ddr5 mrdimm 文章進(jìn)入ddr5 mrdimm技術(shù)社區(qū)

7nm、24核心、DDR5、PCIe 4.0：Intel一下子都有了！

早在2019年初的CES大展上，Intel就宣布了基于10nm工藝、面向5G無線基站的Snow Ridge SoC處理器，直到今年2月底才正式發(fā)布，定名凌動Atom P5900，但沒有公布具體規(guī)格。根據(jù)最新消息，Snow Ridge的繼任者代號為“Grand Ridge”，而這次，詳細(xì)的規(guī)格參數(shù)提前一覽無余。Grand Ridge將采用7nm工藝制造，BGA封裝面積47.5×47.5平方毫米，而且特別強(qiáng)調(diào)是Intel自家的7nm HLL+工藝，這意味著它可能要到2023年才會面世。但等待是值得的，除了先進(jìn)
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曝英特爾11代移動標(biāo)壓處理器明年Q1發(fā)布支持DDR5內(nèi)存

　　根據(jù)外媒 VideoCardz 的消息，9 月 2 日，英特爾將推出其 Tiger Lake-U 系列處理器，采用 Willow Cove 架構(gòu)和 Xe 核顯。爆料者 @momomo_us 的最新消息稱，英特爾計(jì)劃在 2021 年初推出名為 Tiger Lake-H 系列產(chǎn)品。▲via Vide
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DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)確定，中國企業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)沒能入選

都說一流的企業(yè)定標(biāo)準(zhǔn)，可見能夠參與制定標(biāo)準(zhǔn)的企業(yè)，都是最頂尖的企業(yè)，所以我們能夠看到每當(dāng)一項(xiàng)國際標(biāo)準(zhǔn)出爐時，各國的企業(yè)們都是打破頭的想把自己的標(biāo)準(zhǔn)定為國標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)。比如大家最熟悉的通信標(biāo)準(zhǔn)制定，從1G到5G標(biāo)準(zhǔn)的確定，那可是一項(xiàng)波瀾壯闊的通信技術(shù)競爭史，也是中國通信技術(shù)的崛起史。而不久前，跳票了近2年時間之后，JEDEC終于確定了JESD79-5 DDR5 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，這也是一項(xiàng)國際標(biāo)準(zhǔn)，有利于內(nèi)存企業(yè)們盡快推出自己的DDR5內(nèi)存。但與DDR4標(biāo)準(zhǔn)有中國企業(yè)參與不同，瀾起科技在DDR4F時代，發(fā)明的DDR
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PC 新時代！DDR5 內(nèi)存規(guī)范正式發(fā)布：最高速度達(dá) 6.4Gbps，單芯片密度達(dá) 64Gbit

作為計(jì)算機(jī)內(nèi)存發(fā)展的重要里程碑，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會發(fā)布了下一個主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范。DDR5是DDR標(biāo)準(zhǔn)的最新迭代，DDR5再次擴(kuò)展了DDR內(nèi)存的功能，將峰值內(nèi)存速度提高了一倍，同時也大大增加了內(nèi)存容量?；谛聵?biāo)準(zhǔn)的硬件預(yù)計(jì)將于2021年推出，先從服務(wù)器層面開始采用，之后再逐步推廣到消費(fèi)者PC和其他設(shè)備。外媒anandtech報道，和之前的每一次DDR迭代一樣，DDR5的主要關(guān)注點(diǎn)再次放在提高內(nèi)存密度以及速度上。JEDEC希望將這兩方面都提高一倍，最高內(nèi)存速度將達(dá)到6.4Gbps
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DDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)來了：頻率、帶寬提升，功耗降低

去年下半年開始，使用 LPDDR5 內(nèi)存的手機(jī)陸續(xù)發(fā)布。雖然用于電腦的 DDR5 內(nèi)存與用于手機(jī)的 LPDDR5 并不相同，但這也讓許多 DIY 玩家期待 DDR5 內(nèi)存的到來，那么它今天真的來了。JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會最初計(jì)劃在 2018 年公布 DDR5 SDRAM 最終規(guī)范，但是很顯然跳票了。兩年后的今天，新規(guī)范正式公布，同時各大內(nèi)存廠商也表示基于新規(guī)范的內(nèi)存產(chǎn)品最快年內(nèi)就能進(jìn)行量產(chǎn)，不過一開始會用在服務(wù)器上，后來才是家用 PC 以及其他設(shè)備。本次的新標(biāo)準(zhǔn)主要提升了內(nèi)存密度和頻率，其中
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Intel拍胸脯：DDR5、PCIe 5.0明年見！

因?yàn)榉N種原因,Intel的產(chǎn)品規(guī)劃這兩年調(diào)整非常頻繁,路線圖經(jīng)常出現(xiàn)變動,無論是消費(fèi)級還是企業(yè)級。在近日與投資者溝通時,Intel公關(guān)總監(jiān)Trey Campbell就保證說,將在今年第二季度末(最遲至6月底)發(fā)布代號Ice Lake-SP的下一代至強(qiáng)服務(wù)器平臺,明年某個時候則會帶來Sapphire Rapids。Ice Lake-SP將采用和移動端Ice Lake-U/Y系列相同的10nm工藝、Sunny Cove CPU架構(gòu),并更換新的LGA4189封裝接口,核心數(shù)量和頻率暫時不詳(據(jù)說最多38核心),
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SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范：頻率高達(dá)8400MHz、今年量產(chǎn)

盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。簡單來說,DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳(廠商一般都會從4800MHz出貨)、最高可達(dá)8400MHz(時序瑟瑟發(fā)抖……)。核心容量密度方面,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說,DDR5時代單條內(nèi)存最大可到128GB。其它參數(shù)也均有明顯改進(jìn),兩個關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和VPP分別從1.2V、2.5V將至1.1V、1.8V,可進(jìn)一步緩解
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SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范：頻率高達(dá)8400MHz、今年量產(chǎn)

盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾?！　『唵蝸碚f，DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳（廠商一般都會從4800MHz出貨）、最高可達(dá)8400MHz（時序瑟瑟發(fā)抖……）。　　核心容量密度方面，SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇，也就是說，DDR5時代單條內(nèi)存最大可到128GB?！　∑渌鼌?shù)也均有明顯改進(jìn)，兩個關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和
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Intel、AMD推遲支持：DDR5內(nèi)存明年殺到

據(jù)外媒報道稱,由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺了。三星方面也已經(jīng)表示,2021年量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,并且使用EUV工藝,制作將會在韓國平澤的新工廠進(jìn)行,三星同時宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內(nèi)存已經(jīng)出貨了100萬。三星表示EUV技術(shù)減少了光刻中多次曝光的重復(fù)步驟,并提高了光刻的準(zhǔn)確度,從而提高性能、提高產(chǎn)量,并縮短了開發(fā)時間。三星估計(jì),使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內(nèi)存,其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍。據(jù)悉,三星第四代10nm
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中國芯片工廠停擺、DDR5延期？美光辟謠：一切正常

韓媒報道稱美國美光公司在中國地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴(yán)重影響,生產(chǎn)中斷,拖累DDR5量產(chǎn),不過美光方面否認(rèn)了相關(guān)報道。最近的疫情危機(jī)不僅影響了很多的生活,更重要的是導(dǎo)致一些工廠不能正常開工。韓國媒體報道稱,春節(jié)期間,美光公司在中國地區(qū)不僅辦公室工作受到影響,生產(chǎn)線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國區(qū)目前已經(jīng)開始恢復(fù)生產(chǎn),但是臨時中斷產(chǎn)線已經(jīng)帶來嚴(yán)重?fù)p失,還推遲了DDR5內(nèi)存量產(chǎn)的計(jì)劃,對客戶的供貨也會出現(xiàn)問題。針對這些報道,美光公司下午發(fā)表聲明否認(rèn),聲稱美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關(guān)注國際性新冠
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中國芯片工廠停擺、DDR5延期？美光辟謠：一切正常

韓媒報道稱美國美光公司在中國地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴(yán)重影響,生產(chǎn)中斷,拖累DDR5量產(chǎn),不過美光方面否認(rèn)了相關(guān)報道。最近的疫情危機(jī)不僅影響了很多的生活,更重要的是導(dǎo)致一些工廠不能正常開工。韓國媒體報道稱,春節(jié)期間,美光公司在中國地區(qū)不僅辦公室工作受到影響,生產(chǎn)線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國區(qū)目前已經(jīng)開始恢復(fù)生產(chǎn),但是臨時中斷產(chǎn)線已經(jīng)帶來嚴(yán)重?fù)p失,還推遲了DDR5內(nèi)存量產(chǎn)的計(jì)劃,對客戶的供貨也會出現(xiàn)問題。針對這些報道,美光公司下午發(fā)表聲明否認(rèn),聲稱美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關(guān)注國際性新冠
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美光交付全球首款量產(chǎn)的LPDDR5芯片

美光科技近日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM 芯片，并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)。
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美光出樣DDR5內(nèi)存：1Znm工藝、性能提升85%

2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝
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