首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr4

20納米轉(zhuǎn)換困難重重　4Gb DDR4主流之路恐延后

  • 　　DRAM廠轉(zhuǎn)進20納米制程困難重重，業(yè)界傳出美光(Micron)旗下的20納米制程產(chǎn)品大量導入終端應用的時間點，會遞延至2016年第1季，象征4Gb DDR4成為主流的時間點也會延后。然而美光旗下華亞科表示，目前20納米制程轉(zhuǎn)進速度一切都如預期，年底會有8萬片的12吋晶圓轉(zhuǎn)進20納米制程，資本支出不會改變。 　　日前傳出韓系存儲器廠25納米制程的產(chǎn)品未過PC OEM客戶認證，導致部分貨源流入現(xiàn)貨市場，這也代表進入先進制程技術(shù)后，產(chǎn)品認證的嚴格度大幅攀升，未來20納米制程世代的問題更嚴重，轉(zhuǎn)進20納米
  • 關(guān)鍵字： DDR4  20納米  

淺談 DDR4 的技術(shù)變革與市場趨勢

  • 　　動態(tài)隨機存取記憶體(Dynamic Random-Access Memory，DRAM)是常見的記憶體元件。在處理器相關(guān)運作中，DRAM 經(jīng)常被用來當作資料與程式的主要暫存空間。相對于硬碟或是快閃記憶體(Flash Memory)，DRAM 具有存取速度快、體積小、密度高等綜合優(yōu)點，因此廣泛的使用在各式各樣現(xiàn)代的科技產(chǎn)品中，例如電腦、手機、游戲機、影音播放器等等。 　　   　　自 1970 年英代爾(Intel)發(fā)表最早的商用 DRAM 晶片-Intel 1103 開始，隨著半導
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR4  

威剛超頻存儲器創(chuàng)紀錄

  • 　　記憶體品牌威剛科技宣布，威剛XPG Z1 DDR4 3333超頻記憶體搭配華碩(ASUS)ROG系列Rampage V Extreme主機板，以液態(tài)氮(LN2)超頻，直達4255MHz CL17，締造了全新紀錄。 　　威剛長期與各大主機板廠合作，努力追求DDR4搭配Intel最新X99平臺的最高效能。秉持堅強的研發(fā)實力，全新閃耀金色版的威剛XPG Z1 DDR4 3333MHz此次輕松突破4GHz大關(guān)，還達到了4255MHz CL17的超高頻率與時序，證明了威剛XPG Z1 DDR4 3333超頻記
  • 關(guān)鍵字： 威剛  DDR4  

Altera演示FPGA中業(yè)界性能最好的DDR4存儲器數(shù)據(jù)速率

  • 　　Altera公司今天宣布，在硅片中演示了DDR4存儲器接口，其工作速率是業(yè)界最高的2，666 Mbps。Altera的Arria® 10 FPGA和SoC是目前業(yè)界唯一能夠支持這一速率DDR4存儲器的FPGA，存儲器性能比前一代FPGA提高了43%，比競爭20 nm FPGA高出10%。硬件設計人員現(xiàn)在可以使用最新的Quartus® II軟件v14.1，在Arria 10 FPGA和SoC設計中實現(xiàn)2，666 Mbps DDR4存儲器數(shù)據(jù)速率。視頻演示表明，魯棒的存儲器接口能夠工作在2
  • 關(guān)鍵字： Altera  FPGA  DDR4  

鎖定巨量數(shù)據(jù)應用 三星加快量產(chǎn)DDR4、TLC SSD

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)為迎接巨量資料(Big Data)時代的來臨，將以資料儲存半導體事業(yè)一決勝負，目標擬以DDR4 DRAM和3D V-NAND為基礎的固態(tài)硬碟(SSD)列為核心產(chǎn)品。 　　據(jù)韓國Inews 24報導，總括負責三星半導體事業(yè)部的DS部門將擴編人力，在集團底下成立巨量資料中心，并依照產(chǎn)品分析消費者的喜好程度等，強化事業(yè)力量。 　　DDR4 DRAM相較于DDR3，待機電流減少30%、耗電量減少35%，是能源使用效率高的產(chǎn)品。資料傳輸速度也較DDR3快2倍
  • 關(guān)鍵字： 三星  DDR4  SSD  

Intel絕妙創(chuàng)意：同時兼容DDR3/DDR4規(guī)格

  • 　　以往每次內(nèi)存更新?lián)Q代的時候，Intel總是同時提供支持，主板廠商也會推出一些同時有兩種插槽的板子，給大家更多選擇，但是這一次的Haswell-E，Intel狠心只支持DDR4(據(jù)說其實也支持DDR3但屏蔽了)，實在有點激進。 　　不過，Intel其實還有一個鬼點子“UniDIMM”(Universal DIMM)，可以讓DDR3、DDR4、LPDDR3甚至是未來的LPDDR4共享一種接口規(guī)格，隨便更換、升級。 　　   　　Universal DIMM(U
  • 關(guān)鍵字： Intel  DDR3  DDR4  

瀾起科技推出全球首顆第二代DDR4的寄存時鐘驅(qū)動芯片

  • 　　瀾起科技集團有限公司，專注于為家庭娛樂和云計算市場提供以芯片為基礎的全方位解決方案的全球無晶圓廠供應商，27日宣布推出全球首顆第二代DDR4寄存時鐘驅(qū)動器芯片(DDR4RCD02)。 　　DDR4RCD02 芯片完全符合最新的JEDEC DDR4RCD02規(guī)范，支持2667MHz及以上的時鐘頻率。該芯片在性能和速度較其最高支持DDR4-2400的第一代DDR4寄存時鐘驅(qū)動芯片(DDR4RCD01)有顯著改善。目前瀾起科技已經(jīng)將DDR4RCD02工程樣片交給客戶，供其開發(fā)支持第二代DDR4 RDI
  • 關(guān)鍵字： 瀾起科技  DDR4  

DDR4市場容量將達十億美金

  • 　　歷經(jīng)六年的開發(fā)時間，DDR4終于踏上征程，揚帆起航。 　　近日英特爾服務器處理器Xeon E5-2600系列，正式推出采用Haswell新運算架構(gòu)的第三代產(chǎn)品Xeon E5-2600 v3，開始支持時鐘頻率達2133MHz的DDR4存儲器，這表明在PC、服務器平臺叱咤風云多年的DDR3進入世代交替的階段。 　　其實英特爾的這個出乎意料的舉動還滿反常的，因為這異于其以往處理器支持新規(guī)格存儲器的步調(diào)──通常先針對PC平臺、再針對服務器平臺。但目前英特爾僅在第三季才剛推出的高階桌上型PC處理器當中(Co
  • 關(guān)鍵字： DDR4  處理器  

三星業(yè)內(nèi)首先量產(chǎn)企業(yè)級服務器用DDR4內(nèi)存

  • 　　全球存儲領(lǐng)軍品牌三星電子今日宣布，已開始正式量產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款基于3D TSV(through silicon via,硅通孔)封裝技術(shù)的64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存。該款高密度高性能的內(nèi)存模塊不僅能推動企業(yè)級服務器和云計算環(huán)境下應用程序的不斷發(fā)展，也會在數(shù)據(jù)中心解決方案的進一步多樣化上起到關(guān)鍵性作用。 　　新推出的RDIMM內(nèi)存由36個DDR4 DRAM芯片組成，而每片芯片又包含4顆4Gb的DDR4 DRAM裸片。這款低能耗的芯片采用了三星最尖端的20納米級制程技術(shù)和3D TSV封裝技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字： 三星  DDR4  

Molex更新DDR4 DIMM插座

  • 　　Molex公司現(xiàn)推出DDR4 DIMM插座產(chǎn)品，具有氣動及標準兩種型款，為設計工程師提供更多的選項和更高的性能，同時保持成本競爭力。氣動插座產(chǎn)品具有通孔端接類型和流線型的鎖閂及外殼, 提供更好的氣流及節(jié)省空間;而標準型款則具有三種端接類型：用于免焊工藝的壓接式;簡化印刷電路板(PCB)跡線路由的表面安裝類型;以及用于高成本效益應用的通孔類型。 　　所有Molex DDR4 DIMM插座均可滿足JEDEC規(guī)范并支持UDIMM、RDIMM和LRDIMM內(nèi)存應用，設計用于數(shù)據(jù)、計算、電信和網(wǎng)絡服務器，具有
  • 關(guān)鍵字： Molex  DDR4  插座  

Cadence推出16納米FinFET制程DDR4 PHY IP

  • 　　全球電子設計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設計系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS)于2014年5月20日宣布，立即推出基于臺積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知識產(chǎn)權(quán))。16納米技術(shù)與Cadence創(chuàng)新的架構(gòu)相結(jié)合，可幫助客戶達到DDR4標準的最高性能，亦即達到3200Mbps的級別，相比之下，目前無論DDR3還是DDR4技術(shù)，最高也只能達到2133Mbps的性能。通過該技術(shù)，需要高內(nèi)存帶寬的服務器、網(wǎng)絡交換、存儲器結(jié)構(gòu)和其他片上系統(tǒng)(SoC)現(xiàn)在可以使用Cadence? DD
  • 關(guān)鍵字： Cadence  DDR4 PHY IP  CRC  

Teledyne LeCroy提供了新的288腳的DDR4內(nèi)插器

  • 　　Teledyne?LeCroy(力科)，世界高速I/O分析和協(xié)議測試方案的領(lǐng)導者，升級了其Kibra?480?DDR協(xié)議分析儀平臺，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內(nèi)存模塊的探測選件。新的內(nèi)插器支持DDR4?U-DIMM，R-DIMM，以及LR-DIMM，并能夠?qū)γ總€通道的速率高達3200MT/s的兩個DIMM進行非侵入式監(jiān)控?！　⌒碌膬?nèi)插器的設計是用于配合力科的Kibra?480的協(xié)議分析儀的使用，其可坐落于DIMM內(nèi)存槽中，且可
  • 關(guān)鍵字： Teledyne  DDR4  DIMM  JEDEC  

力科新288腳DDR4內(nèi)插器配合Kibra 480協(xié)議分析儀

  • 　　Teledyne?LeCroy(力科)，世界高速I/O分析和協(xié)議測試方案的領(lǐng)導者，升級了其Kibra?480?DDR協(xié)議分析儀平臺，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內(nèi)存模塊的探測選件。新的內(nèi)插器支持DDR4?U-DIMM，R-DIMM，以及LR-DIMM，并能夠?qū)γ總€通道的速率高達3200MT/s的兩個DIMM進行非侵入式監(jiān)控?！　⌒碌膬?nèi)插器的設計是用于配合力科的Kibra?480的協(xié)議分析儀的使用，其可坐落于DIMM內(nèi)存槽中，且可
  • 關(guān)鍵字： Teledyne  DDR4  DIMM  JEDEC  

首個DDR4 IP設計方案在28納米級芯片上獲驗證

  • ?　　全球電子設計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設計系統(tǒng)公司(CadenceDesignSystems,Inc.)日前宣布，CadenceDDR4SDRAMPHY和存儲控制器DesignIP的首批產(chǎn)品在TSMC的28HPM和28HP技術(shù)工藝上通過硅驗證。
  • 關(guān)鍵字： DDR4  28納米  

Cadence首個DDR4 Design IP解決方案在28納米級芯片上得到驗證

  • 全球電子設計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設計系統(tǒng)公司(Cadence Design Systems, Inc.) (NASDQ： CDNS) 日前宣布，Cadence DDR4 SDRAM PHY 和存儲控制器Design IP的首批產(chǎn)品在TSMC的28HPM和28HP技術(shù)工藝上通過硅驗證。
  • 關(guān)鍵字： Cadence  DRAM  DDR4  
共83條 5/6 |‹ « 1 2 3 4 5 6 »

ddr4介紹

DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細 ]

熱門主題

DDR4    樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473