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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr4

DDR4今年年底抵達PC

  • 　　DDR4作為DDR3 DRAM的繼承者，Micron本周一宣布明年將有望和大家見面，被應(yīng)用在普通PC上。據(jù)澳大利亞的Techworld報道，公司已經(jīng)為發(fā)售初始版本的內(nèi)存DDR4做好準(zhǔn)備。DDR3作為目前主流電腦的不二選擇，相比較即將來臨的DDR4已經(jīng)明顯在功耗和性能上落后，新的DDR4有望工作在更低的電壓下，相比較和1.5V DDR3只需要1.2V，并且總線速度將定位在2133MHz，無論在讀寫性能和刷新頻率上都明顯強于前任。 　　制定內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的電子設(shè)備工程聯(lián)合協(xié)會(JEDEC)下個月將推出DDR4
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美光宣布首個DDR4內(nèi)存模組研發(fā)完成

  • 　　雖然比起目前韓國雙雄兼世界前兩大內(nèi)存/閃存設(shè)備生產(chǎn)商三星與SK Hynix慢了一步，但美光還是緊追不放在今日正式宣布該公司首個DDR4 DRAM模組研發(fā)完成。目前即將開始制造樣品給主要客戶送測，預(yù)計將于2013年正式進入市場。 　　根據(jù)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC的規(guī)劃，服務(wù)器以及企業(yè)市場將于2013年最先嘗到DDR4的甜頭，它對比目前的DDR3內(nèi)存擁有更高的頻率和更低的工作電壓。美光此次宣布的產(chǎn)品和臺灣南亞科技共同研發(fā)，采用30nm制程工藝。單“條”內(nèi)存模組擁有8塊4Gbit
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英特爾計劃2014年開始支持DDR4

  • 　　DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過一年半左右才進入桌面。據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級服務(wù)器平臺Haswell-EX將會第一個整合DDR4內(nèi)存控制器。Haswell-EX和我們經(jīng)常展望的Haswell屬于同一家族，面向數(shù)據(jù)中心等大型企業(yè)領(lǐng)域，最多擁有16個核心，四路就是64核心。 　　DDR4內(nèi)存不僅會帶來頻率的大幅提升(最高可達4266MHz)，更會有1.2V低電壓、更好的對等保護和錯誤恢復(fù)等技術(shù)，這些大
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英特爾計劃2014年開始支持DDR4

  • 　　DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過一年半左右才進入桌面。據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級服務(wù)器平臺Haswell-EX將會第一個整合DDR4內(nèi)存控制器。Haswell-EX和我們經(jīng)常展望的Haswell屬于同一家族，面向數(shù)據(jù)中心等大型企業(yè)領(lǐng)域，最多擁有16個核心，四路就是64核心。 　　DDR4內(nèi)存不僅會帶來頻率的大幅提升(最高可達4266MHz)，更會有1.2V低電壓、更好的對等保護和錯誤恢復(fù)等技術(shù)，這些大
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DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性大公開：電壓僅1.2V

  • 　　JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會今天公布了DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中的部分關(guān)鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會宣稱，DDR4將具備一系列創(chuàng)新特性，可帶來更快的運行速度和廣泛的實用性，包括服務(wù)器、筆記本、臺式機、消費電子產(chǎn)品等等，其頻率、電壓和架構(gòu)也都在進行重新定義，目標(biāo)是簡化新標(biāo)準(zhǔn)的遷移和部署。
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JEDEC準(zhǔn)備迎接DDR4內(nèi)存規(guī)格

  • 內(nèi)存芯片的雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR4）的標(biāo)準(zhǔn)將包括三個數(shù)據(jù)寬度的產(chǎn)品，差分信號傳輸，數(shù)據(jù)屏蔽和一個新的終止計劃，根據(jù)JEDEC的固態(tài)技術(shù)協(xié)會，標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)商制定的標(biāo)準(zhǔn)。
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iSuppli:DDR4將在2014年集中上市

  • 　　據(jù)IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù)，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達8.08億個左右，預(yù)計DDR3將占89%，高于去年的67%和2009年的24%。DRAM模組是包含DRAM芯片的封裝，用于PC和其它電子產(chǎn)品之中。
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三星開發(fā)出新一代高速內(nèi)存芯片

  • 　　三星電子星期二稱，它已經(jīng)開發(fā)出了一種新的計算機內(nèi)存模塊，讀寫數(shù)據(jù)的速度是上一代內(nèi)存芯片的一倍。 　　三星電子在聲明中稱，它將在2012年開始使用30納米級的技術(shù)生產(chǎn)這種新的DDR4 DRAM內(nèi)存模塊。 　　
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ddr4介紹

DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細(xì) ]

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