三星電子236層NAND閃存預計年內開始生產

據國外媒體報道，當前全球最大的存儲芯片制造商三星電子，預計會在年內開始生產236層NAND閃存。

此外，它還計劃在本月開設一個新的研發(fā)中心，負責更先進NAND閃存產品的開發(fā)。

韓國媒體在報道中還表示，三星目前量產的NAND閃存，最高是176層，在236層的產品量產之后，三星電子NAND閃存的層數(shù)就將創(chuàng)下新高。

從韓國媒體的報道來看，三星電子對即將量產的236層NAND閃存寄予了厚望。他們在報道中就表示，在NAND閃存市場，三星電子的市場份額占了35%，為全球最高。將層數(shù)增加60層后，他們計劃憑借生產技術、價格及性能上的競爭優(yōu)勢，增加市場份額。

在全球NAND閃存市場上，主要廠商之間的競爭也較為激烈，都在研發(fā)性能更強的產品 —— SK海力士8月2日就在官網宣布，他們已經研發(fā)出了238層512Gb TLC 4D NAND，預計在明年上半年開始量產。美光科技此前也已宣布，他們完成了232層NAND閃存的研發(fā)。