三星文章最新資訊

三星已獲得蘋果 2026 折疊手機(jī)的獨(dú)家 OLED 面板訂單

隨著三星推出最新的折疊手機(jī)——Galaxy Z Flip7 和 Z Fold7，人們的目光現(xiàn)在轉(zhuǎn)向了蘋果的第一款折疊手機(jī)。據(jù)報(bào)道，三星顯示部門已獲得一份多年獨(dú)家合同，為該設(shè)備供應(yīng)折疊 OLED 面板，該設(shè)備定于 2026 年推出，信息來(lái)源為 ETNews。報(bào)道稱，三星顯示正在其位于忠清南道安山市 A3 工廠建設(shè)一條專用生產(chǎn)線，以獨(dú)家供應(yīng)蘋果的折疊屏 OLED 面板。該項(xiàng)目于 2024 年末開始，據(jù) ETNews 報(bào)道，現(xiàn)已接近完成。據(jù) ETNews 報(bào)道，蘋果計(jì)劃在 2026 年推出年產(chǎn)量為 6
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Cadence 將擴(kuò)大與三星晶圓廠的合作

7 月 8 日，Cadence通過其微信公眾號(hào)正式宣布，這家美國(guó)公司最近決定擴(kuò)大與三星晶圓廠的合作。雙方已簽署一項(xiàng)新的多年 IP 協(xié)議，以擴(kuò)展Cadence?存儲(chǔ)器和接口 IP 解決方案在三星晶圓廠先進(jìn) SF4X、SF5A 和 SF2P 工藝節(jié)點(diǎn)的部署。這些解決方案將支持人工智能數(shù)據(jù)中心、汽車系統(tǒng)和下一代射頻連接的高性能、低功耗應(yīng)用。通過結(jié)合Cadence的 AI 驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和硅解決方案與三星的先進(jìn)制造技術(shù)，這項(xiàng)合作旨在加速基于三星領(lǐng)先節(jié)點(diǎn)的尖端系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）、芯片和 3D-IC 產(chǎn)品的上市時(shí)間（TT
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三星第二季度利潤(rùn)據(jù)報(bào)道降至六年來(lái)最低；下半年復(fù)蘇面臨關(guān)稅挑戰(zhàn)

三星在 HBM3E 驗(yàn)證方面與英偉達(dá)的持續(xù)問題繼續(xù)影響其業(yè)績(jī)，對(duì)其第二季度結(jié)果沒有提振作用。根據(jù) Yonhap 和朝鮮日?qǐng)?bào) 的報(bào)道，三星第二季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)暴跌近 56% 至 46 萬(wàn)億韓元——遠(yuǎn)低于分析師預(yù)期的 60 萬(wàn)億韓元。路透社指出，這是三星六季度以來(lái)最弱的季度利潤(rùn)。盡管預(yù)計(jì)下半年會(huì)出現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)，但 Techstrong.IT 的報(bào)告引用分析師警告稱，特朗普剛剛宣布的對(duì)日本和韓國(guó)的 25% 關(guān)稅可能會(huì)對(duì)索尼和三星等公司產(chǎn)
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臺(tái)積電加快了對(duì)亞利桑那州芯片綜合體的投資，因?yàn)槿峭七t了德克薩斯州的晶圓廠

根據(jù)兩份新報(bào)告，臺(tái)積電和三星電子正在將其在美國(guó)的晶圓廠業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)向不同的方向。《華爾街日?qǐng)?bào)》今天援引消息人士的話說，臺(tái)積電正在加速對(duì)其亞利桑那州晶圓廠的投資。與此同時(shí)，據(jù)報(bào)道，三星正在推遲德克薩斯州一家芯片工廠的竣工。兩家公司的建設(shè)項(xiàng)目預(yù)計(jì)耗資超過 1800 億美元。據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電正在放慢在日本的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目，以便為其在亞利桑那州的加速投資計(jì)劃提供更多資源。后一項(xiàng)計(jì)劃將使該公司在鳳凰城附近建造一個(gè)龐大的制造中心，該中心將容納九個(gè)不同的設(shè)施。該中心預(yù)計(jì)將滿負(fù)荷雇用 6,000 名專業(yè)
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據(jù)報(bào)道三星押注4-7納米工藝，價(jià)格比臺(tái)積電高出30%，瞄準(zhǔn)中國(guó)尚未進(jìn)入的市場(chǎng)

雖然英特爾已從 18A 轉(zhuǎn)向 14A 進(jìn)行戰(zhàn)略權(quán)衡，據(jù)報(bào)道三星通過優(yōu)先考慮 2 納米和 4 納米而不是 1.4 納米做出了妥協(xié)，根據(jù) ZDNet。同時(shí)，Chosun Biz 透露，這家陷入困境的半導(dǎo)體巨頭還計(jì)劃通過將這些節(jié)點(diǎn)的價(jià)格定價(jià)比臺(tái)積電低約 30%來(lái)提高 7 納米以下工藝的需求——這仍然是中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手無(wú)法企及的領(lǐng)域。Chosun Biz 報(bào)道稱，三星的 4 納米工藝旨在通過 SF4U 提升約 20%的能效來(lái)贏得訂單。據(jù)三星稱，SF4U 是一款高端 4 納米變體，采用光學(xué)縮小技術(shù)來(lái)
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三星押注4-7納米工藝，與臺(tái)積電相比有30%價(jià)格差距

根據(jù) ZDNet 的數(shù)據(jù)，雖然英特爾已將重點(diǎn)從 14A 轉(zhuǎn)移到 18A，但據(jù)報(bào)道，三星通過優(yōu)先考慮 2nm 和 4nm 而不是 1.4nm 做出了妥協(xié)。與此同時(shí)，Chosun Biz 透露，這家陷入困境的半導(dǎo)體巨頭還計(jì)劃通過使節(jié)點(diǎn)定價(jià)比臺(tái)積電低約 30% 來(lái)增加對(duì) 7nm 以下工藝的需求——中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手仍然無(wú)法企及。Chosun Biz 表示，對(duì)于其 4nm 工藝，三星的目標(biāo)是通過 SF4U 將能效提高約 20% 來(lái)贏得訂單。據(jù)三星稱，SF4U 是一種優(yōu)質(zhì)的 4nm 變體，使
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AI驅(qū)動(dòng)內(nèi)存革新臺(tái)積電與三星引領(lǐng)存儲(chǔ)技術(shù)搶攻萬(wàn)億商機(jī)

全球新興記憶體與儲(chǔ)存技術(shù)市場(chǎng)正快速擴(kuò)張，而臺(tái)積電、三星、美光、英特爾等半導(dǎo)體巨頭正與專業(yè)IP供應(yīng)商合作，積極推動(dòng)先進(jìn)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案的商業(yè)化。過去兩年，相變內(nèi)存（PCM）、電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（RRAM）和自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻式隨憶式內(nèi)存（STT-MRAM）已從實(shí)驗(yàn)室走向次22納米節(jié)點(diǎn)的試產(chǎn)階段，并運(yùn)用3D堆疊技術(shù)實(shí)現(xiàn)高密度，以解決傳統(tǒng)DRAM和NAND閃存在延遲、耐用性和能源效率方面的限制。在臺(tái)積電、三星、美光、英特爾等業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者的合作下，每年超過50億美元的研發(fā)投入加速新材料與制程的成熟。這
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晶圓代工復(fù)蘇勢(shì)頭強(qiáng)勁三星接近與高通2nm合作

根據(jù)韓國(guó)媒體 Business Post 的報(bào)道，三星電子似乎接近確保高通成為其下一代 2nm 代工工藝的第一個(gè)主要客戶。這一發(fā)展可能標(biāo)志著三星朝著重振苦苦掙扎的合同芯片制造業(yè)務(wù)邁出了重要一步，該業(yè)務(wù)一直面臨持續(xù)的良率問題，并失去了臺(tái)積電的關(guān)鍵客戶。據(jù)報(bào)道，高通正在使用三星的 2nm 技術(shù)對(duì)多款芯片進(jìn)行量產(chǎn)測(cè)試，包括其即將推出的 Snapdragon 8 Elite 2 移動(dòng)處理器的高級(jí)版本。這款代號(hào)為“Kaanapali”的芯片將有兩種變體?；景姹绢A(yù)計(jì)將由臺(tái)積電使用其 3nm 工藝
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高通驍龍新旗艦芯片將采用三星2nm代工，專供三星Galaxy系列

據(jù)外媒Business Post報(bào)道，三星計(jì)劃在2026年推出的Galaxy S26系列旗艦智能手機(jī)，除了搭載基于自家2nm制程代工的Exynos 2600芯片外，還將采用高通新一代驍龍8系列旗艦芯片，可能命名為Snapdragon 8 Elite Gen 2。值得注意的是，這款高通芯片將不再由臺(tái)積電獨(dú)家使用N3P制程代工，而是部分交由三星2nm制程代工，專為三星Galaxy系列設(shè)備定制。報(bào)道顯示，高通的下一代芯片策略將有重大調(diào)整，計(jì)劃為新一代驍龍旗艦手機(jī)芯片開發(fā)兩個(gè)版本。一個(gè)版本采用臺(tái)積電3nm制程，供
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三星接近與高通達(dá)成2納米代工協(xié)議，隨著晶圓代工業(yè)務(wù)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)

根據(jù)韓國(guó)媒體 Business Post 的報(bào)道，三星電子似乎即將獲得高通作為其下一代 2 納米晶圓代工工藝的首個(gè)主要客戶。這一發(fā)展可能標(biāo)志著三星苦苦掙扎的合同芯片制造業(yè)務(wù)復(fù)蘇的重要一步，該業(yè)務(wù)一直面臨持續(xù)的良率問題和關(guān)鍵客戶流失給臺(tái)積電的情況。據(jù)報(bào)道，高通正在使用三星的 2 納米技術(shù)對(duì)數(shù)款芯片進(jìn)行大規(guī)模量產(chǎn)測(cè)試，包括其即將推出的高端版驍龍 8 Elite 2 移動(dòng)處理器。這款芯片的代號(hào)為“Kaanapali”，將提供兩種變體。基礎(chǔ)版本預(yù)計(jì)將由臺(tái)積電使用其 3 納米工藝生產(chǎn)，而高端版“Kaanapali
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晶圓代工格局生變：中芯國(guó)際緊追三星

在全球芯片代工市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，格局正發(fā)生深刻變化。雖然臺(tái)積電一直保持著其主導(dǎo)地位，但曾經(jīng)穩(wěn)居第二的三星電子如今面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，中芯國(guó)際展現(xiàn)出強(qiáng)勁勢(shì)頭正在追趕這家韓國(guó)巨頭。調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce發(fā)布的報(bào)告顯示，2025年第一季度，全球前十大晶圓代工廠中，臺(tái)積電憑借先進(jìn)制程導(dǎo)入速度和良率控制方面的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，以67.6%的份額穩(wěn)居榜首。值得注意的是，中芯國(guó)際正以驚人的速度追趕三星電子，其市場(chǎng)份額已攀升至6%并持續(xù)增長(zhǎng)，而三星電子的市場(chǎng)份額已降至7.7%。第四名至第十名分別為聯(lián)電 (UMC)、格芯 (Glo
關(guān)鍵字：晶圓代工中芯國(guó)際三星臺(tái)積電華虹集團(tuán) 合肥晶合

三星優(yōu)先考慮2nm/4nm改進(jìn)，2028-29前不太可能實(shí)現(xiàn)1.4nm

據(jù)報(bào)道，隨著主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電和英特爾的目標(biāo)是在 2025 年下半年實(shí)現(xiàn) 2nm 和 18A 的量產(chǎn)，三星也在調(diào)整其業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。據(jù) ZDNet 稱，它現(xiàn)在專注于提高和優(yōu)化其當(dāng)前先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，雖然沒有給出修改后的時(shí)間表，但該報(bào)告表明，三星的 1.4nm 生產(chǎn)現(xiàn)在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前開始。據(jù) ZDNet 稱，該更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高級(jí)代工生態(tài)系統(tǒng)）論壇 2025”期間發(fā)布的。據(jù)報(bào)道，在此次活動(dòng)中，三星透
關(guān)鍵字：三星 2nm 4nm 1.4nm

三星推動(dòng)2納米技術(shù)突破，業(yè)界押注臺(tái)積電3納米鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管

市場(chǎng)傳言越來(lái)越多，稱三星正在積極將資源轉(zhuǎn)向 2 納米開發(fā)，計(jì)劃明年在其德克薩斯州工廠推出下一代工藝，可能試圖超越臺(tái)積電。然而，據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的消息人士稱，商業(yè)時(shí)報(bào)報(bào)道，三星當(dāng)前的 3 納米 GAAFET 技術(shù)大致與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的 4 納米鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管節(jié)點(diǎn)相當(dāng)，這引發(fā)了對(duì)其即將到來(lái)的 2 納米工藝可能仍不及臺(tái)積電最強(qiáng)大的 3 納米鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管一代的擔(dān)憂。同時(shí)，臺(tái)積電繼續(xù)擴(kuò)展其 3 納米工藝系列，包括 N3X、N3C 和 N3A 等不同應(yīng)用變體。該報(bào)告指出，這些節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將仍然是主要客戶的首選。
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臺(tái)積電3納米FinFET 三星2納米恐難敵

市場(chǎng)近期盛傳三星將押注資源發(fā)展2納米，預(yù)計(jì)最快明年于美國(guó)德州廠率先導(dǎo)入2納米制程，企圖彎道超車臺(tái)積電。半導(dǎo)體業(yè)界透露，三星目前以GAAFET打造之3納米，約為目前競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手4納米FinFET水平，分析2納米效能恐怕不如臺(tái)積電最后也是最強(qiáng)一代之3納米FinFET。尤其臺(tái)積電再針對(duì)3納米發(fā)展更多家族成員，包括N3X、N3C、N3A等應(yīng)用，未來(lái)仍會(huì)是主流客戶之首選。盤點(diǎn)目前智能手機(jī)旗艦芯片，皆使用臺(tái)積電第二代3納米（N3E），僅有三星Exynos 2500為自家3納米GAAFET; 各家業(yè)者今年預(yù)計(jì)迭代進(jìn)入第
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搶先臺(tái)積電傳三星將在美國(guó)推出2納米

臺(tái)積電和三星在晶圓代工領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)激烈，兩家大廠相繼赴美國(guó)設(shè)廠，根據(jù)ZDNet Korea報(bào)導(dǎo)，三星可能比臺(tái)積電更早在美國(guó)推出2納米制程，預(yù)計(jì)時(shí)間點(diǎn)在明年第一季，以增強(qiáng)在美國(guó)芯片市場(chǎng)的影響力。但報(bào)導(dǎo)也質(zhì)疑，三星先進(jìn)制程的良率偏低，泰勒工廠能否達(dá)到芯片生產(chǎn)階段仍存在不確定性。報(bào)導(dǎo)指出，三星計(jì)劃將在美國(guó)推出首個(gè)國(guó)產(chǎn)2納米制程，以加強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，據(jù)悉公司已開始為在泰勒工廠的生產(chǎn)線做準(zhǔn)備。雖然目前美國(guó)2納米制程生產(chǎn)尚處在規(guī)劃階段，但考量大型科技公司對(duì)從美國(guó)采購(gòu)芯片展現(xiàn)濃厚興趣，三星對(duì)此持樂觀態(tài)度。三星美國(guó)廠野心勃勃，
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三星介紹

　韓國(guó)三星電子成立于1969年，正式進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國(guó)惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國(guó)的投資與合作，已經(jīng)成為對(duì)中國(guó)投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國(guó)的銷售額突破100億美元，躍入中國(guó)一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價(jià)值108.5億美元，世界排名25位，被商務(wù)周刊評(píng)選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細(xì) ]