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SK 海力士據(jù)報(bào)道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價(jià)格上調(diào) 20%,因 Q3 需求保持強(qiáng)勁
- 隨著內(nèi)存制造商逐步淘汰 DDR4,預(yù)計(jì)出貨將在 2026 年初結(jié)束,合同價(jià)格持續(xù)上漲。據(jù)中國(guó)的 華爾街見(jiàn)聞 報(bào)道,SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內(nèi)存的合同價(jià)格上調(diào)約 20%,標(biāo)志著新一輪價(jià)格上漲。這種趨勢(shì)與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應(yīng),該機(jī)構(gòu)指出,三大主要 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能重新分配給高端產(chǎn)品,并逐步淘汰 PC、服務(wù)器級(jí) DDR4 和移動(dòng) LPDDR4X。因此,據(jù) TrendForce 預(yù)測(cè),2025 年第三季度主流 DRAM 的平
- 關(guān)鍵字: DDR4 DRAM 存儲(chǔ)
主要內(nèi)存制造商的 DDR4 退出時(shí)間表逐漸明朗:三星、SK 海力士和美光計(jì)劃
- 隨著主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 DDR5 和 HBM,他們的 DDR4 淘汰時(shí)間表逐漸清晰。根據(jù)商業(yè)時(shí)報(bào)的報(bào)道,三星、SK 海力士和美光計(jì)劃在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出貨。TrendForce 的最新調(diào)查也顯示,三大 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高端產(chǎn)品,并已開(kāi)始宣布 PC 和服務(wù)器級(jí) DDR4 以及移動(dòng) LPDDR4X 的停產(chǎn)計(jì)劃。因此,預(yù)計(jì) 2025 年第三季度的傳統(tǒng) DRAM 合同價(jià)格將上漲 10%至 15%。包括 HBM 在內(nèi),整體 DRAM 價(jià)格預(yù)計(jì)將上漲 15%至 2
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ) DDR4 HBM
內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新:16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存價(jià)格上升,而 PC 內(nèi)存失去動(dòng)力
- 根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告,關(guān)于 DRAM,16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)上漲,而 8Gb DDR4 等 PC 內(nèi)存芯片則出現(xiàn)輕微回調(diào)。至于 NAND 閃存,供應(yīng)商逐步釋放產(chǎn)能資源,加上中國(guó)國(guó)家補(bǔ)貼的減弱效應(yīng),導(dǎo)致現(xiàn)貨市場(chǎng)低迷。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格:盡管過(guò)去一周現(xiàn)貨價(jià)格略有下降,但這主要反映了之前 DDR4 芯片價(jià)格的快速大幅上漲。整體供應(yīng)仍然非常緊張。值得注意的是,16Gb DDR4 消費(fèi)級(jí) DRAM 芯片的現(xiàn)貨價(jià)格繼續(xù)上漲,而 8Gb DDR4 等
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DDR4漲勢(shì)Q4觸頂、NAND持平
- TrendForce最新釋出的存儲(chǔ)器市場(chǎng)觀察指出,2025年第二季以來(lái)快速上漲的DDR4價(jià)格漲勢(shì),恐將在第四季觸頂回落; 而NAND市場(chǎng)雖受惠AI需求帶動(dòng),但因供需未形成緊張態(tài)勢(shì),價(jià)格預(yù)期多呈持平。TrendForce表示,DDR4近期的強(qiáng)勁漲勢(shì),主要來(lái)自供應(yīng)商削減產(chǎn)出與市場(chǎng)搶貨潮,但這波動(dòng)能可能難以延續(xù)至年底。根據(jù)通路查核,隨著價(jià)格進(jìn)入高檔區(qū)間,供應(yīng)商正逐步釋出庫(kù)存,預(yù)期第四季整體供應(yīng)將逐步改善。DDR5方面,目前價(jià)格趨勢(shì)穩(wěn)定,2025年第二、三季價(jià)格季增幅度預(yù)估介于3%至8%之間。 不過(guò),部分二線OE
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新:DDR4 模塊價(jià)格超過(guò) DDR5;關(guān)稅擔(dān)憂可能引發(fā)恐慌性購(gòu)買
- 根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告,關(guān)于 DRAM,DDR4 模塊的價(jià)格已經(jīng)超過(guò)了 DDR5 模塊的價(jià)格。展望未來(lái),短期內(nèi)一個(gè)關(guān)鍵的關(guān)注點(diǎn)是新的美國(guó)關(guān)稅是否會(huì)被實(shí)施——這可能會(huì)引發(fā)又一波恐慌性購(gòu)買。至于 NAND 閃存,由于國(guó)家補(bǔ)貼驅(qū)動(dòng)的早期需求拉動(dòng),618 購(gòu)物節(jié)對(duì) NAND 閃存現(xiàn)貨價(jià)格和交易的影響弱于預(yù)期。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格:現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格顯著上漲。此外,DDR4 模塊價(jià)格已超過(guò) DDR5 模塊價(jià)格,從而本周需求略有放緩。然而,DDR4 產(chǎn)品的供應(yīng)緊張程度遠(yuǎn)比 DDR5
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ) DDR4 DDR5 市場(chǎng)分析
歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格飆升,據(jù)報(bào)道使 DDR5 翻倍,推動(dòng)南亞科技的庫(kù)存暴利
- 上周,臺(tái)灣地區(qū)頂級(jí) DRAM 制造商南亞科技據(jù)報(bào)道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報(bào)價(jià),因?yàn)閮r(jià)格飆升?,F(xiàn)在,隨著 DDR4 16Gb 芯片的價(jià)格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫(kù)存中獲利,根據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)的最新數(shù)據(jù),引用了 DRAMeXchange 的數(shù)據(jù),DRAMeXchange 是一個(gè)趨勢(shì)力旗下的 DRAM 定價(jià)平臺(tái)。隨著三星、美光和中國(guó)芯片制造商縮減 DDR4 生產(chǎn),南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應(yīng)商。據(jù)報(bào)告稱,南亞科技第一季度庫(kù)存飆升至創(chuàng)紀(jì)錄的 37.59 億新
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DDR4瘋狂漲價(jià),DRAM廠商爆賺

- 據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道,由于DDR4供應(yīng)減少,再加上市場(chǎng)神秘買家大舉出手掃貨,最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價(jià)等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來(lái)報(bào)價(jià)已翻漲一倍以上,不僅跨過(guò)DRAM廠損益平衡點(diǎn),更達(dá)到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報(bào)價(jià)大漲,甚至比更高規(guī)格的DDR5報(bào)價(jià)更高,呈現(xiàn)“價(jià)格倒掛”,業(yè)界直言:“至少十年沒(méi)看過(guò)現(xiàn)貨價(jià)單日漲幅這么大。”根據(jù)DRAM專業(yè)報(bào)價(jià)網(wǎng)站DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示,6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價(jià)全面暴漲,DDR4 8Gb(1G×8)3200大漲7.8%,
- 關(guān)鍵字: DDR4 DRAM 三星 美光 南亞科技 華邦電子 HBM
價(jià)格再看漲! 美光親證實(shí)DDR4將停產(chǎn)大缺貨
- 全球三大DRAM原廠確定從DDR4規(guī)格,轉(zhuǎn)向先進(jìn)制程產(chǎn)品。 繼韓系兩大內(nèi)存業(yè)者先后釋出DDR4停產(chǎn)時(shí)程,美光(Micron)確定已向客戶發(fā)出信件通知DDR4將停產(chǎn)(EOL,End of Life),預(yù)計(jì)未來(lái)2~3季陸續(xù)停止出貨。美光執(zhí)行副總裁暨業(yè)務(wù)執(zhí)行長(zhǎng)Sumit Sadana接受DIGITIMES專訪表示,DDR4將繼續(xù)「嚴(yán)重缺貨」,未來(lái)美光DDR4/LPDDR4 DRAM,僅會(huì)策略性針對(duì)三大領(lǐng)域長(zhǎng)期客戶持續(xù)供應(yīng),而DDR5/LPDDR5產(chǎn)品正進(jìn)入市場(chǎng)價(jià)格甜蜜點(diǎn)。美光同步釋出未來(lái)市場(chǎng)策略走向,會(huì)針對(duì)獲利
- 關(guān)鍵字: 美光 DDR4 停產(chǎn)大缺貨
芯片巨頭,「扔掉」這些業(yè)務(wù)
- 上半年,時(shí)至過(guò)半。回顧這半年的半導(dǎo)體市場(chǎng),似是相對(duì)平靜,但是仔細(xì)回想也有不少芯片巨頭在該背景下做了諸多調(diào)整。它們接連「動(dòng)刀」,果斷退出部分產(chǎn)品領(lǐng)域。在這個(gè)過(guò)程中會(huì)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成哪些影響?又有哪些公司同步受益?芯片巨頭,放棄這些芯片存儲(chǔ)三巨頭,計(jì)劃停產(chǎn)?DDR3?和DDR4關(guān)于三星、SK 海力士、美光等主要 DRAM 制造商計(jì)劃停產(chǎn) DDR3 和 DDR4 內(nèi)存的消息,想必業(yè)內(nèi)人士早有耳聞。今年 2 月,這則消息正式傳來(lái),這一決策是由于對(duì)?HBM(高帶寬內(nèi)存)和 DDR5 等
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新:DDR4供應(yīng)緊張大幅漲價(jià) DDR5 逐步啟動(dòng)
- 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告,關(guān)于 DRAM,現(xiàn)貨市場(chǎng)顯示,由于預(yù)期未來(lái)供應(yīng)趨緊,DDR4 產(chǎn)品的價(jià)格相比 DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存,買家放慢了詢價(jià)和交易的速度。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格:與合約市場(chǎng)的情況類似,現(xiàn)貨市場(chǎng)顯示,由于預(yù)期未來(lái)供應(yīng)趨緊,DDR4 產(chǎn)品的價(jià)格與 DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格相比上漲幅度更大。DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格也繼續(xù)逐步上漲,因?yàn)槟K公司急于增加庫(kù)存。TrendForce 集邦咨詢相信,整體而言,現(xiàn)貨價(jià)格在整個(gè) 2Q25
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三星因關(guān)稅前囤積而提高DRAM價(jià)格,DDR4上漲20%
- 在特朗普加征關(guān)稅之前囤積數(shù)據(jù)推動(dòng)的 DRAM 需求激增似乎是真實(shí)的。據(jù)韓國(guó) Etnews 報(bào)道,三星一年多來(lái)首次提高了 DRAM 價(jià)格,其中 DDR4 的漲幅最大。該報(bào)告表明,三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價(jià)條款,已將 DDR4 價(jià)格提高了約 20%。與此同時(shí),該報(bào)告補(bǔ)充說(shuō),DDR5 價(jià)格的漲幅較小,約為 5%。三星第二季度利潤(rùn)或?qū)⒌玫教嵴裰档米⒁獾氖?,Etnews 表示,由于 DRAM 價(jià)格是以數(shù)月為基礎(chǔ)進(jìn)行談判的,因此最近的上漲預(yù)計(jì)將在一段時(shí)間內(nèi)支持盈利能力,從而為三星第二
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DDR4加速退場(chǎng),DDR5成為主流

- 三星已向其供應(yīng)鏈傳達(dá)消息,多款基于1y nm(第二代10nm級(jí)別)工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn),以及1z nm(第三代10nm級(jí)別)工藝制造的8Gb LPDDR4也將進(jìn)入EOL階段。與此同時(shí),美光已通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊,而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過(guò)渡,把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度:DDR4帶寬為25.6GB/s,DDR5帶寬為32GB/s;· 芯片密度:DDR4芯片密度為
- 關(guān)鍵字: DDR4 DDR5 三星 SK海力士 內(nèi)存 HBM
三大內(nèi)存廠持續(xù)減產(chǎn)DDR4
- 三大原廠紛紛縮減舊制程產(chǎn)能,除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm制程的DDR4生產(chǎn),美光亦通知客戶停產(chǎn)服務(wù)器用舊制程DDR4模組,SK海力士據(jù)傳也將DDR4產(chǎn)出比重降至20%。法人認(rèn)為,市場(chǎng)景氣低迷,上游存儲(chǔ)器廠加速產(chǎn)品迭代,降低單位成本以提升獲利,同時(shí)將資源轉(zhuǎn)向高帶寬記憶體(HBM)及DDR5等高階產(chǎn)品。短期內(nèi)內(nèi)存價(jià)格受到關(guān)稅備貨與供給控制支撐,但整體環(huán)境不確定性高,未來(lái)基本面仍存隱憂。三星已通知供應(yīng)鏈,1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4內(nèi)存將于2025年4月停止生產(chǎn)(EOL)
- 關(guān)鍵字: DDR4 三星 SK海力士 美光
Teledyne e2v 雙倍容量太空級(jí) 8GB DDR4 內(nèi)存芯片,面向高可靠性太空應(yīng)用
- 超緊湊、彈性的存儲(chǔ)器芯片提高了面向通信、地球觀測(cè)、科學(xué)和邊緣計(jì)算的衛(wèi)星的高級(jí)任務(wù)的SWaP。8GB DDR4的合格工程樣片 (EM) 現(xiàn)已發(fā)布,飛行正片 (FM) 正在制造中,計(jì)劃于2025年初推出。超快、高密度8GB DDR4存儲(chǔ)器提供與較小的4GB DDR4選項(xiàng)相同的外形尺寸和引腳兼容性-是下一代設(shè)計(jì)的理想選擇。新的高速8GB DDR4存儲(chǔ)器支持2400MT/s的傳輸速率。它對(duì)高達(dá)60 MeV.cm2/mg 的單粒子閂鎖 (SEL) 具有免疫力。此外,該器件提供100 krad總電離劑量 (TID),
- 關(guān)鍵字: 宇航級(jí) DDR4 存儲(chǔ)器
ddr4介紹
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問(wèn)的內(nèi)存美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細(xì) ]
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