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DDR5：SK 海力士暫時領(lǐng)先，但三星不容小覷

  • 市場買新不買舊，但 DDR5 不是最優(yōu)解？
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三星、美光等推動普及，DDR5正進入放量期

  • 在行業(yè)下行周期時，新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生往往會成為振奮市場的關(guān)鍵點。當下DDR5 DRAM作為存儲領(lǐng)域的新產(chǎn)品，逐漸成為各大企業(yè)競逐的焦點。據(jù)外媒消息報道，行業(yè)專家認為三星、美光等公司正大力推動DDR5內(nèi)存普及，以此遏制半導體市場下滑的趨勢。公開資料顯示，DDR5 DRAM是聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會（JEDEC）于2020年推出的最新DRAM規(guī)范，其性能比DDR4 DRAM高了一倍。據(jù)悉，為了更高的密度和更高的性能，DDR5有望采用最先進的DRAM單元技術(shù)節(jié)點，例如D1z或D1a (D1α)代，這是1
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DDR5 Server DRAM 價格跌幅將收斂

  • 集邦咨詢預估第二季度 DDR5 Server DRAM（服務器內(nèi)存）價格跌幅將收斂，由原預估 15%-20% 收斂至 13%-18%。
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DDR5服務器DRAM價 Q2跌幅料收斂

  • 服務器新平臺英特爾Sapphire Rapids與超威Genoa機種量產(chǎn)在即，但近期市場上傳出服務器DDR5 RDIMM的電源管理IC匹配性問題。研調(diào)機構(gòu)集邦科技（Trendforce）認為，該情況將產(chǎn)生兩種影響，DRAM原廠短期內(nèi)將同步提升對芯源的采購比重，另外內(nèi)存將停留在舊制程，因此預估第二季DDR5服務器DRAM價格跌幅將收斂。 首先，由于僅MPS（芯源系統(tǒng)）供應的電源管理IC無狀況，DRAM原廠短期內(nèi)將同步提升對芯源的采購比重。其次，目前原廠DDR5服務器DRAM生產(chǎn)仍停留在舊制程，短期內(nèi)供給量難
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Server DDR5 RDIMM傳PMIC問題，供給受限跌幅將收斂

  • 服務器新平臺Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa機種量產(chǎn)在即，但近期市場上傳出Server DDR5 RDIMM的PMIC匹配性問題，目前DRAM原廠與PMIC廠商均已著手處理。TrendForce集邦咨詢認為，該情況將產(chǎn)生兩種影響，首先，由于僅MPS（芯源系統(tǒng)）供應的PMIC無狀況，DRAM原廠短期內(nèi)將同步提升對芯源的采購比重。其次，目前原廠DDR5 Server DRAM生產(chǎn)仍停留在舊制程，短期內(nèi)供給量難免受此事件影響，故預估第二季DDR5 Server DRAM
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存儲產(chǎn)品價格大跳水：三星將減產(chǎn) DDR4，轉(zhuǎn)移到 DDR5 / LPDDR5 解決供過于求問題

  • IT之家 4 月 10 日消息，在芯片低迷導致存儲產(chǎn)品價格大跳水的背景下，三星電子第一季度業(yè)績營業(yè)利潤暴跌 95.8%，終于頂不住壓力宣布減產(chǎn)。這是自 1998 年金融危機以來，三星時隔 25 年首次制定正式減產(chǎn)方案。據(jù)韓國《中央日報》援引業(yè)內(nèi)人士消息，三星的減產(chǎn)計劃聚焦以 DDR4 為代表的通用產(chǎn)品，位于華城市的內(nèi)存產(chǎn)品線產(chǎn)量將削減 3 至 6 個月。消息人士表示，雖然產(chǎn)能有所增加（通過技術(shù)性減產(chǎn)），但與去年 2 月和 3 月的同期相比，晶圓總投入已經(jīng)減少了 5-7%。三星電子在其華城和平澤園
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美光科技宣布DDR5服務器內(nèi)存已獲驗證

  • 近日，美光科技宣布，其用于數(shù)據(jù)中心的DDR5服務器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強可擴展處理器上得到全面驗證。據(jù)介紹，美光DDR5提供的內(nèi)存帶寬是前幾代產(chǎn)品的兩倍，這對于推動當今數(shù)據(jù)中心處理器內(nèi)核的快速增長至關(guān)重要。過渡到DDR5將提供更高的帶寬以釋放每個處理器的更多計算能力，從而有助于緩解未來幾年的潛在瓶頸。美光DDR5結(jié)合第四代Intel Xeon Scalable處理器使包括SPECjbb在內(nèi)的廣泛工作負載受益，與前幾代相比，它在 Critical-jOPS（每秒 Java 操作數(shù)）基準測試中的性能
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美光：DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品已在第四代英特爾至強可擴展處理器中完成驗證

  • IT之家 1 月 17 日消息，美光昨日宣布，公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的 DDR5 服務器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強可擴展處理器系列產(chǎn)品中完成驗證。據(jù)介紹，美光 DDR5 所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實現(xiàn)了翻番。升級到 DDR5 將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺處理器的計算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。IT之家了解到，美光數(shù)據(jù)顯示，SPECjbb 在關(guān)鍵 jOPS（每秒 Java 運行次數(shù)）的基準測試中，性能比前代產(chǎn)品提升了近 49%。除了更高的內(nèi)存帶寬和更強的性
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美光DDR5為第四代英特爾至強可擴展處理器家族帶來更強的性能和可靠性

  • Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的DDR5服務器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾?至強?可擴展處理器系列產(chǎn)品中完成驗證。美光 DDR5?所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實現(xiàn)了翻番，為當今數(shù)據(jù)中心快速增長的處理器內(nèi)核提供更強賦能。升級到 DDR5?將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺處理器的計算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。美光 DDR5 與第四代英特爾??至強??可擴展處理器強強聯(lián)手，可為各
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SK 海力士開發(fā) 1anm DDR5 DRAM，兼容第四代英特爾至強可擴展處理器

  • IT之家 1 月 13 日消息，SK 海力士宣布，公司研發(fā)的第四代 10 納米級（1a）DDR5 服務器 DRAM 獲得了近期上市的全新第四代 Xeon 服務器處理器（代號為 Sapphire Rapids）兼容認證。SK 海力士表示，采用 EUV（極紫外線）技術(shù)的 1a 納米 DDR5 DRAM 產(chǎn)品獲得了英特爾推出的第四代 Xeon 服務器處理器可支持的存儲器認證。將通過目前在量產(chǎn)的 DDR5 積極應對增長趨勢的服務器市場，盡早克服存儲器半導體的低迷市況。新一代服務器用 CPU 上
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三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

  • 三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用12納米（nm）級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。三星電子首款12納米級DDR5 DRAM三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負責人Jooyoung Lee表示："三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運營的基礎(chǔ)。"AMD高級副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計算
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美光與AMD宣布全新技術(shù)合作

  • 12月19日，美光宣布，與AMD在奧斯汀建立聯(lián)合服務器實驗室，以減少服務器內(nèi)存驗證時間。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5內(nèi)存和第四代AMD EPYCTM（霄龍）處理器均已出貨。長期以來，超級計算機承擔著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行TB級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預測；地震建模；化學、物理和生物分析等。隨著計算機架構(gòu)的進步，此類工作負載往往托管在超大型“可橫向擴展”的高性能服務器集群中。這些服務器集群需要集合最強大的算力、架構(gòu)、內(nèi)存和存儲
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美光 DDR5 搭配第四代 AMD EPYC 處理器官方基準測試：內(nèi)存帶寬翻倍

  • IT之家 12 月 19 日消息，據(jù)美光發(fā)布，美光與 AMD 雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務器實驗室，以減少服務器內(nèi)存驗證時間，在產(chǎn)品驗證和發(fā)布期間共同進行工作負載測試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTM （霄龍）處理器均已出貨，官方對其進行了一些常見的高性能計算（HPC）工作負載基準測試。長期以來，超級計算機承擔著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行 TB 級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣
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美光 DDR5 內(nèi)存配合第四代 AMD EPYC 處理器，提升高性能計算工作負載

  • 美光與AMD聯(lián)手為客戶及數(shù)據(jù)中心平臺提供一流的用戶體驗。雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務器實驗室，以減少服務器內(nèi)存驗證時間，在產(chǎn)品驗證和發(fā)布期間共同進行工作負載測試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTMTM （霄龍）處理器均已出貨，我們對其進行了一些常見的高性能計算（HPC）工作負載基準測試。 長期以來，超級計算機承擔著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行TB 級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預測；地震建模；化學、物理和生
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SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存：超越DDR5-4800 80％！

  • SK海力士宣布，已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存， 起步速率就可以達到8Gbps，相比于標準的DDR5-4800快了多達80％ ，也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā)，面向服務器領(lǐng)域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路復用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù)，通過在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
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