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DDR4加速退場(chǎng)，DDR5成為主流

  • 三星已向其供應(yīng)鏈傳達(dá)消息，多款基于1y nm（第二代10nm級(jí)別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級(jí)別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進(jìn)入EOL階段。與此同時(shí)，美光已通知客戶(hù)將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過(guò)渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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瀾起科技Q1利潤(rùn)翻倍！DDR5市占全球第一

  • 4月23日晚間，瀾起科技披露一季報(bào)，2025年第一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入12.22億元，同比增長(zhǎng)65.78%；凈利潤(rùn)5.25億元，同比增幅達(dá)135.14%；扣非后凈利潤(rùn)為5.03億元，同比增長(zhǎng)128.83%。瀾起科技目前擁有互連類(lèi)芯片和津逮?服務(wù)器平臺(tái)兩大產(chǎn)品線。該季度，瀾起科技互連類(lèi)芯片產(chǎn)品線銷(xiāo)售收入為11.39億元，同比增長(zhǎng)63.92%；津逮?服務(wù)器平臺(tái)產(chǎn)品線銷(xiāo)售收入為0.8億元，同比增長(zhǎng)107.38%。對(duì)于業(yè)績(jī)大幅增長(zhǎng)原因，瀾起科技指出，主要得益于2024年第4季人工智能（AI）市場(chǎng)成長(zhǎng)強(qiáng)勁，高效運(yùn)算（H
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SK海力士完成基于CXL 2.0的DDR5客戶(hù)驗(yàn)證， 引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新

  • 2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節(jié)）產(chǎn)品的客戶(hù)驗(yàn)證，是基于CXL* 2.0標(biāo)準(zhǔn)的DRAM解決方案產(chǎn)品。SK海力士表示：“將此產(chǎn)品應(yīng)用于服務(wù)器系統(tǒng)，相較于現(xiàn)有的DDR5模組，其容量增長(zhǎng)了50%，寬帶擴(kuò)展了30%，可處理每秒最多36GB的數(shù)據(jù)。該產(chǎn)品有望顯著降低客戶(hù)在構(gòu)建并運(yùn)營(yíng)數(shù)據(jù)中心時(shí)所需的總體擁有成本*?！崩^96GB產(chǎn)品驗(yàn)證，公司正在與其他客戶(hù)開(kāi)展128GB產(chǎn)品的驗(yàn)證流程。該產(chǎn)品搭載第五代10納米級(jí)（1b）32Gb
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瑞薩率先推出第二代面向服務(wù)器的DDR5 MRDIMM完整內(nèi)存接口芯片組解決方案

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案。人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）和其它數(shù)據(jù)中心應(yīng)用對(duì)內(nèi)存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運(yùn)行速度高達(dá)每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內(nèi)存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內(nèi)存供應(yīng)商在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者以及終端客戶(hù)合作，在新型MRDIMM的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)與部署方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。瑞薩設(shè)計(jì)并推出三款全新關(guān)鍵組件：RRG
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芝奇與華碩突破 DDR5-12112 內(nèi)存頻率超頻世界紀(jì)錄

  •  10 月 30 日消息，芝奇國(guó)際今日宣布再度刷新內(nèi)存頻率超頻世界紀(jì)錄，由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績(jī)，通過(guò)液態(tài)氮極限超頻技術(shù)，創(chuàng)下 DDR5-12112 的超頻紀(jì)錄。該紀(jì)錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內(nèi)存，搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下：此成績(jī)已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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美光推出內(nèi)置時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器的超高速DDR5內(nèi)存系列新品，為AI PC的發(fā)展注入動(dòng)力

  • ?Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）于近日宣布推出兩款內(nèi)置時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器的全新類(lèi)型內(nèi)存，即?Crucial??英睿達(dá)??DDR5?時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器無(wú)緩沖雙列直插式內(nèi)存模塊?(CUDIMM)?和時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器小型雙列直插式內(nèi)存模塊?(CSODIMM)，并已開(kāi)始批量出貨。這兩款全新內(nèi)存均符合?JEDEC?標(biāo)準(zhǔn)，運(yùn)行速度高達(dá)?6,400MT/s，是?DDR4?的兩
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消息稱(chēng)三星 1b nm 移動(dòng)內(nèi)存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機(jī)開(kāi)發(fā)

  • IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報(bào)道，三星電子 MX 部門(mén) 8 月向 DS 部門(mén)表達(dá)了對(duì)面向 Galaxy S25 系列手機(jī)的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級(jí)） LPDDR 內(nèi)存樣品供應(yīng)延誤的擔(dān)憂(yōu)。三星電子于 2023 年 5 月啟動(dòng) 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)，后又在當(dāng)年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內(nèi)部推進(jìn) 1b nm LPDDR 移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
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SK海力士成功開(kāi)發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

  • 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開(kāi)發(fā)出采用第六代10納米級(jí)（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)。SK海力士強(qiáng)調(diào)：“隨著10納米級(jí)DRAM技術(shù)的世代相傳，微細(xì)工藝的難度也隨之加大，但公司以通過(guò)業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計(jì)完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開(kāi)始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展?！惫疽?b DRAM
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最新 PC 游戲中的 DDR5 與 DDR4

  • 隨著游戲要求越來(lái)越高，DDR4 和 DDR5 內(nèi)存之間的差距不斷擴(kuò)大。
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存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的下一個(gè)“新寵”是？

  • 人工智能AI浪潮下，以HBM為代表的新型DRAM存儲(chǔ)器迎來(lái)了新一輪的發(fā)展契機(jī)，而與此同時(shí)，在服務(wù)器需求推動(dòng)下，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的另一大“新寵”MRDIMM/MCRDIMM也開(kāi)始登上“歷史舞臺(tái)”。當(dāng)前，AI及大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展帶動(dòng)服務(wù)器CPU內(nèi)核數(shù)量同步增加，為滿(mǎn)足多核CPU中各內(nèi)核的數(shù)據(jù)吞吐要求，需要大幅提高內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬，在此情況下，服務(wù)器高帶寬內(nèi)存模組MRDIMM/MCRDIMM應(yīng)運(yùn)而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM標(biāo)準(zhǔn)細(xì)節(jié)當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月22日，JEDEC宣布即將推出DDR5多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模組
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美光MRDIMM創(chuàng)新技術(shù)打造最高性能、低延遲主存，為數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載加速

  • 美光科技股份有限公司近日宣布，已出樣多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）。該款?MRDIMM?將賦能美光客戶(hù)應(yīng)對(duì)日益繁重的工作負(fù)載，從而最大化計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施的價(jià)值。對(duì)于需要每個(gè)?DIMM?插槽內(nèi)存超過(guò)?128GB?的應(yīng)用，美光?MRDIMM?提供最高帶寬、最大容量、最低延遲以及更高的每瓦性能，在加速內(nèi)存密集型虛擬化多租戶(hù)、高性能計(jì)算和?AI?數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載方面，表現(xiàn)優(yōu)于當(dāng)前的?TSV RDI
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美光科技宣布出貨用于AI數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品

  • 近日，美光科技宣布在業(yè)界率先驗(yàn)證并出貨基于大容量32Gb單塊DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，其速率在所有主流服務(wù)器平臺(tái)上均高達(dá)5600MT/s。據(jù)介紹，該款128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存采用美光行業(yè)領(lǐng)先的1β（1-beta）制程技術(shù)，相較于采用3DS硅通孔（TSV）技術(shù)的競(jìng)品，容量密度提升45%以上，1能效提升高達(dá)22%，2延遲降低高達(dá)16%1。該款高速率內(nèi)存模組特別針對(duì)數(shù)據(jù)中心常見(jiàn)的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用，包括人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）、高性能計(jì)算（HPC）、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)（IMD
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累計(jì)上漲100%還不停！消息稱(chēng)SK海力士將對(duì)內(nèi)存等漲價(jià) 至少上調(diào)20%

  • 5月6日消息，供應(yīng)鏈爆料稱(chēng)，SK海力士將對(duì)旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價(jià)，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說(shuō)法，海力士DRAM產(chǎn)品價(jià)格從去年第四季度開(kāi)始逐月上調(diào)，目前已累計(jì)上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩?？恐鎯?chǔ)漲價(jià)，三星電子2024年第一季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到了6.606萬(wàn)億韓元。財(cái)報(bào)顯示，三星電子一季度存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營(yíng)收17.49萬(wàn)億韓元，環(huán)比增長(zhǎng)11%，同比暴漲96%，在整體的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收當(dāng)中的占比高達(dá)75.58%。三星表示，一季度存儲(chǔ)市場(chǎng)總體需求強(qiáng)勁，特別是生
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AmpereOne-3 芯片明年亮相：256核，支持 PCIe 6.0 和 DDR5

  • 4 月 27 日消息，Ampere Computing 公司首席產(chǎn)品官 Jeff Wittich 近日接受采訪時(shí)表示，將于今年晚些時(shí)候推出 AmpereOne-2，配備 12 個(gè)內(nèi)存通道，改進(jìn)性能的 A2 核心。AmpereOne-2 的 DDR5 內(nèi)存控制器數(shù)量將增加 33%，內(nèi)存帶寬將增加多達(dá) 50%。此外該公司目前正在研究第三代芯片 AmpereOne-3 ，計(jì)劃在 2025 年發(fā)布，擁有 256 個(gè)核心，采用臺(tái)積電的 3nm（3N）工藝蝕刻。附上路線圖如下：AmpereOne-3 將采用改進(jìn)后的
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消息稱(chēng)三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片

  • 2 月 5 日消息，據(jù)報(bào)道，三星將在即將到來(lái)的 2024 年 IEEE 國(guó)際固態(tài)電路峰會(huì)上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。除了之前公布的 GDDR7 內(nèi)存（將在高密度內(nèi)存和接口會(huì)議上亮相），這家韓國(guó)科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內(nèi)存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級(jí)工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)，在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒(méi)有提供太多關(guān)于將在峰會(huì)上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達(dá)每個(gè)引
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