臺積電殺進3納米 決戰(zhàn)三星

臺積電在7納米、5納米制程完封三星后，目前更加快3納米研發(fā)，以延續(xù)領先地位，不讓對手三星有先縫插針搶單的機會，據電子時報報導，臺積電3納米傳出提前啟動，位于南科30公頃用地，可望提前4個月、預計于今年底即可完成交地，擺明就是沖著三星而來。

報導指出，相較于三星陷入7納米EUV制程良率困境，臺積電7納米以下制程持續(xù)推進，幾乎吃下所有芯片大廠訂單，而5納米預計明年第2季量產，目前傳出蘋果、華為和高通將搶下首波產能。

三星7月底曾宣布將在3納米制程推出全新“環(huán)繞柵極”（Gate-All-Around，GAA）技術，號稱超前臺積電1年，更贏過英特爾2~3年。

三星推出全新GAA技術的3納米制程跟當前7納米相較，可使耗能降低50%，芯片面積縮減45%，效能提高35%，預計2021年正式量產；而臺積電也持續(xù)加快3納米技術研發(fā)，預計2021年進行試產、2022年量產，至于3納米技術細節(jié)并未披露。