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三星、美光大動作，擴產(chǎn)HBM

  • 存儲市場消費電子應用疲軟的環(huán)境下，HBM成為發(fā)展新動能，備受大廠重視。近期，三星、美光傳出將擴產(chǎn)HBM的消息。大廠積極布局HBM近期，媒體報道三星為了擴大HBM產(chǎn)能，已收購三星顯示（Samsung Display）韓國天安廠區(qū)內(nèi)部分建筑及設備，用于HBM生產(chǎn)。據(jù)悉，三星計劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規(guī)模生產(chǎn)HBM，該公司已花費105億韓元購買上述建筑和設備等，預計追加投資7000億-1萬億韓元。 此前，據(jù)三星電子副社長、DRAM產(chǎn)品與技術(shù)團隊負責人黃尚俊透露，三星已開發(fā)出9.8Gbps的H
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HBM 的未來是光速 - 集成光子學的未來設計

  • HBM 的未來不僅是光明的：它還具有光速、超帶寬和超低功耗。 在今年的開放計算項目 (OCP) 全球峰會上，三星先進封裝團隊 Yan Li 向我們展示了一個比我們想象的更加集成的未來：隨著高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的進一步發(fā)展，熱和晶體管密度問題可能會得到解決。 通過光子學來解決。 光子學基于一種可以對單個光子（光的粒子/波）信息進行編碼的技術(shù)，這意味著它改善了（幾乎）我們當前計算環(huán)境中我們關(guān)心的一切。 功耗大幅降低（發(fā)射的是光粒子而不是電子流），處理速度也得到提高（延遲達到飛秒級，傳播速度接近光
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三星、美光計劃擴大HBM產(chǎn)能

  • 在消費級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)已成為新的驅(qū)動力，最新報告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴張HBM DRAM 。三星耗資105億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設備，以擴大HBM產(chǎn)能。三星還計劃再投資7000億至1萬億韓元，用于新建新的封裝線。此前報道，三星副總裁兼DRAM產(chǎn)品和技術(shù)團隊負責人Hwang Sang-jun先生透露，三星已開發(fā)出速度為9.8Gbps的HBM3E，并計劃開始向客戶提供樣品。同時，三星還正在開發(fā)HBM4的各種技術(shù)，包括針對高溫熱特性和混合鍵
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抓住 AI 大趨勢，三星、美光積極籌備 HBM 擴建計劃

  • IT之家 11 月 8 日消息，在消費級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)已成為新的驅(qū)動力，最新報告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴張 HBM DRAM。圖源：三星最新報道稱三星電子耗資 105 億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設備，以擴大 HBM 產(chǎn)能。三星電子還計劃再投資 7000 億至 1 萬億韓元，用于新建新的封裝線。IT之家此前報道，三星電子副總裁兼 DRAM 產(chǎn)品和技術(shù)團隊負責人 Hwang Sang-jun 先生透露，三星已開發(fā)出速度為 9.8Gbp
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HBM：高帶寬內(nèi)存吸引各大科技巨頭搶購的“魔力”到底是什么？

  • 由于各大企業(yè)對布局AI領域的興趣激增，同時，SK海力士在用于生成式AI領域的高帶寬存儲器（HBM）DRAM方面處于市場領先地位，其二季度用于AI領域的高性能DRAM銷售增長強勁，對高端DRAM的需求增長了一倍多。繼英偉達之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3，包括AMD、微軟和亞馬遜等等。
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大模型市場，不止帶火HBM

  • 近日，HBM 成為芯片行業(yè)的火熱話題。據(jù) TrendForce 預測，2023 年高帶寬內(nèi)存（HBM）比特量預計將達到 2.9 億 GB，同比增長約 60%，2024 年預計將進一步增長 30%。2008 年被 AMD 提出的 HBM 內(nèi)存概念，在 2013 年被 SK 海力士通過 TSV 技術(shù)得以實現(xiàn)，問世 10 年后 HBM 似乎真的來到了大規(guī)模商業(yè)化的時代。HBM 的概念的起飛與 AIGC 的火爆有直接關(guān)系。AI 服務器對帶寬提出了更高的要求，與 DDR SDRAM 相比，HBM 具有更高的帶寬和更
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AI及HPC需求帶動對HBM需求容量將年增近60%

  • 為解決高速運算下，存儲器傳輸速率受限于DDR SDRAM帶寬而無法同步成長的問題，高帶寬存儲器（High Bandwidth Memory，HBM）應運而生，其革命性傳輸效率是讓核心運算元件充分發(fā)揮效能的關(guān)鍵。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，目前高端AI服務器GPU搭載HBM已成主流，預估2023年全球HBM需求量將年增近六成，來到2.9億GB ，2024年將再成長三成。TrendForce集邦咨詢預估到2025年，全球若以等同ChatGPT的超大型AIGC產(chǎn)品5款、Midjourney的
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三星將于今年下半年開始批量生產(chǎn)HBM芯片

  • AI服務器需求，帶動HBM提升，繼HanmiSemiconductor之后，又有一存儲大廠在加速HBM布局。據(jù)韓媒《TheKoreaTimes》6月27日報道，三星電子將于今年下半年開始批量生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片，以滿足持續(xù)增長的人工智能（AI）市場。根據(jù)報道，三星將量產(chǎn)16GB、24GB的HBM3存儲芯片，這些產(chǎn)品數(shù)據(jù)處理速度可達到6.4Gbps，有助于提高服務器的學習計算速度。三星執(zhí)行副總裁Kim Jae-joon在4月份的電話會議上表示，該公司計劃在今年下半年推出下一代HBM3P產(chǎn)品，以滿
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AI大勢！GPU訂單排到明年、HBM與先進封裝需求大漲

  • 2023年ChatGPT引發(fā)的AI熱潮仍在繼續(xù)，近期媒體報道，今年擁有云端相關(guān)業(yè)務的企業(yè)，大多都向英偉達采購了大量GPU，目前該公司訂單已排至2024年。同時，由于英偉達大量急單涌入，晶圓代工企業(yè)臺積電也從中受益。據(jù)悉，英偉達正向臺積電緊急追單，這也令臺積電5納米制程產(chǎn)能利用率推高至接近滿載。臺積電正以超級急件（superhotrun）生產(chǎn)英偉達H100、A100等產(chǎn)品，而且訂單排至年底。業(yè)界認為，隨著ChatGPT等AIGC（生成式人工智能）快速發(fā)展，未來市場對GPU的需求將不斷上升，并將帶動HBM以及
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英特爾至強CPU Max系列：整合高帶寬內(nèi)存（HBM）和至強處理器內(nèi)核

  • 治療癌癥、減緩全球變暖、保護生態(tài)健康——當今世界充滿了各種挑戰(zhàn)。因此，通過科技緊跟時代發(fā)展步伐，并充分利用不斷增長的數(shù)據(jù)至關(guān)重要。這不僅涉及數(shù)據(jù)的處理速度，也涉及能夠處理的海量數(shù)據(jù)，以及數(shù)據(jù)在內(nèi)存和處理器之間的傳輸速度。 英特爾設計工程部首席工程師、英特爾?至強? CPU Max系列（代號Sapphire Rapids HBM）首席架構(gòu)師Ugonna Echeruo如此描述這一挑戰(zhàn)：究其根本，一顆CPU是從內(nèi)存獲取信息、對其進行處理并更新。CPU最終可以處理的信息量受限于數(shù)據(jù)傳輸“管道”的寬窄。
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AI服務器需求帶動HBM供應

  • AI服務器出貨動能強勁帶動HBM（high bandwidth memory）需求提升，據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士（SK hynix）50%、三星（Samsung）約40%、美光（Micron）約10%。此外，高階深度學習AI GPU的規(guī)格也刺激HBM產(chǎn)品更迭，2023下半年伴隨NVIDIA H100與AMD MI300的搭載，三大原廠也已規(guī)劃相對應規(guī)格HBM3的量產(chǎn)。因此，在今年將有更多客戶導入HBM3的預期下，SK海力士作為目
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速度優(yōu)勢是HBM產(chǎn)品成功的關(guān)鍵

  • 高帶寬存儲器（HBM, High Bandwidth Memory）是一種可以實現(xiàn)高帶寬的高附加值DRAM產(chǎn)品，適用于超級計算機、AI加速器等對性能要求較高的計算系統(tǒng)。隨著計算技術(shù)的發(fā)展，機器學習的應用日漸廣泛，而機器學習的基礎是自20世紀80年代以來一直作為研究熱點的神經(jīng)網(wǎng)絡模型。作為速度最快的DRAM產(chǎn)品，HBM在克服計算技術(shù)的局限性方面發(fā)揮著關(guān)鍵的作用。HBM的高帶寬離不開各種基礎技術(shù)和先進設計工藝的支持。由于HBM是在3D結(jié)構(gòu)中將一個邏輯die與4-16個DRAM die堆疊在一起，因此開發(fā)過
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漢高電子材料攜創(chuàng)新解決方案亮相SEMICON China 2020

  • 2020年6月28日，半導體和電子行業(yè)的年度盛會SEMICON China在上海隆重舉行。全球粘合劑市場的領先者漢高再次亮相此次展會，粘合劑技術(shù)電子材料業(yè)務在展會期間全方位展示了應用于先進封裝、存儲器和攝像頭模組等領域的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案。先進封裝目前，全球半導體產(chǎn)業(yè)正處于一段轉(zhuǎn)折期，數(shù)據(jù)爆炸性增長推動了以數(shù)據(jù)為中心的服務器、客戶端、移動和邊緣計算等架構(gòu)對高性能計算的需求，對5G部署、手持設備封裝中小型化和集成的持續(xù)需求，這些趨勢推動了先進封裝逐步進入成熟期。當前半導體和封裝技術(shù)快速發(fā)展，對于芯片與電子產(chǎn)
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三星主攻HBM、英特爾集中eDRAM 跳脫存儲器頻寬限制

  • 　　挹注次世代存儲器半導體技術(shù)研發(fā)投資的三星電子(Samsung Electronics)和英特爾(Intel)為打破存儲器業(yè)界最大議題頻寬(bandwith)的上限，正各自尋找解決方法。三星專注于研發(fā)高頻寬存儲器(HBM)和次世代SRAM技術(shù)，英特爾則正在研發(fā)嵌入式DRAM(eDRAM)。 　　據(jù)Digital Times報導，英特爾預計2017年推出的次世代芯片Kaby Lake，將采用14納米FinFET制程，搭載較Skylake容量增加2倍的256MB的eDRAM。eDRAM不同于一般DRAM，
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NV使用HBM芯片或由海力士和三星共同提供

  • 　　除了在存儲市場上作為老牌廠商的SK海力士之后，韓系的另外一個存儲巨頭的三星也進入了HBM存儲芯片市場，并且開始在2016年第一季度開始大規(guī)模生產(chǎn)。而有消息稱SK海力士以及三星將為NVIDIA的帕斯卡系列GPU生產(chǎn)第二代HBM芯片。 　　   　　   　　業(yè)內(nèi)人士指出，無論是三星電子還是SK海力士都正在計劃為NVIDIA下一代圖形顯卡帕斯卡生產(chǎn)第二代高帶寬顯存芯片，而實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)的時間預計在2016年的第一季度，但在這之前的試產(chǎn)以及生產(chǎn)的可靠性測試已經(jīng)由SK海力
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