4nm 文章 最新資訊
Intel 14A工藝至關(guān)重要!2025年之后穩(wěn)定領(lǐng)先
- 這幾年,Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝,希望以最快的速度反超臺(tái)積電,重奪領(lǐng)先地位,現(xiàn)在又重申了這一路線,尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝,在未來鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前,Intel正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo),Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。其中,Intel 3作為升級版,應(yīng)用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids,將在今年陸續(xù)發(fā)布,其中前者首次采用純E核設(shè)計(jì),最多288個(gè)。In
- 關(guān)鍵字: 英特爾 晶圓 芯片 先進(jìn)制程 1.4nm
三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn),有望基于 4nm 工藝
- 5 月 10 日消息,韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱,三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW(多項(xiàng)目晶圓)的方式進(jìn)行原型試產(chǎn),有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內(nèi)人士還表示,不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時(shí)間表:今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時(shí)三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬億韓元(當(dāng)前約 52.8 億元人民幣)的預(yù)訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工,但在 M
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臺(tái)積電計(jì)劃 2025 年推出 N4C 工藝,相比 N4P 成本最高降幅 8.5%
- IT之家 4 月 26 日消息,臺(tái)積電近日展示了全新 4nm 級別生產(chǎn)工藝 N4C,通過顯著降低成本和優(yōu)化設(shè)計(jì)能效,進(jìn)一步增強(qiáng) 5nm 級別生產(chǎn)工藝。臺(tái)積電公司近日舉辦了 2024 北美技術(shù)研討會(huì),IT之家翻譯該公司業(yè)務(wù)開發(fā)副總裁張凱文內(nèi)容如下:我們的 5nm 和 4nm 工藝周期還未結(jié)束,從 N5 到 N4,光學(xué)微縮密度改進(jìn)了 4%,而且我們會(huì)繼續(xù)增強(qiáng)晶體管性能。我們現(xiàn)在為 4nm 技術(shù)陣容引入 N4C 工藝,讓我們的客戶能夠消除一些掩模并改進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)單元和 SRAM 等原始 IP 設(shè)計(jì),以進(jìn)一步
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iPhone 17 Pro將首發(fā)!曝臺(tái)積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時(shí)間敲定
- 4月11日消息,根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈消息,臺(tái)積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進(jìn)展。據(jù)了解,臺(tái)積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時(shí)間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開始,而小規(guī)模量產(chǎn)將在2025年第二季度進(jìn)行。值得一提的是,臺(tái)積電在亞利桑那州的工廠也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年,臺(tái)積電將開始推進(jìn)1.4納米工藝節(jié)點(diǎn),這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況,臺(tái)積電最新的工藝制程很可能會(huì)由蘋果率先采用。按照臺(tái)積電的量產(chǎn)時(shí)間表,iPhone 17 Pro將成為首批
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消息稱臺(tái)積電 3nm 獨(dú)家代工高通驍龍 8 Gen 4,三星良率仍不理想
- IT之家 12 月 1 日消息,臺(tái)媒科技新報(bào)今日發(fā)布報(bào)告稱,高通的下一代旗艦 3nm 驍龍 8 Gen 4 處理器,仍然僅由臺(tái)積電代工,而非此前傳言的臺(tái)積電和三星雙代工模式。報(bào)告稱,根據(jù)最新的行業(yè)信息,由于三星對明年 3nm 產(chǎn)能的保守?cái)U(kuò)張計(jì)劃和良率不理想,高通已正式取消明年處理器使用三星的計(jì)劃。雙代工模式被推遲到 2025 年。去年 6 月底,三星開始大規(guī)模生產(chǎn)第一代 3nm GAA(SF3E)工藝,這標(biāo)志著三星首次將創(chuàng)新的 GAA 架構(gòu)用于晶體管技術(shù)。第二代 3nm 工藝 3GAP
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臺(tái)積電高雄廠已完成2nm營運(yùn)團(tuán)隊(duì)建設(shè),未來或切入1.4nm
- 據(jù)中國臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道,臺(tái)積電高雄廠正式編定為臺(tái)積22廠(Fab 22),并且完成該廠2nm營運(yùn)團(tuán)隊(duì)建設(shè)。臺(tái)積電供應(yīng)鏈認(rèn)為,臺(tái)積電或許可能將高達(dá)逾7000億新臺(tái)幣的1.4nm投資計(jì)劃轉(zhuǎn)向高雄,但仍視其他縣市爭取臺(tái)積電進(jìn)駐態(tài)度及臺(tái)積電全盤規(guī)劃而定。報(bào)道指出,臺(tái)積電打破在不同產(chǎn)區(qū)同時(shí)生產(chǎn)最先進(jìn)制程的慣例,將高雄廠原計(jì)劃切入28納米及7納米的規(guī)劃,改為直接切入2納米。同時(shí)在新竹寶山興建2納米第一期工廠之際,也立刻于高雄第一期工廠作為生產(chǎn)2納米制程。此前據(jù)TechNews消息,臺(tái)積電在北部(新竹寶山)、中部(臺(tái)中
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三星電子 4nm 工藝良率已提高至 75% 以上

- IT之家 7 月 12 日消息,三星電子 4 納米工藝的良率目前已經(jīng)超過 75%,這引發(fā)了人們對于三星擴(kuò)大半導(dǎo)體代工客戶的猜測。7 月 11 日,Hi Investment & Securities 研究員樸相佑在一份報(bào)告中表示:“三星電子近期成功地提高了 4nm 工藝的成品率”,并提高了“高通和英偉達(dá)再次合作的可能性”。此前,三星電子代工廠曾經(jīng)歷過產(chǎn)品上市延遲以及 10nm 以下工藝良率提升緩慢的情況,導(dǎo)致主要客戶紛紛轉(zhuǎn)向臺(tái)積電。結(jié)果,去年臺(tái)積電的資本支出和產(chǎn)能分別是三星電子代工業(yè)務(wù)的
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臺(tái)積電美國亞利桑那工廠 4nm 明年量產(chǎn),高通承諾將是首批客戶
- 3 月 19 日消息,據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道,臺(tái)積電美國亞利桑那州廠預(yù)計(jì) 2024 年量產(chǎn) 4nm,高通全球資深副總裁暨首席營運(yùn)長陳若文表示,高通將是臺(tái)積電美國廠 4nm 的首批客戶。高通于 3 月 17 日舉行新竹大樓落成啟用典禮,臺(tái)積電歐亞業(yè)務(wù)暨研究發(fā)展資深副總經(jīng)理侯永清出席致意,并參加高通舉辦的產(chǎn)業(yè)高峰會(huì),展現(xiàn)雙方的緊密關(guān)系。對于媒體關(guān)心高通是否評估在臺(tái)積電亞利桑那州廠投片生產(chǎn),陳若文說,高通很早就開始評估,高通會(huì)是臺(tái)積電美國廠 4nm 制程的首批客戶。去年 12 月,臺(tái)積電將其對去年底開始建設(shè)的亞
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臺(tái)積電拿下特斯拉4納米芯片訂單
- 業(yè)內(nèi)人士透露,臺(tái)積電在亞利桑那州的美國新工廠已獲得特斯拉的4納米芯片訂單,預(yù)計(jì)將于2024年開始量產(chǎn)。消息人士稱,當(dāng)臺(tái)積電亞利桑那工廠開始履行其先進(jìn)自動(dòng)駕駛芯片的訂單時(shí),特斯拉可能成為臺(tái)積電亞利桑那工廠的前3大客戶之一。特斯拉技術(shù)約領(lǐng)先競爭對手3~5年,先前與臺(tái)積電合作多時(shí),最后2019年特斯拉卻將自駕芯片Hardware 3.0交由三星14納米、7納米制程代工生產(chǎn)。但隨著AI運(yùn)算能力與安全性需求大增,三星因7納米以下制程良率與效能不佳,即使代工報(bào)價(jià)再便宜,特斯拉也不得不回頭與臺(tái)積電合作,業(yè)界盛傳Hard
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“中國芯片標(biāo)準(zhǔn)”發(fā)布第6天,國產(chǎn)4納米芯片傳來好消息,這太快了
- 想必大家也都感受到,似乎全球的各大經(jīng)濟(jì)體都在爭搶芯片資源,尤其是高端芯片資源,其中尤其以芯片制造最為矚目,例如像日韓美歐都在大力發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè),甚至一些亞洲的發(fā)展中國家也在芯片產(chǎn)業(yè)提供各種補(bǔ)貼,以期望在芯片產(chǎn)業(yè)中占有一席之地。但要想在芯片產(chǎn)業(yè)中有所作為,尤其是掌握一定的話語權(quán),關(guān)鍵是要在根技術(shù)上打好基礎(chǔ),而這個(gè)根技術(shù),就是制定相應(yīng)的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),美國芯片企業(yè)之所以得以在全球所向披靡,就是因?yàn)樵谛酒a(chǎn)業(yè)的早期,它們制定的企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)逐步成為了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),不僅提供授權(quán)可以獲得大量收益,還維護(hù)了其市場地位,可謂形成良性循環(huán)
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英特爾4nm芯片已準(zhǔn)備投產(chǎn):“IDM2.0”戰(zhàn)略能否重振昔日霸主?

- 據(jù)國外媒體報(bào)道,英特爾正在推進(jìn)4nm和3nm制程工藝量產(chǎn)。英特爾副總裁、技術(shù)開發(fā)主管Ann Kelleher在舊金山的一場新聞發(fā)布會(huì)上透露英特爾正在實(shí)現(xiàn)為公司重奪半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先地位而制定的所有目標(biāo)。同時(shí),Kelleher表示英特爾目前在大規(guī)模生產(chǎn)7nm芯片的同時(shí),還做好了生產(chǎn)4nm芯片的準(zhǔn)備,并將在2023年下半年準(zhǔn)備生產(chǎn)3nm芯片。7nm制程工藝大規(guī)模量產(chǎn),4nm制程工藝準(zhǔn)備開始量產(chǎn),明年下半年準(zhǔn)備轉(zhuǎn)向3nm制程工藝,也就意味著他們在先進(jìn)制程工藝的量產(chǎn)時(shí)間上,與臺(tái)積電和三星電子這兩大代工商的差距在縮小
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臺(tái)積電亞利桑那工廠將于2024年開始生產(chǎn)4納米芯片
- 12月1日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,據(jù)知情人士透露,在蘋果等美國客戶的推動(dòng)下,臺(tái)積電投資120億美元在亞利桑那州建設(shè)的新工廠將于2024年開始生產(chǎn)4納米芯片。據(jù)悉,該工廠于2020年5月15日宣布,2021年6月份開始動(dòng)工建設(shè),今年夏天封頂,計(jì)劃2024年開始量產(chǎn),規(guī)劃月產(chǎn)能為20000片晶圓。據(jù)報(bào)道,該工廠最初計(jì)劃從生產(chǎn)5納米芯片開始,但隨著蘋果和其他公司越來越多地尋求從美國采購零部件,臺(tái)積電已經(jīng)升級了計(jì)劃,以便該工廠能夠供應(yīng)更多尖端芯片。消息人士稱,臺(tái)積電預(yù)計(jì)將在下周二宣布新計(jì)劃。11月中旬,蘋果首席執(zhí)行
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三星4nm芯片仍未達(dá)標(biāo)?Galaxy S23或全系標(biāo)配驍龍8 Gen 2

- 據(jù)外媒報(bào)道,三星Galaxy S23系列手機(jī)將于2023年2月的首周正式推出。雖然三星通常在每年的2月底推出其名下的Galaxy S系列手機(jī)。但在今年推出Galaxy S22系列手機(jī)時(shí),卻提前了幾周發(fā)布。因此S23系列或許也會(huì)跟今年的S22系列一樣,在2月的首周推出。Galaxy S23或全系標(biāo)配驍龍8 Gen 2據(jù)消息人士最新透露,與此前曝光的消息基本一致,三星將在其即將推出的Galaxy S23系列旗艦將全系標(biāo)配高通驍龍8 Gen 2處理器。高通公司首席財(cái)務(wù)官的一份文件中,相關(guān)人士表示Galaxy S
- 關(guān)鍵字: 三星 4nm 芯片 Galaxy S23 驍龍
Intel“4nm EUV”工藝再下一城:x86之外也生產(chǎn)了RISC-V處理器
- Intel今年的13代酷睿處理器還會(huì)繼續(xù)使用Intel 7工藝,14代酷睿Meteor Lake則會(huì)升級到Intel 4工藝——這是Intel對標(biāo)友商4nm的工藝,而且首次使用EUV光刻技術(shù),今年下半年已經(jīng)試產(chǎn),其晶體管的每瓦性能將提高約20%。 Intel的4nm EUV工藝不僅會(huì)用于生產(chǎn)自家的x86處理器,同時(shí)還會(huì)用于旗下的IFS晶圓代工部門,也就是開放給其他廠商,最新消息稱4nm EUV工藝已經(jīng)為SiFive公司生產(chǎn)了代號(hào)Horse Creek處理器?! ‖F(xiàn)在這款處理器已經(jīng)從工廠回到了實(shí)驗(yàn)室,
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4nm介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對4nm的理解,并與今后在此搜索4nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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