臺積電3納米FinFET 三星2納米恐難敵

市場近期盛傳三星將押注資源發(fā)展2納米，預(yù)計(jì)最快明年于美國德州廠率先導(dǎo)入2納米制程，企圖彎道超車臺積電。 半導(dǎo)體業(yè)界透露，三星目前以GAAFET打造之3納米，約為目前競爭對手4納米FinFET水平，分析2納米效能恐怕不如臺積電最后也是最強(qiáng)一代之3納米FinFET。 尤其臺積電再針對3納米發(fā)展更多家族成員，包括N3X、N3C、N3A等應(yīng)用，未來仍會(huì)是主流客戶之首選。

盤點(diǎn)目前智能手機(jī)旗艦芯片，皆使用臺積電第二代3納米（N3E），僅有三星Exynos 2500為自家3納米GAAFET; 各家業(yè)者今年預(yù)計(jì)迭代進(jìn)入第三代3納米（N3P），據(jù)供應(yīng)鏈透露，臺積電去年底N3P已進(jìn)入量產(chǎn)階段，估今年整體產(chǎn)能將成長超過6成。

供應(yīng)鏈表示，包括再生晶圓、鉆石碟、特用化學(xué)品用量顯著提升，相關(guān)供應(yīng)鏈如升陽半、中砂、頌勝科技; 其中，頌勝科技為少數(shù)半導(dǎo)體CMP制程研磨墊供應(yīng)商，與國際大廠直接競爭。

三星積極追趕，2納米制程預(yù)計(jì)最快將于今年底量產(chǎn)，并計(jì)劃明年首季率先在美國德州Taylor廠導(dǎo)入2納米; 看似彎道超車臺積電2納米落地美國時(shí)間，不過半導(dǎo)體業(yè)者指出，臺積電嚴(yán)守最先進(jìn)制程于臺灣發(fā)展，未來在海外廠會(huì)以臺灣母廠（Mother Fab）為目標(biāo)。

IC設(shè)計(jì)業(yè)者透露，在整體芯片表現(xiàn)上，臺積電制程仍能達(dá)到更佳效果，如同樣以Arm Cortex-X925超大核心設(shè)計(jì)之天璣9400，頻率可達(dá)3.62GHz，優(yōu)于Exynos 2500 3.3GHz之表現(xiàn)，在發(fā)表時(shí)間也領(lǐng)先約3季，三星代工明顯已無法滿足國際芯片大廠最先進(jìn)之需求。

供應(yīng)鏈透露，為滿足客戶美國制造需求，臺積電亞利桑那州二廠進(jìn)入加速階段，預(yù)計(jì)明年第三季進(jìn)行機(jī)臺Move-in，未來也將攜手臺灣供應(yīng)鏈大打國際杯，推動(dòng)整體產(chǎn)業(yè)升級。