HBM4爭霸戰(zhàn)開打 美光領(lǐng)跑

生成式AI持續(xù)爆發(fā)，推升高帶寬記憶體（HBM）需求急遽攀升。 全球三大內(nèi)存廠—美光、SK海力士與三星電子全面投入HBM4戰(zhàn)局，爭搶AI加速器內(nèi)存主導(dǎo)權(quán)。 其中，美光搶先宣布送樣，技術(shù)領(lǐng)先態(tài)勢明顯。

美光12日宣布，已將最新12層堆疊、容量達36GB的HBM4，送樣給多家全球客戶。 該產(chǎn)品采用先進的1β DRAM制程，搭配2048位寬高速接口，單堆疊傳輸速率突破2.0 TB/s，效能較前一代HBM3E提升超過60%，能源效率亦提升逾20%，預(yù)計2026年正式量產(chǎn)。

美光指出，HBM4具備內(nèi)存內(nèi)建自我測試（MBIST）功能，可大幅強化AI加速器的推論效能與反應(yīng)速度，協(xié)助加速AI在醫(yī)療、金融、交通等領(lǐng)域的應(yīng)用部署，為下一代AI平臺提供無縫整合解決方案。

在競爭態(tài)勢方面，SK海力士仍穩(wěn)居全球HBM市占率龍頭。 其HBM4目前正處于驗證階段，預(yù)計2025年底完成樣品交付，并且于2026年初投入量產(chǎn)。 SK海力士目前為英偉達（NVIDIA）主要存儲器供應(yīng)商，并且擴建M16封裝產(chǎn)線，以鞏固在HBM市場的主導(dǎo)地位。

三星電子亦不落人后，透過整合旗下晶圓代工與先進封裝（SAINT）技術(shù)，推動HBM4與SoC深度整合，目前已提供HBM4工程樣品予部分合作伙伴，并預(yù)定于2026年展開量產(chǎn)。 業(yè)界認為，三星的垂直整合策略，將成為挑戰(zhàn)現(xiàn)有市場格局的重要變量。

雖然HBM核心技術(shù)掌握在美、韓大廠手中，但中國臺灣供應(yīng)鏈在封裝、測試、載板與半導(dǎo)體IP等領(lǐng)域，扮演不可或缺的角色。

目前臺積電提供CoWoS、SoIC等先進封裝技術(shù)，支持HBM與AI芯片的高效整合; 日月光、矽品與力成則承擔(dān)中后段封裝與測試任務(wù)，有助提升良率與產(chǎn)能。

載板三雄欣興、南電與景碩提供HBM4所需的高階ABF載板，支撐高速傳輸與高密度堆疊結(jié)構(gòu)。 此外，力旺、智原、創(chuàng)意等中國臺灣半導(dǎo)體IP設(shè)計業(yè)者，亦可能因應(yīng)HBM與AI SoC整合需求上升而受惠。

業(yè)者認為，HBM4已成為下一世代AI運算架構(gòu)的核心記憶體，中國臺灣供應(yīng)鏈企業(yè)站穩(wěn)全球價值鏈中樞，勢將隨著HBM4與AI加速器的快速成長，迎來新一波產(chǎn)業(yè)升級與技術(shù)黃金期。