ddr4 文章 進(jìn)入ddr4技術(shù)社區(qū)
國產(chǎn)內(nèi)存真的來了:紫光可提供DDR3、DDR4內(nèi)存芯片

- 還記得前段時(shí)間鬧得沸沸揚(yáng)揚(yáng)的國產(chǎn)DDR4芯片的傳聞嗎?當(dāng)時(shí)有消息稱紫光旗下的半導(dǎo)體公司量產(chǎn)了國內(nèi)首個(gè)DDR4內(nèi)存,只是這事疑點(diǎn)重重,最后紫光官方也辟謠稱目前并沒有DDR4內(nèi)存量產(chǎn),相關(guān)產(chǎn)品正在研發(fā)中。 現(xiàn)在國產(chǎn)DDR4內(nèi)存又來了,涉及的還是紫光旗下的西安國芯半導(dǎo)體,其官網(wǎng)頁面明確提到了可以長期供應(yīng)DDR3、DDR4在內(nèi)的DRAM芯片和裸晶圓。 這次涉及國產(chǎn)DDR4的還是紫光集團(tuán)的子公司紫光國芯,旗下?lián)碛形靼沧瞎鈬尽⑸钲趪?、紫光同?chuàng)等公司。根據(jù)官網(wǎng)介紹,&ld
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SK海力士搞定單Die 16Gb DDR4顆粒:256GB內(nèi)存條有戲

- SK海力士近日悄然在其產(chǎn)品目錄中增加了16Gb(2GB)容量的單Die DDR4內(nèi)存顆粒,不僅可以使用更少的芯片打造大容量內(nèi)存條,還為單條256GB內(nèi)存條鋪平了道路。 16Gb乃至是32Gb DDR4顆粒其實(shí)并不罕見,SK海力士等早都有了,不過是用兩顆或者四顆8Gb Die堆疊而成的,再造出16GB、32GB內(nèi)存條。 但是,如此密集堆疊的內(nèi)存顆粒和內(nèi)存條十分復(fù)雜,比如64GB LRDIMM條子需要設(shè)置為四個(gè)Rank,128GB的更得八個(gè)Rank,結(jié)果導(dǎo)致延遲非常高,DDR4-2400/26
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紫光國芯官方確認(rèn) 首款國產(chǎn)DDR4內(nèi)存明年上市
- 最近,一張印有紫光國芯(UniIC)LOGO 的內(nèi)存條出現(xiàn)在了網(wǎng)絡(luò)上,有人稱這就是紫光自主研發(fā)的 DDR4 內(nèi)存。一開始大家還不太相信圖片的真實(shí)性,因?yàn)橘N紙上出現(xiàn)了 PC3-12800U 的字樣,對(duì)應(yīng)的其實(shí)是 DDR3 1600 內(nèi)存。但是近日紫光官方竟然主動(dòng)承認(rèn)了,他們表示這雖然不是真的,但是紫光確實(shí)有相關(guān)的計(jì)劃。 近日,紫光國芯在全景網(wǎng)投資者互動(dòng)平臺(tái)上發(fā)出了正式回應(yīng),他們表示上述關(guān)于 DDR4 產(chǎn)品的報(bào)道并不確切,但是公司現(xiàn)在確實(shí)在開展 DDR4存儲(chǔ)芯片和模組的設(shè)計(jì)與開發(fā)工作,而按照計(jì)劃,該
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兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)
- 搶攻DRAM市場商機(jī),三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(jí)(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案,以達(dá)更高效能、更低功耗,以及更小的體積。 DRAM市場表現(xiàn)強(qiáng)勁,IC Insights預(yù)估,2017年DRAM市場將激增74%,為1994年以來最大增幅;未來DRAM預(yù)計(jì)將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別,產(chǎn)值高
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三星第二代10nm級(jí)別8Gb DDR4內(nèi)存投產(chǎn),以后高頻條3600MHz起跳

- 三星剛才宣布量產(chǎn)第二代10nm級(jí)別(1y-nm)的8Gb DDR4內(nèi)存顆粒,新的內(nèi)存具備更高的頻率與更低的供貨,以及更小的尺寸,產(chǎn)能可以比初代10nm級(jí)別(1x-nm)的高30%,然而價(jià)格嘛……應(yīng)該暫時(shí)不會(huì)降。 新的1y-nm 8Gb DDR4顆粒采用了先進(jìn)的專用電路設(shè)計(jì)技術(shù),性能水平與效能會(huì)比1x-nm的高約10%到15%,它能夠在3600MHz下運(yùn)行,而1x-nm的8Gb DDR4顆粒則是3200MHz,也就是說以后的高頻內(nèi)存要以360
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第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%,明年首季確定再漲
- DRAM 內(nèi)存市場近期嚴(yán)重供不應(yīng)求,造成全球內(nèi)存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價(jià)格再上調(diào) 3% 至 5%。 而另一家內(nèi)存大廠 SK 海力士也將調(diào)漲約 5%。 除此之外,有部分供應(yīng)鏈透露,2018 年第 2 季的價(jià)格恐也將不樂觀,價(jià)格將續(xù)漲 5% 以上。 因此,在需求太強(qiáng)勁的情況下,此波 DRAM 價(jià)格從 2016年下半年以來,每季都呈現(xiàn)上漲的態(tài)勢。 如果加上 2018 年第 1 季持續(xù)漲價(jià),報(bào)價(jià)已經(jīng)連續(xù) 7 季走揚(yáng),堪稱 DRAM 史上時(shí)間最長的多頭行情。 事實(shí)上,當(dāng)前的第 4 季是傳統(tǒng)
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至少到明年一季度!內(nèi)存價(jià)格依舊持續(xù)維持高位

- 近一年多來,內(nèi)存價(jià)格持續(xù)高漲,雖然這一段時(shí)間暫時(shí)有所平穩(wěn),漲價(jià)的勢頭似乎被遏制住了,但想降價(jià)的話短期內(nèi)還是個(gè)夢。 據(jù)博板堂統(tǒng)計(jì),2017年10月份中國區(qū)TOP11內(nèi)存品牌總出貨量又下滑了10%左右,連續(xù)兩個(gè)月倒退。 原因主要是上游DRAM內(nèi)存顆粒供應(yīng)依然十分緊張,而且供貨時(shí)間有限,再加上雙11電商備貨影響,整個(gè)市場異常慘淡。 作為內(nèi)存行業(yè)老大,金士頓缺貨問題非常嚴(yán)重,實(shí)際出貨時(shí)間只有半個(gè)月左右,整體工廠出貨量創(chuàng)下歷史新低,當(dāng)月還
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DDR4陣營持續(xù)擴(kuò)大 將首度超越DDR3
- 第四代高速DRAM存儲(chǔ)器DDR4自2014年上市以來,銷售額在整體DRAM存儲(chǔ)器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(jià)(ASP)跌至約與DDR3相同,當(dāng)年DDR4銷售額占比更是飆升至45%,大幅拉近與DDR3占比間的距離。 調(diào)研機(jī)構(gòu)ICInsights預(yù)估,隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86Core系列處理器等都開始向DDR4存儲(chǔ)器靠攏,預(yù)計(jì)2017年全球DDR4銷售額占比將會(huì)揚(yáng)升至58%,首度超越DDR3的39%,正式終結(jié)過去6年DDR3占比持續(xù)維持第一的
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DDR4將首度超越DDR3 2017年占整體DRAM58%
- 第四代高速DRAM存儲(chǔ)器DDR4自2014年上市以來,銷售額在整體DRAM存儲(chǔ)器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(jià)(ASP)跌至約與DDR3相同,當(dāng)年DDR4銷售額占比更是飆升至45%,大幅拉近與DDR3占比間的距離。 調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)估,隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86 Core系列處理器等都開始向DDR4存儲(chǔ)器靠攏,預(yù)計(jì)2017年全球DDR4銷售額占比將會(huì)揚(yáng)升至58%,首度超越DDR3的39%,正式終結(jié)過去6年DDR3占比持續(xù)維持第
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DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正在制定:比DDR4快兩倍!
- 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示,新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始,計(jì)劃明年定稿。 據(jù)悉,用于服務(wù)器和臺(tái)式PC上的DDR5內(nèi)存速度將是DDR4內(nèi)存的兩倍之多,執(zhí)行效率也更高。 同時(shí),針對(duì)智能手機(jī)以及筆記本電腦等對(duì)續(xù)航有更高要求的設(shè)備,還會(huì)推出低電壓版的LPDDR5內(nèi)存。 雖然看起來DDR5內(nèi)存非常值得期待,但分析師卻對(duì)其前景并不看好,反而認(rèn)為DDR內(nèi)存時(shí)代將在DDR4生命周期結(jié)束時(shí)謝幕。 分析師認(rèn)為,DDR5會(huì)首先被應(yīng)用于服務(wù)器和高端PC領(lǐng)域,隨后才會(huì)逐漸向下普及。但
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ddr4介紹
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細(xì) ]
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