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DRAM火災(zāi)后遺癥:海力士三星死杠搶芯片市場(chǎng)
- DRAM短缺,合約價(jià)格持續(xù)上揚(yáng),市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce指出,主流模組4GB10月價(jià)格較9月成長(zhǎng)6.25%,預(yù)計(jì)在下旬合約價(jià)公布后,現(xiàn)貨與合約顆粒價(jià)格將更為貼近。而SK海力士火災(zāi)過(guò)后,韓商三星半導(dǎo)體藉擴(kuò)張產(chǎn)能欲奪回PC-DRAM市場(chǎng)主導(dǎo)地位,2家韓商已打起PC-DRAM市占率的爭(zhēng)奪保衛(wèi)戰(zhàn)。 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,受到SK海力士火災(zāi)影響,供給面出現(xiàn)短缺使得合約價(jià)格持續(xù)上揚(yáng),主流模組4GB最高價(jià)格已經(jīng)站上34美元,與9月相較
- 關(guān)鍵字: 海力士 DRAM
Q2全球DRAM市場(chǎng)營(yíng)運(yùn)利潤(rùn)率27%創(chuàng)三年新高
- 根據(jù)市調(diào)公司IHS表示,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)近來(lái)歷經(jīng)快速成長(zhǎng),寫下近三年來(lái)的利潤(rùn)率新高記錄。全球DRAM的營(yíng)運(yùn)利潤(rùn)率從今年第一季的11%大幅成長(zhǎng),最近在第二季已經(jīng)達(dá)到27%了──這也是自2010年以來(lái)的最高水準(zhǔn)。事實(shí)上,IHS強(qiáng)調(diào)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率已經(jīng)持續(xù)六個(gè)月的穩(wěn)步成長(zhǎng)了。 IHS指出,多年來(lái)PC一直是DRAM的主要應(yīng)用,隨著近來(lái)PC市場(chǎng)下滑,2012年時(shí)首度出現(xiàn)PC在DRAM應(yīng)用的比重不到50%的窘境。在后PC時(shí)代,許多裝置──特別是行動(dòng)裝置──每單位用量更少,使得整個(gè)DRAM市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字: DRAM PC
全球DRAM營(yíng)利率11% 創(chuàng)3年新高
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS17日發(fā)布報(bào)告指出,拜高平均售價(jià)(ASP)之賜,全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營(yíng)業(yè)利益創(chuàng)近三年新高,自第一季的11%倍增至27%,僅次于2010年第三季的33%。 在連6季衰退之后,且面對(duì)PC市場(chǎng)持續(xù)萎靡的狀況下,DRAM獲利表現(xiàn)連續(xù)2季攀升,期間DRAM產(chǎn)品平均單價(jià)第一季漲4%,而第二季更是跳增12%。IHS看好DRAM這股逆轉(zhuǎn)氣勢(shì)將可一直持續(xù)至2013年底。 當(dāng)季表現(xiàn)最亮眼當(dāng)屬南韓的SK海力士,該公司營(yíng)利率達(dá)33%,而居次的爾必達(dá)(Elpida)也有32%,兩者都優(yōu)于DR
- 關(guān)鍵字: DRAM PC
DRAM雙雄 營(yíng)收高歌
- DRAM雙雄報(bào)喜,南科與華亞科7日公布9月?tīng)I(yíng)收,南科為38.05億元,月增8.3%。華亞科為59.76億元,月增7.3%,且連七個(gè)月增長(zhǎng),也創(chuàng)歷史新高。 華亞科月?tīng)I(yíng)收是以客戶前三個(gè)月產(chǎn)品均價(jià)來(lái)計(jì)算,因此9月業(yè)績(jī)是以6月至8月的價(jià)格為估算基礎(chǔ),尚未納入SK海力士無(wú)錫廠受災(zāi)后,DRAM價(jià)格上漲所帶來(lái)的利益。華亞科指出,9月?tīng)I(yíng)收增加,主要是產(chǎn)品組合變化,與產(chǎn)品平均單價(jià)(ASP)上揚(yáng)帶動(dòng)。 華亞科已連四個(gè)月單月?tīng)I(yíng)收在50億元以上水平,外界估算,DRAM價(jià)格飆漲后,華亞科10月業(yè)績(jī)還會(huì)更好,預(yù)期可突
- 關(guān)鍵字: DRAM 存儲(chǔ)器
SK海力士無(wú)錫大火余波:DRAM芯片漲價(jià)42%
- 9月4日,SK海力士無(wú)錫工廠發(fā)生大火,暫時(shí)關(guān)閉并停止生產(chǎn)。由于無(wú)錫工廠占SK海力士總產(chǎn)量一半,SK海力士又是全球第二大DRAM制造商,因此,這場(chǎng)大火造成全球芯片價(jià)格大幅上漲,創(chuàng)出兩年來(lái)新高;有業(yè)內(nèi)人士表示,智能手機(jī)和計(jì)算機(jī)廠商成本的提高或?qū)⑦M(jìn)一步推高電子類產(chǎn)品價(jià)格的上漲。 DRAM芯片價(jià)已大漲42% 公開(kāi)資料顯示,SK海力士是全球第二大DRAM芯片制造商,全球DRAM市場(chǎng)占有率達(dá)到24.6%,僅次于三星的50%,無(wú)錫工廠的產(chǎn)量占到了SK海力士總產(chǎn)量的一半。 9月4日,SK海力士無(wú)錫工
- 關(guān)鍵字: SK海力士 DRAM
DRAM產(chǎn)品市場(chǎng)趨向成熟

- 據(jù)市調(diào)公司IC Insights今年7月發(fā)表的一份名為“Global Wafer Capacity 2013 report”報(bào)告稱,2012年末存儲(chǔ)器和代工(主要生產(chǎn)邏輯和混合信號(hào)電路)所用晶圓(以200mm晶圓計(jì))已超過(guò)世界每月晶圓產(chǎn)能的一半,計(jì)共922.7萬(wàn)片,占64%(其中存儲(chǔ)器占36.1%,代工27.5%),隨后邏輯電路占12.4%,微芯片(MPU,MCU和DSP)10.3%,模擬電路9.6%,其他4.1%。
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 晶圓 DRAM 201310
SK海力士火災(zāi)致DRAM芯片價(jià)格創(chuàng)兩年來(lái)新高
- 北京時(shí)間9月24日晚間消息,在SK海力士無(wú)錫工廠本月發(fā)生火災(zāi)后,DRAM存儲(chǔ)芯片的價(jià)格已大幅上漲42%,這意味著智能手機(jī)和計(jì)算機(jī)廠商正面臨更高的元件成本。 根據(jù)亞洲最大DRAM存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)DRAMeXchange的數(shù)據(jù),2GBDDR3DRAM芯片的價(jià)格周一上漲至2.27美元,而9月4日SK海力士無(wú)錫工廠發(fā)生火災(zāi)時(shí)為1.60美元。SK海力士預(yù)計(jì),受火災(zāi)影響的生產(chǎn)線將于下月恢復(fù)生產(chǎn)。 SK海力士是全球第二大存儲(chǔ)芯片提供商,客戶包括蘋果(489.1,-1.54,-0.31%)公司、戴爾(
- 關(guān)鍵字: SK海力士 DRAM
TSMC和Cadence合作開(kāi)發(fā)3D-IC參考流程以實(shí)現(xiàn)真正的3D堆疊
- ? 新參考流程增強(qiáng)了CoWoSTM (chip-on-wafer-on-substrate)芯片設(shè)計(jì) ? 使用帶3D堆疊的邏輯搭載存儲(chǔ)器進(jìn)行過(guò)流程驗(yàn)證 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(NASDAQ:CDNS)今天宣布,臺(tái)積電與Cadence合作開(kāi)發(fā)出了3D-IC參考流程,該流程帶有創(chuàng)新的真正3D堆疊。該流程通過(guò)基于Wide I/O接口的3D堆疊,在邏輯搭載存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)上進(jìn)行了驗(yàn)證 ,可實(shí)現(xiàn)多塊模的整合。它將臺(tái)積電的3D堆疊技術(shù)和Cadence?3D-IC解決方案相結(jié)合,包
- 關(guān)鍵字: Cadence 3D-IC
達(dá)索系統(tǒng)發(fā)布SOLIDWORKS 2014版本
- 全球3D設(shè)計(jì)、3D數(shù)字樣機(jī)、產(chǎn)品全生命周期管理(PLM)解決方案和3D體驗(yàn)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者達(dá)索系統(tǒng)(Dassault Systèmes)(巴黎歐洲證券交易所:#13065, DSY.PA)今日發(fā)布了SOLIDWORKS® 2014 3D軟件產(chǎn)品組合,涵蓋了3D CAD、仿真、產(chǎn)品數(shù)據(jù)管理、技術(shù)溝通和電氣設(shè)計(jì),助力企業(yè)突破限制,實(shí)現(xiàn)更多創(chuàng)新設(shè)計(jì)。 全新發(fā)布的SOLIDWORKS 2014版本提供了卓越的生產(chǎn)效率和可用性,使得企業(yè)可以更專注于知識(shí)密集型任務(wù),從而推動(dòng)產(chǎn)品的創(chuàng)新。
- 關(guān)鍵字: SOLIDWORKS 3D
半導(dǎo)體領(lǐng)域“3D”技術(shù)日益重要
- 最近,“三維”一詞在半導(dǎo)體領(lǐng)域出現(xiàn)得十分頻繁。比如,英特爾采用22nm工藝制造的采用立體通道結(jié)構(gòu)的“三維晶體管”、8月份三星電子宣布量產(chǎn)的“三維NAND閃存”,以及利用TSV(硅通孔)來(lái)層疊并連接半導(dǎo)體芯片的“三維LSI”等。 在半導(dǎo)體領(lǐng)域,原來(lái)的二維微細(xì)化(定標(biāo),Scaling)已逐步接近極限,各種三維技術(shù)變得十分必要。三維晶體管已廣泛應(yīng)用于微處理器,三維NAND閃存也有望在2014年以后、以服務(wù)器
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 3D
3d dram介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3d dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d dram的理解,并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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