沖刺新品市占 三星擬停產(chǎn)舊規(guī)HBM

三星對此消息表示，無法確認。 但法人認為，HBM市場年復合成長率超過45%，三星傳停產(chǎn)舊規(guī)格的HBM，應有助于三星加快技術(shù)迭代，并鞏固其與SK海力士、美光的「三強爭霸」地位。

與此同時，陸廠加快進攻高階存儲器市場。 長鑫存儲宣布16nm DDR5 DRAM已量產(chǎn)，性能超越SK海力士12nm產(chǎn)品，并計劃2025年將產(chǎn)能擴至每月18萬片晶圓，目標2026年切入LPDDR5與車用DRAM，為未來進軍HBM鋪路。

長江存儲則靠Xtacking混合鍵合技術(shù)快速追趕，量產(chǎn)全球首款270層3D NAND Flash，與三星、美光的層數(shù)差距逐漸縮小。

其232層QLC NAND亦已打入企業(yè)級儲存市場，并與中國AI芯片廠密切合作，強化數(shù)據(jù)中心與邊緣運算布局。

長鑫與長江分屬DRAM與NAND兩大領(lǐng)域，但雙方技術(shù)協(xié)作潛力備受關(guān)注。 例如，長鑫若掌握DRAM堆疊與混合鍵合（Hybrid Bonding）技術(shù)，長江擁有Xtacking（透過硅通孔/TSV技術(shù)）經(jīng)驗，雙方可望結(jié)合實現(xiàn)中國版本的HBM堆疊技術(shù)。

法人指出，三大內(nèi)存原廠掌控市場主導權(quán)，但陸廠急起直追，影響不可小覷。 近年陸廠以價格戰(zhàn)沖擊市占，導致2023~2024年存儲器均價下跌逾6成。

價格戰(zhàn)促使三星與SK海力士選擇減產(chǎn)，而長鑫與長江則逆勢擴產(chǎn)，以產(chǎn)能換市占策略突破封鎖。

法人預期，三星未來將擴大HBM3E產(chǎn)能，并計劃2025年推出12層堆疊的HBM4。 同時，也將加速汰除舊世代DRAM與NAND產(chǎn)線。業(yè)界分析，地緣政治風險升高，全球記憶體供應鏈加速區(qū)域化。 美韓陣營強化與歐盟、印度合作，而中國大陸則憑借龐大內(nèi)需推動國產(chǎn)替代。 未來五年，兩大陣營在技術(shù)與市場的競爭態(tài)勢，將成為半導體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵觀察指標。