ddr5 mrdimm 文章 最新資訊
存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的下一個(gè)“新寵”是?
- 人工智能AI浪潮下,以HBM為代表的新型DRAM存儲(chǔ)器迎來了新一輪的發(fā)展契機(jī),而與此同時(shí),在服務(wù)器需求推動(dòng)下,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的另一大“新寵”MRDIMM/MCRDIMM也開始登上“歷史舞臺(tái)”。當(dāng)前,AI及大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展帶動(dòng)服務(wù)器CPU內(nèi)核數(shù)量同步增加,為滿足多核CPU中各內(nèi)核的數(shù)據(jù)吞吐要求,需要大幅提高內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬,在此情況下,服務(wù)器高帶寬內(nèi)存模組MRDIMM/MCRDIMM應(yīng)運(yùn)而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM標(biāo)準(zhǔn)細(xì)節(jié)當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月22日,JEDEC宣布即將推出DDR5多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模組
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美光MRDIMM創(chuàng)新技術(shù)打造最高性能、低延遲主存,為數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載加速
- 美光科技股份有限公司近日宣布,已出樣多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊(MRDIMM)。該款?MRDIMM?將賦能美光客戶應(yīng)對(duì)日益繁重的工作負(fù)載,從而最大化計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施的價(jià)值。對(duì)于需要每個(gè)?DIMM?插槽內(nèi)存超過?128GB?的應(yīng)用,美光?MRDIMM?提供最高帶寬、最大容量、最低延遲以及更高的每瓦性能,在加速內(nèi)存密集型虛擬化多租戶、高性能計(jì)算和?AI?數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載方面,表現(xiàn)優(yōu)于當(dāng)前的?TSV RDI
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美光科技宣布出貨用于AI數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品
- 近日,美光科技宣布在業(yè)界率先驗(yàn)證并出貨基于大容量32Gb單塊DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存,其速率在所有主流服務(wù)器平臺(tái)上均高達(dá)5600MT/s。據(jù)介紹,該款128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存采用美光行業(yè)領(lǐng)先的1β(1-beta)制程技術(shù),相較于采用3DS硅通孔(TSV)技術(shù)的競品,容量密度提升45%以上,1能效提升高達(dá)22%,2延遲降低高達(dá)16%1。該款高速率內(nèi)存模組特別針對(duì)數(shù)據(jù)中心常見的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用,包括人工智能(AI)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)、高性能計(jì)算(HPC)、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(IMD
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累計(jì)上漲100%還不停!消息稱SK海力士將對(duì)內(nèi)存等漲價(jià) 至少上調(diào)20%
- 5月6日消息,供應(yīng)鏈爆料稱,SK海力士將對(duì)旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價(jià),漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法,海力士DRAM產(chǎn)品價(jià)格從去年第四季度開始逐月上調(diào),目前已累計(jì)上漲約60%-100%不等,下半年漲幅將趨緩??恐鎯?chǔ)漲價(jià),三星電子2024年第一季營業(yè)利潤達(dá)到了6.606萬億韓元。財(cái)報(bào)顯示,三星電子一季度存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營收17.49萬億韓元,環(huán)比增長11%,同比暴漲96%,在整體的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收當(dāng)中的占比高達(dá)75.58%。三星表示,一季度存儲(chǔ)市場總體需求強(qiáng)勁,特別是生
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AmpereOne-3 芯片明年亮相:256核,支持 PCIe 6.0 和 DDR5
- 4 月 27 日消息,Ampere Computing 公司首席產(chǎn)品官 Jeff Wittich 近日接受采訪時(shí)表示,將于今年晚些時(shí)候推出 AmpereOne-2,配備 12 個(gè)內(nèi)存通道,改進(jìn)性能的 A2 核心。AmpereOne-2 的 DDR5 內(nèi)存控制器數(shù)量將增加 33%,內(nèi)存帶寬將增加多達(dá) 50%。此外該公司目前正在研究第三代芯片 AmpereOne-3 ,計(jì)劃在 2025 年發(fā)布,擁有 256 個(gè)核心,采用臺(tái)積電的 3nm(3N)工藝蝕刻。附上路線圖如下:AmpereOne-3 將采用改進(jìn)后的
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消息稱三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片
- 2 月 5 日消息,據(jù)報(bào)道,三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路峰會(huì)上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。除了之前公布的 GDDR7 內(nèi)存(將在高密度內(nèi)存和接口會(huì)議上亮相),這家韓國科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內(nèi)存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級(jí)工藝技術(shù)開發(fā),在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒有提供太多關(guān)于將在峰會(huì)上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息,但我們知道,這款 DDR5 的 I / O 速度高達(dá)每個(gè)引
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大廠有意擴(kuò)產(chǎn)DDR5、HBM 內(nèi)存
- 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇明確,包括旺宏、南亞科、創(chuàng)見、鑫創(chuàng)、廣穎、鈺創(chuàng)、商丞等七家公司,去年12月營收呈現(xiàn)月增,且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價(jià)續(xù)漲。然全球第二大內(nèi)存生產(chǎn)商SK海力士計(jì)劃階段性擴(kuò)產(chǎn),為內(nèi)存市況投下變量。海力士透露,公司可能于第一季縮小DRAM減產(chǎn)幅度,NAND Flash生產(chǎn)策略可能視情況在第二季或第三季跟著調(diào)整。針對(duì)內(nèi)存大廠有意擴(kuò)產(chǎn),國內(nèi)存儲(chǔ)器廠商則認(rèn)為,海力士擴(kuò)廠應(yīng)集中在DDR5和HBM(高帶寬內(nèi)存)產(chǎn)品為主,因?yàn)榕_(tái)灣目前產(chǎn)品主攻DDR4,不致影響產(chǎn)品報(bào)價(jià)。TrendForc
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存儲(chǔ)模組廠商積極發(fā)力DDR5
- 隨著PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺(tái)不斷推陳出新,DDR5日益受到市場青睞。除了原廠持續(xù)布局外,近期威剛、十銓科技、宇瞻等模組廠商亦積極投入DDR5,并持續(xù)看好這類產(chǎn)品后續(xù)發(fā)展。威剛對(duì)外表示,現(xiàn)階段觀察到存儲(chǔ)市場需求端主要來自于PC,客戶需求明顯好轉(zhuǎn),且隨著PC存儲(chǔ)器容量提升,預(yù)期明年上半年DDR5將會(huì)超越DDR4,形成黃金交叉。以目前現(xiàn)貨市場來看,DDR5單價(jià)較DDR4高四至五成,對(duì)威剛而言,DDR5比重提升,有助毛利率表現(xiàn)。產(chǎn)品布局方面,威剛DDR5主攻電競市場,已推出LANCER BLADE RGB DDR
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存儲(chǔ)器大廠積極布局,DDR5與HBM受青睞
- 今年以來,ChatGPT持續(xù)推動(dòng)生成式AI需求上漲,加上PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺(tái)不斷推陳出新,HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場青睞,存儲(chǔ)器大廠不約而同積極布局上述產(chǎn)品。DDR5:美光發(fā)布新品、三星計(jì)劃擴(kuò)大產(chǎn)線當(dāng)前DDR5制程已經(jīng)來到1β DRAM,今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存,速率高達(dá) 7200 MT/s,現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場的所有客戶出貨。此外,該款DDR5內(nèi)存采用先進(jìn)的High-K CMOS器件工藝、四相時(shí)鐘和時(shí)鐘同步技術(shù),相比上一代產(chǎn)品,性能提升高
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DDR5 成競逐焦點(diǎn)
- 如今,無論是 PC、筆記本電腦還是人工智能,各行業(yè)正在加速向 DDR5 新紀(jì)元邁進(jìn)。今年,生成式 AI 市場蓬勃發(fā)展,用于大模型應(yīng)用的 AI 服務(wù)器大力推動(dòng)了對(duì) DDR5 的需求。隨著內(nèi)存市場需求的回暖,內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第四季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能。那么,DDR5 究竟有哪些優(yōu)勢?以及它如何成為未來存儲(chǔ)市場的焦點(diǎn)?DDR3、DDR4 再到 DDR5在過去的十多年,DDR3 內(nèi)存是服務(wù)器中常用的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),其時(shí)鐘頻率通常從 800MHz 到 2133MHz 不等,適用于小型企業(yè)和辦公環(huán)境等,隨
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美光推高速內(nèi)存 效能增5成
- 美光的新一代內(nèi)存,目前已出貨給數(shù)據(jù)中心及PC客戶。美光1β DDR5 DRAM可擴(kuò)大運(yùn)算能力,并以更高效能輔佐數(shù)據(jù)中心及客戶端平臺(tái),支持AI訓(xùn)練及推論、生成式AI、數(shù)據(jù)分析、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫等。美光推出的16Gb DDR5內(nèi)存,以其領(lǐng)先1β制程節(jié)點(diǎn)技術(shù),美光1β DDR5 DRAM的內(nèi)建系統(tǒng)功能速率可達(dá)7,200MT/s,相較于前一代產(chǎn)品,效能可提升50%,每瓦效能功耗可降低33%。全新1β DDR5 DRAM產(chǎn)品,在現(xiàn)有模塊化密度中,速率可達(dá)4,800MT/s至7,200MT/s,適用于數(shù)據(jù)中心及客戶端應(yīng)用。
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DDR5時(shí)代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視
- 在人工智能(AI)、機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中,我們對(duì)數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級(jí)增長。面對(duì)這種前景,內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵“動(dòng)脈”。其中,以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR(Double Data Rate)技術(shù)作為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的重要演進(jìn),極大地推動(dòng)了計(jì)算機(jī)性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術(shù)誕生,到 2020 年 DDR5,每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個(gè)方面都實(shí)現(xiàn)了顯著的進(jìn)步。如今,無論是 PC、筆電還是人工智能,各行業(yè)正在加
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明年,DDR5內(nèi)存或?qū)⒊蔀橹髁?/a>
- 據(jù)媒體引述內(nèi)存模組制造商表示,主要半導(dǎo)體制造商正在增加DDR5內(nèi)存的可用容量,該內(nèi)存預(yù)計(jì)將在2024年成為主流。預(yù)計(jì)到2023年底,他們的DDR5內(nèi)存bit銷售額合計(jì)將占bit銷售額總額的30-40%。DDR5是第5代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存,又稱DDR5 SDRAM。相比DDR4,DDR5在帶寬,頻率上優(yōu)勢都是非常明顯的。今年來,DDR5的動(dòng)態(tài)頻繁傳來:三星方面,該公司于今年5月量產(chǎn)12納米級(jí)16Gb DDR5 DRAM,于9月已成功開發(fā)12nm級(jí)32Gb DDR5 DRAM。三星表示,全新12
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美光訂價(jià)能力升 營運(yùn)露曙光
- 內(nèi)存大廠美光即將于27日盤后公布最新財(cái)報(bào),鑒于美光對(duì)DRAM的訂價(jià)能力提升,市場高度期待美光獲利進(jìn)一步改善,預(yù)期產(chǎn)業(yè)最壞情況已過。由于內(nèi)存大廠近期積極減產(chǎn),部分市場需求轉(zhuǎn)強(qiáng),AI服務(wù)器需求尤為強(qiáng)勁,致使DRAM報(bào)價(jià)逐漸改善。美光財(cái)務(wù)長Mark Murphy先前透露,若供應(yīng)鏈持續(xù)保持自制力、預(yù)測價(jià)格有望于2023年下半轉(zhuǎn)強(qiáng)。美光營運(yùn)有望改善,帶動(dòng)股價(jià)逐漸走強(qiáng),該公司年初迄今股價(jià)已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商,紛紛上調(diào)美光投資評(píng)等及目標(biāo)價(jià)。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評(píng)等,目標(biāo)價(jià)從75美元調(diào)高到
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三星發(fā)布其容量最大的12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品
- 2023年9月1日,三星宣布采用12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù),開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM(DDR5 DRAM:五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級(jí)16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就,這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域中的地位,并開啟了大容量內(nèi)存時(shí)代的新篇章。 三星12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM(1)"在三星最新推出的12納米級(jí)32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上,我們可以研發(fā)出實(shí)現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
- 關(guān)鍵字: 三星 12納米 DDR5 DRAM
ddr5 mrdimm介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)ddr5 mrdimm的理解,并與今后在此搜索ddr5 mrdimm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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