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晶圓 文章 最新資訊

格羅方德14HP制程技術(shù)量產(chǎn) 為IBM量身打造

  • 　　半導(dǎo)體大廠格羅方德半導(dǎo)體(GLOBALFOUNDRIES，GF)表示，其14nmHighPerformance(HP)技術(shù)現(xiàn)已進(jìn)入量產(chǎn)，此技術(shù)將運(yùn)用于IBM新一代服務(wù)器系統(tǒng)的處理器。在大數(shù)據(jù)和認(rèn)知運(yùn)算時(shí)代，這項(xiàng)由雙方共同研發(fā)的14HP制程，將協(xié)助IBM為其支援的云端、商務(wù)及企業(yè)級(jí)解決方案提供高效能及資料處理能力等兩大優(yōu)勢。14HP是業(yè)界唯一在絕緣層上硅(SOI)基板整合3DFinFET電晶體架構(gòu)的技術(shù)。此技術(shù)擁有17層的金屬堆疊，每片芯片具有超過80億個(gè)電晶體，并運(yùn)用內(nèi)嵌式DRAM和其他創(chuàng)新功能，提供
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士蘭微何以堅(jiān)持IDM模式，三大方向兩大產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)快速成長

  • 　　全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自從臺(tái)積電(TSMC)成立后，開始出現(xiàn)垂直分工的商業(yè)模式，這種垂直分工模式(包括IC設(shè)計(jì)、或者制造、或者封裝測試)快速成為一種產(chǎn)業(yè)趨勢，中國臺(tái)灣及大陸的垂直分工集成電路企業(yè)如雨后春筍般涌現(xiàn)，而此前的IDM模式的集成電路企業(yè)卻越來越少。那么，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中這兩種模式整體來看孰強(qiáng)孰弱?中國半導(dǎo)體廠商又如何發(fā)展好IDM模式? 　　國內(nèi)唯一IDM廠商，中等尺寸產(chǎn)能排名全球第五位 　　隨著半導(dǎo)體制造工藝的進(jìn)步和晶圓尺寸的增大，單位面積上能夠容納的IC 數(shù)量劇增，成品率顯著提高，技術(shù)挑戰(zhàn)也越來越
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SEMI：全球晶圓設(shè)廠備支出再創(chuàng)新高

  • 　　SEMI(國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))發(fā)布最新“全球晶圓廠預(yù)測報(bào)告”(World Fab Forecast)，指出全球晶圓廠設(shè)備支出再次刷新紀(jì)錄。報(bào)告顯示，在所有SEMI追蹤的296座前端晶圓廠房與生產(chǎn)線當(dāng)中，有30座晶圓設(shè)備支出超過5億美元。2017年晶圓設(shè)備支出(含全新與整新)預(yù)計(jì)將成長37%，創(chuàng)下550億美元的最新年度支出紀(jì)錄。SEMI同時(shí)也預(yù)測2018年晶圓設(shè)備支出成長率將再度攀升5%，同時(shí)也將再次寫下580億美元的新紀(jì)錄。SEMI臺(tái)灣區(qū)總裁曹世綸表示，先前最高的支出紀(jì)錄是20
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格芯稱在配合反壟斷調(diào)查 晶圓代工市場爭奪戰(zhàn)加劇

  • 　　近日路透社報(bào)道稱，晶圓代工廠格芯(原格羅方德GlobalFoundries)指控晶圓代工龍頭臺(tái)積電涉有不公平的競爭行為，并向歐盟執(zhí)委會(huì)的反壟斷機(jī)關(guān)要求調(diào)查一事。 　　報(bào)道指出，格芯對臺(tái)積電的指控包括以忠誠折扣、排他性條款或罰款等方式威脅客戶，這嚴(yán)重影響到包括格芯在內(nèi)的其他行業(yè)參與者的競爭力，格芯要求歐盟官方應(yīng)注意到少數(shù)幾家業(yè)內(nèi)參與者獨(dú)霸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)象。 　　針對上述消息，格芯發(fā)言人向第一財(cái)經(jīng)記者表示，“格芯并未主動(dòng)向歐盟提起投訴，而是在全面配合歐盟的反壟斷調(diào)查。” 　　
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先進(jìn)制程將成晶圓代工成長動(dòng)力來源

  • 　　據(jù)IC Insights最新數(shù)據(jù)預(yù)估，整體來說，2017年純晶圓代工市場的營收規(guī)模將成長7%，但成長動(dòng)能幾乎全部來自40奈米以下先進(jìn)制程。 2017年40奈米以下先進(jìn)制程的營收料將達(dá)到215億美元，比2016年成長18%;40奈米以上(含)成熟制程的市場只會(huì)成長不到1%，達(dá)323億美元。 　　雖然40奈米以上成熟制程對晶圓代工業(yè)者營收的貢獻(xiàn)度達(dá)到6成，但對絕大多數(shù)晶圓代工業(yè)者而言，40奈米以上成熟制程的利潤空間已經(jīng)相當(dāng)有限。 40奈米以下先進(jìn)制程才是晶圓代工業(yè)者的金雞母。 　　以個(gè)別廠商來看，臺(tái)積
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SK Siltron加入SK集團(tuán)　或重啟18吋晶圓研發(fā)

  • 　　2017年初SK集團(tuán)(SK Group)購并樂金集團(tuán)(LG Group)的硅晶圓子公司樂金Siltron(LG Siltron)，將其更名為SK Siltron。目前硅晶圓市場氣氛普遍停留在12吋晶圓，業(yè)界關(guān)注成為SK集團(tuán)子公司的SK Siltron對18吋晶圓發(fā)展速度是否會(huì)有所改變。 　　據(jù)韓媒the bell報(bào)導(dǎo)，樂金Siltron在2013年建立18吋晶圓測試產(chǎn)線，開始從事相關(guān)研發(fā)，但之后曾因半導(dǎo)體市場不景氣，研發(fā)被迫中斷。盡管業(yè)界普遍認(rèn)為，短期內(nèi)12吋晶圓時(shí)代仍將延續(xù)，但仍有業(yè)者預(yù)測SK S
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不僅有10nm和22FFL工藝制程 英特爾還要聯(lián)手ARM提供晶圓代工

  • 　　英特爾在工藝制程領(lǐng)域的造詣可謂登峰造極。2003年,英特爾推出應(yīng)變硅90nm芯片,當(dāng)時(shí)屬于首家,領(lǐng)先業(yè)界三年;2007年,英特爾生產(chǎn)出高K金屬柵極的芯片,三年后業(yè)內(nèi)其它公司才推出類似產(chǎn)品;英特爾的32nm工藝具有“自校準(zhǔn)通道”的技術(shù)專長,能夠加強(qiáng)連接點(diǎn)的能力,互聯(lián)功能對于縮小晶片面積提升密度極其重要的,同樣領(lǐng)先業(yè)界三年。再到22nm技術(shù),英特爾在2011年成為第一家推出了FinFET工藝的廠商,三年后市場上才出現(xiàn)類似產(chǎn)品。英特爾高級(jí)院士、技術(shù)與制造事業(yè)部制程架構(gòu)與集成總監(jiān)Mar
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格羅方德成都廠10月底前封頂 多家企業(yè)已尋求合作

  • 　　備受電子信息行業(yè)關(guān)注的格羅方德12英寸晶圓成都制造基地項(xiàng)目又有新進(jìn)展。9月20日，記者從成都高新區(qū)獲悉，位于成都高新區(qū)西部園區(qū)的格羅方德Fab11晶圓代工廠項(xiàng)目近日舉行芯片廠房鋼桁架吊裝儀式，芯片廠房將在10月底前封頂。 　　今年2月，全球第二大晶圓代工廠格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司在成都高新區(qū)啟動(dòng)累計(jì)投資超過100億美元的12英寸晶圓制造基地項(xiàng)目(即代號(hào)為“Fab11”的格羅方德晶圓代工廠)，并發(fā)布公司在中國市場的全新中文名稱“格芯”。5月，格羅方德又
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年投資300億美元 三巨頭競爭晶圓代工

  • 　　2017年9月19日，Intel在中國舉辦“精尖制造日”發(fā)布會(huì)，在全球首次展示了Arm的10納米測試芯片晶圓。一年前，Intel晶圓代工部門宣布與Arm達(dá)成合作，基于Intel 10nm制程工藝開發(fā)Arm芯片及應(yīng)用。 　　如今，Intel將這一成果在中國展示，這里有全球25%的無晶園芯片企業(yè)，是Intel開放代工業(yè)務(wù)之后的重要增長空間。 　　晶圓制造幾乎是全球資金最密集、技術(shù)最尖端的領(lǐng)域。除了Intel、三星等少數(shù)芯片公司可以自建晶圓廠之外，包括芯片巨頭高通在內(nèi)的諸多芯片公
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密恐慎入！世界上晶體管密度最高的晶圓首次亮相

  • 　　在 9 月 19 日于北京舉行的英特爾精尖制造日上，英特爾在其展示區(qū)域和主題演講上展示了五款晶圓?！　∵@是英特爾首次公開展示這五款晶圓，彰顯了我們在制造領(lǐng)域取得的巨大進(jìn)步?！　∥蹇钊蚴状握钩鼍A　　英特爾 10 納米Cannonlake　　英特爾 10 納米 Arm 測試芯片　　英特爾 22FFL　　14 納米展訊 SC9861G-IA　　14 納米展訊&nbs
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Brewer Science 為領(lǐng)先制造廠商提供關(guān)鍵性的半導(dǎo)體材料

  • 　　Brewer Science, Inc. 很榮幸宣布參加 2017 年的 SEMICON Taiwan。公司將與業(yè)界同仁交流臺(tái)灣半導(dǎo)體制造趨勢的見解，內(nèi)容涵蓋前端和后端的材料，以及次世代制造的流程步驟。　　今日的消費(fèi)性電子產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò)、高效能運(yùn)算 (HPC) 和汽車應(yīng)用皆依賴封裝為小型尺寸的半導(dǎo)體裝置，其提供更多效能與功能，同時(shí)產(chǎn)熱更少且操作時(shí)更省電。透過摩爾定律推動(dòng)前端流程開發(fā)，領(lǐng)先的代工和整合組件制造商(IDM
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蘋果效應(yīng)：無名晶圓公司IQE股價(jià)今年以來狂漲300%

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，英國威爾士海港城市加地夫(Cardiff)的硅晶圓公司IQE對于英國科技投資者來說，可能成為下一個(gè)重視目標(biāo)。正在努力尋找隱藏的蘋果供應(yīng)商的投資者正在將賭注押在該公司身上，這推動(dòng)這家硅晶圓公司股價(jià)在今年的漲幅超過300%。 　　IQE今年以來在英國富時(shí)AIM 100指數(shù)(FTSE AIM 100 Index)中，是表現(xiàn)第二好的成份股，并且是費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)(Philadelphia Semiconductor Index)中表現(xiàn)最好的一支股。費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)成份股包括英偉達(dá)(Nvidia
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梁孟松去職三星成定局，中芯能否迎來助力挺進(jìn)前三？

  • 　　伴隨著掌門人入獄，三星電子(Samsung Electronics)又再次面臨噩耗。據(jù)媒體披露，三星積極慰留梁孟松未果，梁孟松請長假后并未銷假回三星上班，從2017年8月中起正式離開三星集團(tuán)，結(jié)束2009年離開臺(tái)積電到韓國三星集團(tuán)任職的8年歲月。 　　梁孟松1981年加入臺(tái)積電2009年離開，后赴與三星關(guān)系密切的成均館大學(xué)任職，2011年正式加盟三星。在臺(tái)積電期間，梁孟松曾經(jīng)是的重要技術(shù)人才，其負(fù)責(zé)了臺(tái)積電從130nm直至16nm FinFET工藝的歷代先進(jìn)工藝的開發(fā)，是臺(tái)積電高管當(dāng)中發(fā)明專利最多的
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臺(tái)積電三星電子先進(jìn)制程和晶圓代工藍(lán)圖規(guī)劃剖析

  • 　　全球晶圓代工已展開新一輪熱戰(zhàn)，除中國臺(tái)灣半導(dǎo)體巨擘—臺(tái)積電在技術(shù)論壇中展示對未來制程技術(shù)的規(guī)劃，三星電子也于年度晶圓代工技術(shù)論壇中發(fā)表其制程技術(shù)的進(jìn)程，特別是其為脫離三星電子半導(dǎo)體事業(yè)群旗下系統(tǒng)LSI而分割出來獨(dú)立的晶圓代工部門，因而其所發(fā)表的最新技術(shù)藍(lán)圖備受各界矚目;在先進(jìn)制程將加速由2017年的10納米邁向2022年的3納米，同時(shí)競爭對手緊追不舍之際，也意味著晶圓代工龍頭之間的競爭不容出現(xiàn)營運(yùn)或投資上的失誤。 　　以主流先進(jìn)制程競爭來說，2017年上半年臺(tái)積電10納米制程對營運(yùn)貢獻(xiàn)仍
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年產(chǎn)能7萬片 湘潭6寸砷化鎵晶圓/射頻器件項(xiàng)目開建

  • 　　8月25日，湘潭高新區(qū)時(shí)變半導(dǎo)體項(xiàng)目一期開工儀式舉行。該項(xiàng)目投產(chǎn)后，將填補(bǔ)國內(nèi)多項(xiàng)技術(shù)空白，為湘潭高新區(qū)“智造谷”建設(shè)注入新活力。 　　湘潭市人大常委會(huì)黨組書記、常務(wù)副主任李江南宣布開工。市委常委、常務(wù)副市長楊廣，湘潭高新區(qū)黨工委副書記、管委會(huì)主任顏曉媚，市發(fā)改委、經(jīng)信委、科技局、產(chǎn)業(yè)投資發(fā)展集團(tuán)等相關(guān)單位負(fù)責(zé)人出席開工儀式。 　　時(shí)變半導(dǎo)體項(xiàng)目由湖南時(shí)變通訊科技有限公司投資建設(shè)，項(xiàng)目總投資15億元，分兩期開發(fā)建設(shè)。一期建筑面積13000平方米，內(nèi)含1500平方米的潔凈室，
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晶圓介紹

晶圓　　晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]

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