速成長的HBM市場，將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù)，預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)HBM4。盡管HBM4將有大突破，但它不會很快到來。當(dāng)前HBM市場以HBM2e為主，未來HBM3將挑起大梁。全球市場研究機(jī)
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傳三星預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)新一代HBM4

  • 據(jù)韓媒報(bào)道，三星為了掌握快速成長的HBM市場，將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù)，預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)新一代HBM產(chǎn)品，HBM4。從2013年第一代HBM到即將推出的第五代HBM3E，I/O接口數(shù)為每顆芯片1024個(gè)，擁有超過2000個(gè)以上I/O接口的HBM尚未問世。以HBM不同世代需求比重而言，據(jù)TrendForce集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉(zhuǎn)往HBM3，需求比重分別預(yù)估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量，2024年市場需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3，而2024年將直接超越HBM2
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