臺積電 文章 進入臺積電技術社區(qū)
臺積電將在美國生產(chǎn)30%的2nm和更先進的芯片
- 臺積電管理層在周四的公司財報電話會議上透露,該公司計劃在美國生產(chǎn)其 30% 的 N2(2 納米級)產(chǎn)品,并將其 Fab 21 工廠設在亞利桑那州鳳凰城附近,這是一個獨立的半導體制造集群。這家全球最大的芯片合同制造商還表示,打算加快構建新的 Fab 21 模塊,以生產(chǎn) N3(3 納米級)、N2 和 A16(1.6 納米級)節(jié)點上的芯片?!巴瓿珊螅覀兗s 30% 的 2nm 和更先進的產(chǎn)能將位于亞利桑那州,在美國創(chuàng)建一個獨立的領先半導體制造集群,”臺積電首席執(zhí)行官兼董事長 C.C. Wei 在準備好的講話中說
- 關鍵字: 臺積電 2nm
手機漲價潮又來了!高通聯(lián)發(fā)科明年擁抱臺積電2nm:芯片成本大漲
- 4月17日消息,博主數(shù)碼閑聊站表示,明年蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科確定上臺積電2nm,預計成本大幅增長,新機或許還會有一輪漲價。去年10月份,因高通驍龍8 Elite、聯(lián)發(fā)科天璣9400芯片切入臺積電3nm工藝,國產(chǎn)品牌集體漲價。當時REDMI總經(jīng)理王騰解釋,旗艦機漲價有兩個原因,一是旗艦處理器升級最新3nm制程,工藝成本大幅增加;二是內(nèi)存、存儲經(jīng)過持續(xù)一年的漲價,已經(jīng)來到了最高點,所以大內(nèi)存的版本漲幅更大。展望明年,高通驍龍8 Elite 3、天璣9600等芯片都將升級為全新的臺積電2nm制程,成本將會再度上漲
- 關鍵字: 手機 漲價 高通 聯(lián)發(fā)科 臺積電 2nm 芯片成本大漲
消息稱蘋果/高通/聯(lián)發(fā)科確定明年上臺積電 2nm,預計成本大幅增長
- 4 月 17 日消息,據(jù)博主@數(shù)碼閑聊站 今日爆料,明年蘋果 / 高通 / 聯(lián)發(fā)科確定上臺積電 2nm,預計成本大幅增長,新機或許還會有一輪漲價。爆料還稱,今年的旗艦處理器 A19 Pro、驍龍 8 Elite 2、天璣 9500 都還會采用臺積電 N3P 工藝。對于今年的手機是否會漲價,該博主稱“今年還好,子系甚至有準備降價的”。臺積電預計今年下半年將開始量產(chǎn) 2nm 芯片。有消息稱臺積電 2 納米下半年量產(chǎn)的首批產(chǎn)能已被蘋果包下,將用來生產(chǎn) A20 處理器,蘋果今年仍將穩(wěn)居臺積電最大客戶。分析師郭明錤
- 關鍵字: 蘋果 高通 聯(lián)發(fā)科 臺積電 2nm
臺積電打算將FOPLP封裝技術帶入美國,以滿足當?shù)乜蛻舻男枨?/a>
- 上個月臺積電(TSMC)宣布,有意增加1000億美元投資于美國先進半導體制造,擴大投資計劃包括了三座新建晶圓廠、兩座先進封裝設施、以及一間主要的研發(fā)團隊中心。臺積電在美國亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠名為Fab 21,前后花了大概五年時間才完成第一間晶圓廠。不過隨著項目的推進,臺積電在當?shù)氐脑O施建造速度變得更快。據(jù)TrendForce報道,臺積電打算將FOPLP封裝技術帶入美國,以滿足當?shù)乜蛻羧找嬖鲩L的需求。臺積電正在確定FOPLP封裝的最終規(guī)格,以加快大規(guī)模生產(chǎn)的時間表。初代產(chǎn)品預計采用300mm x
- 關鍵字: 臺積電 TSMC FOPLP 封裝技術 美國 半導體 晶圓
臺積電面臨10億美元罰款和100%關稅威脅

- 4月9日,美國總統(tǒng)特朗普在共和黨全國委員會活動上自爆曾威脅臺積電,若不繼續(xù)在美國投資建廠,其產(chǎn)品進入美國將面臨高達100%的關稅。特朗普還批評拜登政府此前為臺積電亞利桑那州工廠提供66億美元補貼,主張通過稅收威脅而非財政激勵推動制造業(yè)回流。10億美元罰款?據(jù)路透社援引知情人士透露,臺積電可能面臨10億美元或更高的罰款,作為美國對其生產(chǎn)的芯片的出口管制調(diào)查結果。臺積電被指控通過第三方為中國大陸科技企業(yè)代工生產(chǎn)近300萬顆AI芯片,而根據(jù)美國出口管制條例,違規(guī)交易最高可被處以交易金額兩倍的罰款。臺積電在一份聲
- 關鍵字: 臺積電 關稅 AI 芯片
全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)新變局
- 復雜國際形勢疊加終端需求冰火兩重天的景象之下,晶圓代工產(chǎn)業(yè)迎來調(diào)整時期,人事變動、整合傳聞屢見不鮮。與此同時,先進制程正加速沖刺,2nm芯片在今年將實現(xiàn)量產(chǎn)/試產(chǎn),開啟半導體技術新紀元。三星晶圓代工部門調(diào)整,加強HBM業(yè)務競爭力近期,媒體報道三星電子DS部門針對代工部門人員發(fā)布了“定期招聘”公告,三星計劃把超過兩位數(shù)的晶圓代工事業(yè)部人員調(diào)往存儲器制造技術中心、半導體研究院以及全球制造及基礎設施總部。業(yè)界透露,三星此次調(diào)整主要是為了加強HBM領域競爭實力,其中三星半導體研究所招募人員是為了“加強HBM和封裝
- 關鍵字: 晶圓代工 2納米 臺積電 三星 英特爾
三星已組建專注于1nm芯片開發(fā)的團隊 量產(chǎn)目標定于2029年
- 2nm GAA 工藝進展被傳順利,但三星的目標是通過推出自己的 1nm 工藝來突破芯片開發(fā)的技術限制。一份新報告指出,該公司已經(jīng)成立了一個團隊來啟動這一工藝。然而,由于量產(chǎn)目標定于 2029 年,我們可能還需要一段時間才能看到這種光刻技術的應用。1nm 晶圓的開發(fā)需要“高 NA EUV 曝光設備”,但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機器。另一方面,臺積電也正在推出 2 納米以下芯片,據(jù)報道,這家臺灣半導體巨頭已于 4 月初開始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星,在其 2 納米 GAA 技術的試產(chǎn)過程中
- 關鍵字: 三星 1nm 芯片 臺積電 NA EUV
創(chuàng)意推全球首款HBM4 IP 于臺積電N3P制程成功投片
- 創(chuàng)意2日宣布,自主研發(fā)的HBM4控制器與PHY IP完成投片,采用臺積電最先進N3P制程技術,并結合CoWoS-R先進封裝,成為業(yè)界首個實現(xiàn)12 Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率之HBM4解決方案,為AI與高效能運算(HPC)應用樹立全新里程碑。HBM4 IP以創(chuàng)新中間層(Interposer)布局設計優(yōu)化信號完整性(SI)與電源完整性(PI),確保在CoWoS系列封裝技術下穩(wěn)定運行于高速模式。 創(chuàng)意指出,相較前代HBM3,HBM4 PHY(實體層)效能顯著提升,帶寬提升2.5倍,滿足巨量數(shù)據(jù)傳輸需求、功耗效率提升1
- 關鍵字: 創(chuàng)意 HBM4 IP 臺積電 N3P
Intel、臺積電、三星激戰(zhàn)2nm!三巨頭先進工藝制程進度一覽
- 4月3日消息,日前舉辦的Vision 2025大會上,Intel正式宣布18A工藝制程技術已進入風險生產(chǎn)階段。預計今年下半年首發(fā)該工藝的Panther Lake處理器將進行大批量生產(chǎn)。此舉為“四年五個節(jié)點(5N4Y)”計劃立下關鍵里程碑。按照Intel的愿景,18A將是其反超臺積電、重奪半導體工藝世界第一的關鍵節(jié)點。值得關注的是,此為新任華人CEO陳立武接棒后首度公開亮相,業(yè)界解讀Intel此舉在向臺積電、三星等競爭對手展示技術肌肉。Intel 18A工藝將全球首次同時采用PowerVia背面供電和Rib
- 關鍵字: 英特爾 臺積電 三星
Intel怎么追!臺積電完美搞定2nm 扭頭就沖向1.4nm
- 4月2日消息,如今的臺積電,真是把新的制程工藝變得似乎易如反掌!早在今年初,就有報道陳,臺積電2nm工藝試產(chǎn)進度遠超預期,樂觀預計位于新竹寶山、高雄的兩座旗艦級工廠可在年底每月產(chǎn)出8萬塊晶圓。現(xiàn)在,臺積電已經(jīng)順利完成了2nm試產(chǎn)階段,良率超過60%,從而正式進入量產(chǎn)準備階段。目前,臺積電2nm已經(jīng)開始承接客戶訂單,蘋果、AMD、Intel、博通等客戶正在爭相排隊,其中寶山工廠的首批產(chǎn)能全部供給蘋果,高雄工廠負責其他客戶。緊接著,臺積電就馬不停蹄地投入了下一代1.4nm工藝的相關工作。臺積電寶山P2(Fab
- 關鍵字: 臺積電 英特爾
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