內存文章最新資訊

AI和數(shù)據(jù)中心需求激增，美光確認內存價格上漲

美光已確認其提高內存價格的計劃，理由是未來幾年對 DRAM 和 NAND 閃存的需求強勁。該公司的最新公告表明，隨著供應限制以及人工智能、數(shù)據(jù)中心和消費電子產(chǎn)品的需求增長推高了成本，價格將在 2025 年和 2026 年繼續(xù)上漲。價格上漲之際，內存市場正從供應過剩和收入下降的時期反彈。在過去的一年里，由于主要供應商的減產(chǎn)以及對高性能計算和 AI 工作負載的需求增加，DRAM 和 NAND 閃存的價格穩(wěn)步回升。隨著美光確認有意提高價格，三星和 SK 海力士等其他內存制造商預計將效仿，進一步鞏固價格上漲趨勢。
關鍵字： AI 數(shù)據(jù)中心美光內存

帶你探索面向AI邊緣應用的創(chuàng)新內存解決方案與設計

專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?與Micron合作推出了全新電子書，探討內存在AI邊緣應用中的重要性，以及有效部署邊緣人工智能?(AI)?的關鍵設計考慮因素。Micron是創(chuàng)新內存和存儲解決方案的行業(yè)知名企業(yè)，在邊緣計算、數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡連接和移動等關鍵市場領域，為AI、機器學習和自動駕駛汽車的發(fā)展提供支持。在《5 Experts On Addressing The Hidden Challe
關鍵字： AI邊緣內存貿(mào)澤

下一代HBM4、HBM4E內存沖擊單顆64GB！中國已追到HBM2

3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未來三代AI服務器，不但規(guī)格、性能越來越強，HBM內存也是同步升級，容量、頻率、帶寬都穩(wěn)步前進。其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年發(fā)布，繼續(xù)采用HBM3E內存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升級為下一代HBM4內存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576繼續(xù)升級為加強版HBM4E內存；而到了2028年的Feynman全新架構有望首次采用HBM5內存。與此同時，SK海力士、三星、美光三大原廠也紛紛展示
關鍵字： HBM 內存

Intel傲騰死了中國非易失性存儲重大突破！容量128Gb

2月24日消息，Intel放棄了廣為看好的傲騰存儲業(yè)務，與之合作的美光也結束了3DX Point存儲技術的研發(fā)，但是來自中國的新存科技，卻在非易失性存儲方面取得了重大突破，無論容量還是性能都是一流水準。新存科技2022年7月成立于武漢，是一家專注于新型存儲芯片研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高科技企業(yè)，主要產(chǎn)品包括阻變存儲、相變存儲、鐵電存儲、磁阻存儲，目前員工約200人，其中約90％為研發(fā)人員，碩士及以上學歷占比77％。去年9月，新存科技發(fā)布了中國首款最大容量新型存儲芯片“NM101”，現(xiàn)在又宣布了非易失性新型存儲芯
關鍵字：英特爾傲騰內存非易失性存儲新存科技

英偉達被曝研發(fā) SOCAMM 內存：694 個 I/O 端口突破 AI 計算瓶頸

2 月 18 日消息，科技媒體 WccFTech 昨日（2 月 17 日）發(fā)布博文，報道稱英偉達正積極研發(fā)名為“SOCAMM”的全新內存模塊，主要用于 Project DIGITS 等個人 AI 超級計算機，可在性能方面帶來巨大飛躍。該模塊不僅體積小巧，而且功耗更低，性能更強，有望成為內存市場的新增長點。目前正與三星電子、SK 海力士和美光等內存廠商進行 SOCAMM 原型機的性能測試，預計最快將于今年年底實現(xiàn)量產(chǎn)。援引博文介紹，SOCAMM 擁有最多 694 個 I/O 端口，遠超 PC DRAM 和
關鍵字：英偉達 SOCAMM 內存 AI 計算

新一代HBM來了！NVIDIA主導開發(fā)新型內存標準SOCAMM：可拆卸升級成人中指大小

2月17日消息，據(jù)BK最新報道，NVIDIA正與包括三星電子、SK海力士在內的主要內存半導體公司進行秘密談判，合作開發(fā)新型內存標準SOCAMM，并推動其商業(yè)化。16日，業(yè)內人士證實了這一消息。此舉標志著內存半導體領域的重大轉轉變，對B2B服務器市場和蓬勃發(fā)展的設備端AI領域都有潛在影響。據(jù)悉，SOCAMM被譽為新一代HBM（高帶寬存儲器），是系統(tǒng)級芯片高級內存模塊的縮寫，這是一種尖端的DRAM內存模塊，可極大增強個人AI超級計算機的性能。與小型PC和筆記本電腦中使用的現(xiàn)有DRAM模塊相比，SOCAMM的性
關鍵字：英偉達內存 HBM

通過 SDRAM 調整提升樹莓派的性能

樹莓派工程師調整了 Pi 的 SDRAM 時序和其他內存設置，在默認的 2.4 GHz 時鐘下實現(xiàn)了 10-20%的速度提升。我當然要測試超頻，這讓我在 3.2 GHz 時獲得了 32% 的速度提升！這些更改可能很快就會在所有 Pi 5 和 Pi 4 用戶的固件更新中推出。樹莓派的工程師們正在進一步調整內存時序，他們與美光公司進行了溝通，并實施了一系列小的調整，這些調整——連同 NUMA 模擬——真正為多核工作負載帶來了性能提升。甚至對單核也有小小的改進！SDRAM 刷新間隔目前使用默認數(shù)據(jù)表設置。實際上
關鍵字：樹莓派 SDRAM 時序內存

?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內存，美光成為首要供應商

三星Galaxy S25系列可能會選擇美光作為第一內存供應商，而非自家的產(chǎn)品。這一決定標志著三星在旗艦智能手機中首次沒有優(yōu)先使用自家的內存解決方案，這也讓外界對三星內存技術的競爭力產(chǎn)生了質疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機中的第二內存供應商，這次卻打敗三星成為了第一供應商，似乎折射出內部部門競爭的微妙行情。2024年9月就有報道指出因良率問題，三星DS（設備解決方案）部門未能按時足量向三星MX（移動體驗）部門交付Galaxy S25系列手機開發(fā)所需的LPDDR5X內存樣品，導致MX部門的手
關鍵字： ?三星 Galaxy S25 內存美光 DRAM LPDDR5X

LPDDR6標準即將敲定：適應AI計算新需求

隨著人工智能技術的廣泛應用，移動產(chǎn)品對內存性能的需求日益增長，尤其需要相較LPDDR5X更為高效的數(shù)據(jù)處理能力以支撐端側AI模型的運行。一直懸而未決的LPDDR6標準也進入最終的敲定期，預計到2025年下半年我們有望看到采用新一代LPDDR6的產(chǎn)品上市。此前有報道稱，高通第四代驍龍8平臺將支持LPDDR6，以進一步提升定制Oryon內核的性能。LPDDR6帶來了哪些變化？目前，LPDDR最新的主流版本是LPDDR5（6.4Gbps），于2019年2月發(fā)布。之后，業(yè)界又陸續(xù)發(fā)布了小幅更新、改進版的LPDDR
關鍵字： LPDDR6 AI 內存 CAMM2

英偉達展望未來 AI 加速器：集成硅光子 I/O，3D 垂直堆疊 DRAM 內存

12 月 10 日消息，2024 IEEE IEDM 國際電子設備會議目前正在美國加州舊金山舉行。據(jù)分析師 Ian Cutress 的 X 平臺動態(tài)，英偉達在本次學術會議上分享了有關未來 AI 加速器的構想。英偉達認為未來整個 AI 加速器復合體將位于大面積先進封裝基板之上，采用垂直供電，集成硅光子 I/O 器件，GPU 采用多模塊設計，3D 垂直堆疊 DRAM 內存，并在模塊內直接整合冷板。IT之家注：Ian Cutress 還提到了硅光子中介層，但相關內容不在其分享的圖片中。在英偉達給出的模型中，每個
關鍵字：英偉達硅光子內存

SK 海力士新設 AI 芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門，任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官

12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構優(yōu)化。本次調整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責任與權限，業(yè)務單元被劃分為包括 AI 基礎設施（CMO）、未來技術研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產(chǎn)（CPO）在內的五大部門。據(jù)介紹，新設的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內存等
關鍵字： SK海力士內存 NAND

消息稱三星和 SK 海力士達成合作，聯(lián)手推動 LPDDR6-PIM 內存

12 月 3 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 昨日報道，三星電子和 SK 海力士正在合作標準化 LPDDR6-PIM 內存產(chǎn)品。該合作伙伴關系旨在加快專門用于人工智能（AI）的低功耗存儲器標準化。報道提到，兩家公司已經(jīng)確定，有必要建立聯(lián)盟，以使下一代存儲器符合這一趨勢。報道還稱，三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段，正在進行向聯(lián)合電子設備工程委員會（JEDEC）注冊標準化的初步工作。目前正在討論每一個需要標準化項目的適當規(guī)格。▲ 圖源三星PIM 內存技術是一種將存儲和計
關鍵字：三星電子 SK 海力士內存

老對頭三星、SK海力士結盟！聯(lián)手推動LPDDR6-PIM內存

12月2日消息，據(jù)韓國媒體報道，在全球內存市場上長期競爭的三星電子和SK海力士，近日出人意料地結成聯(lián)盟，共同推動LPDDR6-PIM內存的標準化。這也意味著兩家公司在面對AI內存技術商業(yè)化的共同挑戰(zhàn)時，愿意擱置競爭，共同推動行業(yè)標準的制定。雙方合作旨在加速專為人工智能優(yōu)化的低功耗內存技術的標準化進程，以適應設備內AI技術的發(fā)展。隨著設備內AI技術的興起，PIM內存技術越來越受到重視。PIM技術通過將存儲和計算結合，直接在存儲單元進行計算，有效解決了傳統(tǒng)芯片在運行AI算法時的“存儲墻”和“功耗墻
關鍵字：三星 SK海力士內存 LPDDR6

SK 海力士介紹全球首款 16-High HBM3E 內存，明年初出樣

11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內存。該產(chǎn)品可實現(xiàn) 48GB 的單堆棧容量，預計明年初出樣。雖然一般認為 16 層堆疊 HBM 內存直到下一世代 HBM4 才會正式商用，但參考內存領域 IP 企業(yè) Rambus 的文章，HBM3E 也有擴展到 16 層的潛力。此外注意到，SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學術會議準備的論文中也提到了可實現(xiàn) 1280G
關鍵字： SK海力士內存 HBM3E

芝奇與華碩突破 DDR5-12112 內存頻率超頻世界紀錄

10 月 30 日消息，芝奇國際今日宣布再度刷新內存頻率超頻世界紀錄，由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績，通過液態(tài)氮極限超頻技術，創(chuàng)下 DDR5-12112 的超頻紀錄。該紀錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內存，搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下：此成績已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
關鍵字：芝奇內存 DDR5

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內存介紹

【內存簡介】　　在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存，港臺稱之為記憶體）。　　內存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細 ]