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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 臺(tái)積電

蘋果向臺(tái)積電訂購(gòu)M5芯片 生產(chǎn)可能在2025年下半年開始

  • The Elec一份新的韓語(yǔ)報(bào)道稱，隨著臺(tái)積電開始為未來(lái)的設(shè)備生產(chǎn)開發(fā)下一代處理器，蘋果已向臺(tái)積電訂購(gòu)了M5芯片。M5系列預(yù)計(jì)將采用增強(qiáng)的ARM架構(gòu)，據(jù)報(bào)道將使用臺(tái)積電先進(jìn)的3納米工藝技術(shù)制造。蘋果決定放棄臺(tái)積電更先進(jìn)的2納米，據(jù)信主要是出于成本考慮。盡管如此，M5將比M4有顯著的進(jìn)步，特別是通過(guò)采用臺(tái)積電的集成芯片系統(tǒng)(SOIC)技術(shù)。與傳統(tǒng)的2D設(shè)計(jì)相比，這種3D芯片堆疊方法增強(qiáng)了散熱管理并減少了漏電。據(jù)稱，蘋果擴(kuò)大了與臺(tái)積電在下一代混合SOIC封裝方面的合作，該封裝也結(jié)合了熱塑性碳纖維復(fù)合材料成型技
  • 關(guān)鍵字： 蘋果  臺(tái)積電  M5芯片  處理器  ARM架構(gòu)  3納米工藝  

臺(tái)積電2027年推出超大版CoWoS封裝，可放置12個(gè)HBM4堆棧

  • 據(jù)媒體報(bào)道，日前，臺(tái)積電11月歐洲開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）論壇上宣布，其有望在2027年認(rèn)證超大版本的CoWoS（晶圓上芯片）封裝技術(shù)，該技術(shù)將提供高達(dá)9個(gè)掩模尺寸的中介層尺寸和12個(gè)HBM4內(nèi)存堆棧，推測(cè)它將在2027年至2028年被超高端AI處理器采用。據(jù)悉，這一全新封裝方法將解決性能要求最高的應(yīng)用，并讓AI（人工智能）和HPC（高性能計(jì)算）芯片設(shè)計(jì)人員能夠構(gòu)建手掌大小的處理器。報(bào)道稱，完全希望采用臺(tái)積電先進(jìn)封裝方法的公司也能使用其系統(tǒng)級(jí)集成芯片（SoIC）先進(jìn)封裝技術(shù)垂直堆疊其邏輯，以進(jìn)一步提高晶體管
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臺(tái)積電將推出新CoWoS封裝技術(shù)：打造手掌大小高端芯片

  • 11月28日消息，據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電（TSMC）在其歐洲開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）論壇上宣布，正在按計(jì)劃對(duì)其超大版本的CoWoS封裝技術(shù)進(jìn)行認(rèn)證。此項(xiàng)革新性技術(shù)核心亮點(diǎn)在于，它能夠支持多達(dá)9個(gè)光罩尺寸（Reticle Size）的中介層集成，并配備12個(gè)高性能的HBM4內(nèi)存堆棧，專為滿足最嚴(yán)苛的性能需求而生。然而，超大版CoWoS封裝技術(shù)的實(shí)現(xiàn)之路并非坦途。具體而言，即便是5.5個(gè)光罩尺寸的配置，也需仰賴超過(guò)100 x 100毫米的基板面積，這一尺寸已逼近OAM 2.0標(biāo)準(zhǔn)尺寸的上限（102 x 165m
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臺(tái)積電前董事長(zhǎng)稱“技術(shù)移美，將損失幾百億”，臺(tái)媒：?jiǎn)栴}是能躲得掉嗎？

  • 【環(huán)球時(shí)報(bào)特約記者 陳立非】美國(guó)當(dāng)選總統(tǒng)特朗普即將上任，外界關(guān)注美國(guó)可能要求臺(tái)積電加速將2納米以下先進(jìn)制程在美落地生產(chǎn)。臺(tái)積電前董事長(zhǎng)劉德音首次稱，如果臺(tái)積電最先進(jìn)的技術(shù)到美國(guó)生產(chǎn)，可能會(huì)賠上幾百億美元，引發(fā)島內(nèi)高度關(guān)注。首次提出相關(guān)說(shuō)法據(jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，“特朗普2.0時(shí)代”即將來(lái)臨，臺(tái)灣工商協(xié)進(jìn)會(huì)理事長(zhǎng)吳東亮26日在一場(chǎng)活動(dòng)上稱，“臺(tái)積電去投資更是重要，這也凸顯一件事情，就是臺(tái)積電跟美國(guó)的科技產(chǎn)業(yè)絕對(duì)是合作，不是惡性競(jìng)爭(zhēng)”。他認(rèn)為，臺(tái)積電沒有搶美國(guó)生意，因?yàn)榘雽?dǎo)體設(shè)計(jì)還是以美國(guó)為主，臺(tái)積電只做制造
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臺(tái)積電 1.6nm，2026 年量產(chǎn)

  • 臺(tái)積電表示，先進(jìn)工藝的開發(fā)正按路線圖推進(jìn)，未來(lái)幾年基本保持不變。
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斷供7nm芯片后！臺(tái)積電：想要在中美半導(dǎo)體之間保持中立不現(xiàn)實(shí)

  • 11月27日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，在美國(guó)的要求下，臺(tái)積電從本月11日開始停止向中國(guó)大陸客戶供應(yīng)7納米及更先進(jìn)工藝的AI芯片。這一出口限制措施主要針對(duì)用于人工智能加速器以及圖形處理單元（GPU）的芯片。報(bào)道稱，美商務(wù)部的這封信函允許美國(guó)繞過(guò)相關(guān)規(guī)則制定過(guò)程，迅速對(duì)特定公司實(shí)施新的許可要求。幾周前，臺(tái)積電通知美國(guó)商務(wù)部，其產(chǎn)品被發(fā)現(xiàn)安裝在大陸一家廠商的產(chǎn)品中，這可能違反了美國(guó)對(duì)該廠商的出口限制措施。對(duì)此，相關(guān)專家表示，該事件反映了臺(tái)積電在與大陸有關(guān)的運(yùn)營(yíng)決策上，仍然沒有獨(dú)立決策能力。隨著臺(tái)積電在美國(guó)建廠，其
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臺(tái)積電2nm制程設(shè)計(jì)平臺(tái)準(zhǔn)備就緒，預(yù)計(jì)明年末開始量產(chǎn)

  • 在歐洲開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）論壇上，臺(tái)積電表示電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具和第三方IP模塊已為性能增強(qiáng)型N2P/N2X制程技術(shù)做好準(zhǔn)備。目前，Cadence和Synopsys的所有主要工具以及Siemens EDA和Ansys的仿真和電遷移工具，都已經(jīng)通過(guò)N2P工藝開發(fā)套件（PDK）版本0.9的認(rèn)證，該版本PDK被認(rèn)為足夠成熟。這意味著各種芯片設(shè)計(jì)廠商現(xiàn)在可以基于臺(tái)積電第二代2nm制程節(jié)點(diǎn)開發(fā)芯片。據(jù)悉，臺(tái)積電計(jì)劃在2025年末開始大規(guī)模量產(chǎn)N2工藝，同時(shí)A16工藝計(jì)劃在2026年末開始投產(chǎn)。臺(tái)積電N2系
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臺(tái)積電A16工藝將于2026年量產(chǎn)

  • 近日，臺(tái)積電（TSMC）在其歐洲開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）論壇上宣布，準(zhǔn)備在2025年末開始大規(guī)模量產(chǎn)N2工藝，同時(shí)A16（1.6nm級(jí)）工藝技術(shù)的首批芯片計(jì)劃在2026年末開始投產(chǎn)。臺(tái)積電表示，目前先進(jìn)工藝的開發(fā)正在按路線圖推進(jìn)，預(yù)計(jì)未來(lái)幾年基本保持不變。據(jù)悉，A16將結(jié)合臺(tái)積電的超級(jí)電軌（Super Power Rail）架構(gòu)，也就是背部供電技術(shù)。可以在正面釋放出更多的布局空間，提升邏輯密度和效能，適用于具有復(fù)雜訊號(hào)及密集供電網(wǎng)絡(luò)的高性能計(jì)算（HPC）產(chǎn)品。相比于N2P工藝，A16在相同工作電壓下速度快了
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臺(tái)積傳首度打造先進(jìn)封裝專區(qū)

  • 據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，日前，臺(tái)積電傳出已在南科圈地30公頃，首度打造“先進(jìn)供應(yīng)鏈專區(qū)”，而并非為了增建新廠。消息稱，該專區(qū)將以先進(jìn)封裝為主，全力支持未來(lái)嘉義廠（AP7）與臺(tái)南廠（AP8）的CoWoS/SoIC產(chǎn)能。臺(tái)積電曾表示，其CoWoS是AI革命的關(guān)鍵推動(dòng)技術(shù)，讓客戶能夠在單一中介層上并排放置更多的處理器核心及HBM。同時(shí)SoIC也成為3D芯片堆疊的領(lǐng)先解決方案，客戶愈發(fā)趨向采用CoWoS搭配SoIC及其他元件的做法，以實(shí)現(xiàn)最終的系統(tǒng)級(jí)封裝（System in Package; SiP）整合。臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家
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臺(tái)積電曾害慘英偉達(dá)！張忠謀昔赴美與黃仁勛和解內(nèi)幕曝光

  • 臺(tái)積電創(chuàng)辦人張忠謀在即將上市的自傳下冊(cè)透露，與大客戶英偉達(dá)曾因40納米初期生產(chǎn)問(wèn)題，導(dǎo)致英偉達(dá)遭受嚴(yán)重?fù)p失，后來(lái)張忠謀親自飛往硅谷，與英偉達(dá)執(zhí)行長(zhǎng)黃仁勛吃披薩晚餐，吃完飯后兩人到書房談話，張?zhí)岢錾蟽|美元的賠償金建議方案，成功化解兩公司的爭(zhēng)端。張忠謀自傳下冊(cè)將在11月29日上市，綜合媒體報(bào)導(dǎo)，天下文化提前曝光內(nèi)容指出，其中有章節(jié)寫到張忠謀如何在2009年7月解決與英偉達(dá)的爭(zhēng)議細(xì)節(jié)。張忠謀透露，英偉達(dá)曾因臺(tái)積電40納米初期生產(chǎn)問(wèn)題遭受嚴(yán)重?fù)p失，這項(xiàng)爭(zhēng)議是他重回臺(tái)積電擔(dān)任執(zhí)行長(zhǎng)一年前就發(fā)生，但一直沒有解決。他在
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采用臺(tái)積電秘密武器！傳iPhone 17 Air史上最薄 比16更有噱頭

  • 蘋果今年9月推出iPhone 16系列，因缺乏特色銷量不如預(yù)期，有關(guān)iPhone 17系列的傳言已滿天飛，最新消息指出，蘋果計(jì)劃推出超薄新機(jī)iPhone 17 Air，厚度只有約6毫米，是有史以來(lái)最薄的iPhone，將采用臺(tái)積電第三代3奈米制程（N3P）制造。根據(jù)macrumor報(bào)導(dǎo)，分析師Jeff Pu預(yù)測(cè)，蘋果即將推出的iPhone 17系列將搭載全新一代A19芯片，標(biāo)準(zhǔn)機(jī)型iPhone 17和iPhone 17 Air預(yù)計(jì)采用A19芯片，iPhone 17 Pro 和iPhone 17 Pro Ma
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iPhone 17全系無(wú)緣臺(tái)積電2nm工藝制程

  • 對(duì)于iPhone 17系列將搭載的芯片將是由臺(tái)積電第三代3nm制程工藝，也就是由N3P制程工藝代工的A19和A19 Pro，iPhone 17和iPhone 17 Air搭載A19芯片，iPhone 17 Pro和iPhone 17 Pro Max搭載A19 Pro芯片。這也意味著iPhone 17系列無(wú)緣臺(tái)積電最新的2nm工藝制程，蘋果最快會(huì)在iPhone 18系列上引入臺(tái)積電2nm制程。資料顯示，臺(tái)積電2nm（N2）工藝最快會(huì)在2025年推出，臺(tái)積電CEO魏哲家在近幾個(gè)季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上表示2
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曝iPhone 17全系首發(fā)3nm A19系列芯片：無(wú)緣臺(tái)積電2nm工藝制程

  • 11月19日消息，分析師Jeff Pu在報(bào)告中提到，iPhone 17、iPhone 17 Air首發(fā)搭載A19芯片，iPhone 17 Pro和iPhone 17 Pro Max首發(fā)搭載A19 Pro芯片，這兩顆芯片都是基于臺(tái)積電第三代3nm制程（N3P）打造。據(jù)悉，iPhone 15 Pro系列首發(fā)的A17 Pro基于臺(tái)積電第一代3nm制程（N3B）打造，iPhone 16系列的A18和A18 Pro基于臺(tái)積電第二代3nm制程（N3E）打造。相比N3E，采用N3P工藝打造的芯片擁有更高的晶體管
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向特朗普表忠心？傳魏哲家將送2大禮 臺(tái)積電說(shuō)話了

  • 特朗普贏得美國(guó)總統(tǒng)大選，他先前公開喊話臺(tái)積電偷走美國(guó)芯片生意，要付保護(hù)費(fèi)，市場(chǎng)擔(dān)憂他上任后臺(tái)積電處境，有媒體爆料，臺(tái)積電為了怕被特朗普盯上，董事長(zhǎng)魏哲家將送上2大禮。根據(jù)鏡周刊報(bào)導(dǎo)，傳出魏哲家可能把先進(jìn)封裝也赴美生產(chǎn)，2nm制程也可能在美提前量產(chǎn)，藉此向特朗普以及美國(guó)示好。臺(tái)積電則強(qiáng)調(diào)，目前投資計(jì)劃不變。業(yè)界人士透露，去年亞利桑那州長(zhǎng)郝愷悌（Katie Hobbs）就希望臺(tái)積電擴(kuò)增先進(jìn)封裝生產(chǎn)線，但臺(tái)積電一直沒同意，特朗普勝選后，魏哲家恐怕難抵擋讓CoWoS先進(jìn)封裝赴美設(shè)廠。推測(cè)在12月臺(tái)積電美國(guó)廠完工典
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臺(tái)積電批準(zhǔn)近155億美元撥款，用于建新晶圓廠和先進(jìn)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能

  • 11月12日，據(jù)臺(tái)積電官網(wǎng)公告，該公司已批準(zhǔn)撥款約154.8億美元，主要用于新晶圓廠建設(shè)、晶圓廠設(shè)施系統(tǒng)安裝和先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能部署。另外，臺(tái)積電董事會(huì)還批準(zhǔn)在多個(gè)市場(chǎng)發(fā)行不超過(guò)600億元新臺(tái)幣（約合18.5億美元）的無(wú)擔(dān)保公司債券，以資助臺(tái)積電的產(chǎn)能開發(fā)和/或污染防治支出。近期，臺(tái)積電公布了第三季度財(cái)報(bào)。數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收235億美元，同比增長(zhǎng)39%，環(huán)比增長(zhǎng)12.8%；凈利潤(rùn)為101億美元，同比增長(zhǎng)54.2%；毛利率為57.8%，環(huán)比提高4.6%，同比提高了3.5%；經(jīng)營(yíng)利潤(rùn)率高達(dá)47.5%
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臺(tái)積電介紹

　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor) 　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文 　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡(jiǎn)介 　　臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立，是全球第一家的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者，臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]

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