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4nm 文章 最新資訊

三星優(yōu)先考慮2nm/4nm改進(jìn)，2028-29前不太可能實(shí)現(xiàn)1.4nm

  • 據(jù)報(bào)道，隨著主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電和英特爾的目標(biāo)是在 2025 年下半年實(shí)現(xiàn) 2nm 和 18A 的量產(chǎn)，三星也在調(diào)整其業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。據(jù) ZDNet 稱，它現(xiàn)在專注于提高和優(yōu)化其當(dāng)前先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，雖然沒(méi)有給出修改后的時(shí)間表，但該報(bào)告表明，三星的 1.4nm 生產(chǎn)現(xiàn)在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前開(kāi)始。據(jù) ZDNet 稱，該更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高級(jí)代工生態(tài)系統(tǒng)）論壇 2025”期間發(fā)布的。據(jù)報(bào)道，在此次活動(dòng)中，三星透
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三星4nm工藝UCIe芯片完成性能評(píng)估，傳輸帶寬達(dá)24Gbpsv

  • 據(jù)韓媒etnews于6月18日?qǐng)?bào)道，三星電子近期在高性能計(jì)算（HPC）和人工智能（AI）領(lǐng)域取得重要突破。其基于4nm工藝制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能評(píng)估，傳輸帶寬達(dá)到24Gbps。這一成果標(biāo)志著三星在芯?；ヂ?lián)技術(shù)上的顯著進(jìn)展。UCIe（統(tǒng)一芯?；ヂ?lián)接口）是一種通用的芯?；ヂ?lián)標(biāo)準(zhǔn)，能夠?qū)崿F(xiàn)不同來(lái)源和工藝的芯粒之間的互聯(lián)通信，從而將分散的芯粒生態(tài)系統(tǒng)整合為統(tǒng)一平臺(tái)。三星早在去年就對(duì)其工藝進(jìn)行了優(yōu)化，以支持UCIe IP的開(kāi)發(fā)。此次原型芯片的成功運(yùn)行，表明其技術(shù)已具備向商業(yè)量產(chǎn)邁進(jìn)的能力。
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臺(tái)積電美國(guó)廠首批4nm晶圓送往臺(tái)灣封裝

  • 據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那州的晶圓廠已經(jīng)完成了為蘋(píng)果、英偉達(dá)（NVIDIA）和AMD制造的第一批芯片，數(shù)量達(dá)到了2萬(wàn)片晶圓，目前這些芯片已經(jīng)送往中國(guó)臺(tái)灣進(jìn)行封裝。這批在臺(tái)積電亞利桑那州晶圓廠生產(chǎn)的4nm制程晶圓，其中包括了英偉達(dá)Blackwell AI GPU、蘋(píng)果公司面向iPhone的A系列處理器和AMD第五代EPYC數(shù)據(jù)中心處理器。由于臺(tái)積電目前在美國(guó)沒(méi)有封裝廠，因此這些晶圓還需要發(fā)送到中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電的先進(jìn)封裝廠利用CoWoS技術(shù)進(jìn)行先進(jìn)封裝。雖然臺(tái)積電也計(jì)劃在美國(guó)建設(shè)兩座先進(jìn)封裝廠，但是目
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臺(tái)積電重申1.4nm級(jí)工藝技術(shù)不需要高數(shù)值孔徑EUV

  • 臺(tái)積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術(shù)研討會(huì)上重申了其對(duì)下一代高數(shù)值孔徑 EUV 光刻工具的長(zhǎng)期立場(chǎng)。該公司的下一代工藝技術(shù)不需要這些最高端的光刻系統(tǒng)，包括 A16（1.6 納米級(jí)）和 A14（1.4 納米級(jí)）工藝技術(shù)。為此，TSMC 不會(huì)為這些節(jié)點(diǎn)采用 High-NA EUV 工具?！爱?dāng)臺(tái)積電使用 High-NA 時(shí)，人們似乎總是很感興趣，我認(rèn)為我們的答案非常簡(jiǎn)單，”副聯(lián)席首席運(yùn)營(yíng)官兼業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷售高級(jí)副總裁 Kevin Zhang 在活動(dòng)中說(shuō)?！懊慨?dāng)我們看到 High-NA 將提供有意義、可衡
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英特爾版 X3D 技術(shù)將至：18A-PT 芯片工藝官宣，14A 節(jié)點(diǎn)即將推出

  • 4 月 30 日消息，英特爾新任 CEO 陳立武今日在美國(guó)加州圣何塞舉行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活動(dòng)中亮相，概述了公司在晶圓廠代工項(xiàng)目上的進(jìn)展。陳立武宣布，公司現(xiàn)在正在與即將推出的 14A 工藝節(jié)點(diǎn)（1.4nm 等效）的主要客戶進(jìn)行接觸，這是 18A 工藝節(jié)點(diǎn)的后續(xù)一代。英特爾已有幾個(gè)客戶計(jì)劃流片 14A 測(cè)試芯片，這些芯片現(xiàn)在配備了公司增強(qiáng)版的背面電源傳輸技術(shù)，稱為PowerDirect。陳立武還透露，公司的關(guān)鍵 18A 節(jié)點(diǎn)現(xiàn)在處于風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)今年晚
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臺(tái)積電推1.4nm 技術(shù)：第2代GAA晶體管，全節(jié)點(diǎn)優(yōu)勢(shì)2028年推出

  • 臺(tái)積電公布了其 A14（1.4 納米級(jí)）制造技術(shù)，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著的性能、功率和晶體管密度優(yōu)勢(shì)。在周三舉行的 2025 年北美技術(shù)研討會(huì)上，該公司透露，新節(jié)點(diǎn)將依賴其第二代全環(huán)繞柵極 （GAA） 納米片晶體管，并將通過(guò) NanoFlex Pro 技術(shù)提供進(jìn)一步的靈活性。臺(tái)積電預(yù)計(jì) A14 將于 2028 年進(jìn)入量產(chǎn)，但沒(méi)有背面供電。計(jì)劃于 14 年推出具有背面供電功能的 A2029 版本?！癆14 是我們的全節(jié)點(diǎn)下一代先進(jìn)芯片技術(shù)，”臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷售高級(jí)副總
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搶單失敗，高通4nm訂單未選擇三星

  • 移動(dòng)處理器大廠高通（Qualcomm）計(jì)劃推出一款新的4納米高端芯片組，雖然定位低于旗艦級(jí)的Snapdragon 8 Elite，但性能依然備受市場(chǎng)關(guān)注。 最新消息指出，這款可能命名為Snapdragon 8s Gen 4的新芯片，高通似乎仍傾向于與老伙伴臺(tái)積電合作，而非選擇三星代工。追蹤三星相關(guān)消息的南韓科技媒體SamMobile報(bào)導(dǎo)，盡管三星的4納米制程已經(jīng)通過(guò)測(cè)試，也經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗(yàn)證，看似有搶單的機(jī)會(huì)，然而高通似乎仍對(duì)三星持保留態(tài)度，最終還是決定交由臺(tái)積電獨(dú)家代工這款新芯片。其實(shí)三星早在2021年就以第
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高通驍龍 8s 至尊版芯片曝光：安兔兔跑分逼近 200 萬(wàn)

  • 3 月 24 日消息，消息源 @Gadgetsdata 于 3 月 22 日在 X 平臺(tái)發(fā)布推文，分享了高通驍龍 8s 至尊版芯片的更多細(xì)節(jié)，并透露該芯片的各項(xiàng)配置更接近于驍龍 8s Gen 3 芯片。援引博文介紹，高通驍龍 8s 至尊版采用 4nm 制程工藝，沒(méi)有采用Oryon自研核心，其配置信息如下：驍龍8s Gen 38s Elite8 Elite節(jié)點(diǎn)4nm4nm3nmCPU,主核1x Cortex-X4 @ 3.0GHz1x Cortex-X4 @ 3.21GHz2x Oryon @ 4.32GH
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臺(tái)積電美國(guó)廠4nm芯片生產(chǎn)進(jìn)入最后階段

  • 知情人士稱，蘋(píng)果在臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州工廠（Fab 21）生產(chǎn)的4nm芯片已進(jìn)入最后的質(zhì)量驗(yàn)證階段，英偉達(dá)和AMD也在該廠進(jìn)行芯片試產(chǎn)。不過(guò)，臺(tái)積電美國(guó)廠尚不具備先進(jìn)封裝能力，因此芯片仍需運(yùn)回臺(tái)灣封裝。有外媒在最新的報(bào)道中提到，去年9月份就已開(kāi)始為蘋(píng)果小批量代工A16仿生芯片的臺(tái)積電亞利桑那州工廠，目前正在對(duì)芯片進(jìn)行認(rèn)證和驗(yàn)證。一旦達(dá)到質(zhì)量保證階段，預(yù)計(jì)很快就能交付大批量代工的芯片，甚至有可能在本季度開(kāi)始向蘋(píng)果設(shè)備供貨。▲ 臺(tái)積電亞利桑那州晶圓廠項(xiàng)目工地，圖源臺(tái)積電官方臺(tái)積電位于亞利桑那州的在美晶圓廠項(xiàng)目
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消息稱三星電子已啟動(dòng)4nm制程HBM4邏輯芯片試產(chǎn)

  • 據(jù)韓媒報(bào)道，近日，三星電子在其內(nèi)存業(yè)務(wù)部已完成HBM4內(nèi)存邏輯芯片的設(shè)計(jì)，且Foundry已根據(jù)該設(shè)計(jì)正式啟動(dòng)了4nm制程的試生產(chǎn)。待完成邏輯芯片的最終性能驗(yàn)證后，三星電子將向客戶提供其開(kāi)發(fā)的 HBM4 內(nèi)存樣品。此前消息稱，除采用自家4nm工藝制造邏輯芯片外，三星電子還將在HBM4上導(dǎo)入1c nm制程DRAM Die，以提升產(chǎn)品能效表現(xiàn)，也方便在邏輯芯片中引入更豐富功能支持。
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臺(tái)積電美國(guó)工廠明年開(kāi)產(chǎn)4nm芯片：你買(mǎi)安卓、蘋(píng)果產(chǎn)品可能要多付30%

  • 12月30日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，臺(tái)積電亞利桑那工廠將于2025年下半年開(kāi)始量產(chǎn)4nm工藝，蘋(píng)果、英偉達(dá)、AMD 和高通等客戶將成為主要受益者。不過(guò)，對(duì)于消費(fèi)者來(lái)說(shuō)就不那么友好了，因?yàn)槿绻媸沁@樣的話，那么大家要承擔(dān)30%漲價(jià)。為什么這么說(shuō)？報(bào)道中提到，臺(tái)積電的4nm工藝將在亞利桑那州工廠的一期（1A）廠區(qū)投產(chǎn)，但生產(chǎn)成本預(yù)計(jì)將比現(xiàn)有的高出30%，這是美國(guó)客戶需要考慮的問(wèn)題。據(jù)悉，該工廠將負(fù)責(zé)4nm生產(chǎn)，但這是第一階段的計(jì)劃，因?yàn)樵诘诙A段，臺(tái)積電計(jì)劃在2028年量產(chǎn)2nm，盡管目前這還有點(diǎn)不確定。按照
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臺(tái)積電美國(guó)晶圓廠4nm試產(chǎn)良率已與在臺(tái)工廠相近

  • 據(jù)彭博社援引消息稱，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州晶圓廠項(xiàng)目首座工廠4nm產(chǎn)線的試產(chǎn)良率已與臺(tái)積電位于臺(tái)灣地區(qū)的南科廠良率相近。臺(tái)積電在回應(yīng)彭博社報(bào)道的電子郵件中表示，其亞利桑那州項(xiàng)目“正在按計(jì)劃進(jìn)行，進(jìn)展良好”。根據(jù)此前的信息顯示，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月中旬完成了第一條生產(chǎn)線的架設(shè)，并開(kāi)始接電并投入基于4nm制程進(jìn)行工程測(cè)試晶圓的生產(chǎn)，而根據(jù)彭博社最新的報(bào)道來(lái)看，基于該生產(chǎn)線的第一批試產(chǎn)的4nm晶圓良率如果與南科廠良率相當(dāng)，那么表明其后續(xù)如果量產(chǎn)，良率將不是問(wèn)題。根據(jù)規(guī)劃，臺(tái)積電將在美國(guó)亞利
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高通入門(mén)級(jí)驍龍4s Gen2發(fā)布：三星4nm、主頻2.0GHz

  • 7月29日消息，高通正式發(fā)布了新款移動(dòng)平臺(tái)驍龍4s Gen 2，這款芯片定位于入門(mén)級(jí)市場(chǎng)，采用三星4nm工藝技術(shù)。CPU為八核心設(shè)計(jì)，包括2個(gè)最高可達(dá)2.0GHz的A78內(nèi)核和6個(gè)A55內(nèi)核，最高頻率為1.8GHz。這款芯片支持Wi-Fi 5、藍(lán)牙5.1、5G NR，以及最高8400萬(wàn)像素的照片拍攝和1080P 60P視頻錄制，同時(shí)兼容FHD+ 90Hz屏幕和最高2133MHz的LPDDR4X運(yùn)行內(nèi)存。與前代產(chǎn)品高通驍龍4 Gen 2相比，驍龍4s Gen 2的多項(xiàng)性能參數(shù)有所降低，例如CPU大核主頻從2
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4nm→2nm，三星或升級(jí)美國(guó)德州泰勒晶圓廠制程節(jié)點(diǎn)

  • 根據(jù)韓國(guó)媒體Etnews的報(bào)導(dǎo)，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設(shè)在美國(guó)德州泰勒市的晶圓廠制程技術(shù)，從原計(jì)劃的4納米改為2納米，以加強(qiáng)與臺(tái)積電美國(guó)廠和英特爾的競(jìng)爭(zhēng)。消息人士稱，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報(bào)導(dǎo)指出，三星的美國(guó)德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開(kāi)始興建，計(jì)劃于2024年底開(kāi)始分階段運(yùn)營(yíng)。以三星電子DS部門(mén)前負(fù)責(zé)人Lee Bong-hyun之前的說(shuō)法表示，到2024年底，我們將開(kāi)始從這里出貨4納米節(jié)點(diǎn)制程的產(chǎn)品。不過(guò)，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計(jì)劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，計(jì)劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域

  • IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當(dāng)?shù)貢r(shí)間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，回?fù)袅舜饲暗拿襟w傳聞。三星表示其 1.4nm 級(jí)工藝準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)可于 2027 年在性能和良率兩方面達(dá)到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過(guò)材料和結(jié)構(gòu)方面的創(chuàng)新，積極研究后 1.4nm 時(shí)代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù)，實(shí)現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認(rèn)，其仍計(jì)劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統(tǒng)的
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4nm介紹

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