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3d dram 文章 最新資訊
基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

- 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(static?RAM),簡(jiǎn)稱SRAM。在電子設(shè)備中,常見的存儲(chǔ)器有SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)、FLASH(閃速存儲(chǔ)器)、DRAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器)等。其中不同的存儲(chǔ)器有不同的特性,SRAM無(wú)需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。與SDRAM相比,SRAM不需要時(shí)鐘信號(hào),即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?! ?、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V,16Mbit,32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
- 關(guān)鍵字: SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營(yíng)收下滑4.5%
- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange 表示,在NAND Flash業(yè)者原先對(duì)于 2013年第四季終端裝置出貨過(guò)于樂觀,導(dǎo)致產(chǎn)出成長(zhǎng)高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過(guò)于求,以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響 NAND 產(chǎn)能調(diào)配等因素下,2013年第四季 NAND Flash 品牌供應(yīng)商營(yíng)收較第三季下滑4.5%,來(lái)到61億6,800萬(wàn)美元。 2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少,因此第四季營(yíng)收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
- 關(guān)鍵字: NAND DRAM
電子產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)中,日本已淪為陪跑
- 在過(guò)去20年間,日本在各類電子產(chǎn)品市場(chǎng)中的角色,相繼由一國(guó)獨(dú)大變成陪跑角色,例如動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM)芯片由1987的76%驟降至2004年的3%,汽車導(dǎo)航系統(tǒng)由2003年的100%跌至2007年的20%,太陽(yáng)能板由2004年的45%減至2007的21%。2005年生產(chǎn)的iPod有七成零件來(lái)自日本,但5年后面世的iPad,零件卻只有兩成是日制。 報(bào)道說(shuō),韓日同樣在戰(zhàn)后經(jīng)歷過(guò)政府推動(dòng)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)階段,但兩者在應(yīng)對(duì)上述問(wèn)題時(shí)卻出現(xiàn)不同結(jié)果。1997年亞洲金融風(fēng)暴爆發(fā)后,韓國(guó)大力推動(dòng)市場(chǎng)改革和信息科技普及,并鼓勵(lì)通
- 關(guān)鍵字: DRAM 導(dǎo)航 太陽(yáng)能板
供應(yīng)吃緊 2013年第四季DRAM產(chǎn)值再創(chuàng)新高

- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示,2013年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士(Hynix)無(wú)錫廠大火影響而有略減,但因供貨吃緊反而造成平均銷售單價(jià)勁揚(yáng),因此當(dāng)季全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美元,較上一季成長(zhǎng)近5%。同時(shí),前兩大DRAM供應(yīng)商的獲利能力較上季皆有提升,其中獲利差異點(diǎn)取決于各DRAM廠標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的供給多寡。 TrendForce研究協(xié)理吳雅婷表示,就2013年第四季合約價(jià)格走勢(shì)做觀察,由于9月SK海力士受祝融波及而
- 關(guān)鍵字: SK海力士 DRAM
4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚(yáng),連創(chuàng)5季新高
- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示,去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無(wú)錫大火影響而稍有略減,但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價(jià)勁揚(yáng),因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金,QoQ近5%。同時(shí),前兩大DRAM供貨商的獲利能力較上季皆有提升,其中獲利差異點(diǎn)取決于各DRAM廠標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存的供給多寡。 TrendForce研究協(xié)理吳雅婷表示,就4Q13合約價(jià)格走勢(shì)做觀察,由于九月SK海力士受祝融波及而影響當(dāng)下出貨,DRAM 4GB合約
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
達(dá)索系統(tǒng)成功舉辦2014年SOLIDWORKS全球用戶大會(huì)
- 全球3D設(shè)計(jì)、3D數(shù)字樣機(jī)、產(chǎn)品全生命周期管理(PLM)解決方案和3D體驗(yàn)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者達(dá)索系統(tǒng)(Dassault Systèmes)(巴黎歐洲證券交易所:13065, DSY.PA)在美國(guó)加利福尼亞州圣迭戈市圣迭戈會(huì)議中心舉辦第16屆SOLIDWORKS全球用戶大會(huì)。2014年SOLIDWORKS全球用戶大會(huì)持續(xù)到1月29日(周三)。會(huì)上,眾多合作伙伴、業(yè)界領(lǐng)袖和4500多位全球最富才華、最具創(chuàng)意精神的機(jī)械設(shè)計(jì)工程師將共享他們的經(jīng)驗(yàn),探索新理念,并尋找進(jìn)一步推進(jìn)項(xiàng)目發(fā)展的靈感?! ≡隗w
- 關(guān)鍵字: 達(dá)索系統(tǒng) SOLIDWORKS 3D
達(dá)索系統(tǒng)推出首款基于3D體驗(yàn)平臺(tái)的SOLIDWORKS應(yīng)用
- 全球3D設(shè)計(jì)、3D數(shù)字樣機(jī)、產(chǎn)品全生命周期管理(PLM)解決方案和3D體驗(yàn)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者達(dá)索系統(tǒng)(Dassault Systèmes)(巴黎歐洲證券交易所:13065, DSY.PA)正式宣布推出基于3D體驗(yàn)(3DEXPERIENCE)平臺(tái)的SOLIDWORKS機(jī)械概念設(shè)計(jì)(SOLIDWORKS Mechanical Conceptual)解決方案?! ≡隗w驗(yàn)時(shí)代,設(shè)計(jì)世界變得更加社交化,概念化和協(xié)同變得至關(guān)重要?;?D體驗(yàn)平臺(tái)的SOLIDWORKS機(jī)械概念設(shè)計(jì)在本質(zhì)上符合這一趨勢(shì)。達(dá)索系統(tǒng)為設(shè)計(jì)
- 關(guān)鍵字: 達(dá)索系統(tǒng) 3D
NAND Flash產(chǎn)值上看270億美元 3D-NAND受矚
- 智能手機(jī)、平板電腦存儲(chǔ)容量的進(jìn)一步提升,PC行業(yè)由機(jī)械硬盤向固態(tài)硬盤的逐步轉(zhuǎn)換,是NAND Flash行情火爆的根本原因。NAND Flash的產(chǎn)值在未來(lái)還有上升的空間,因?yàn)槭袌?chǎng)還遠(yuǎn)未達(dá)到飽和。
- 關(guān)鍵字: 三星電子 3D-NANDFlash
SuVolta成功獲得1060萬(wàn)美元風(fēng)險(xiǎn)投資
- 2014年1月15日,致力于為低功耗、高性能的集成電路芯片開發(fā)可擴(kuò)展式半導(dǎo)體技術(shù)的SuVolta公司宣布其已獲得1060萬(wàn)美元的資金。
- 關(guān)鍵字: SuVolta DRAM 物聯(lián)網(wǎng)
存儲(chǔ)器模塊廠 樂觀本月營(yíng)運(yùn)
- 存儲(chǔ)器模塊進(jìn)入春節(jié)前拉貨旺季,包括威剛(3260)、創(chuàng)見、宇瞻等存儲(chǔ)器模塊樂觀看待元月營(yíng)收開始升溫。 存儲(chǔ)器模塊廠去年拜DRAM價(jià)格回升,均繳出比前年還佳的成績(jī)單。威剛?cè)ツ耆旰喜I(yíng)收335.2億元,年增63.7%,創(chuàng)三年來(lái)新高;宇瞻去年合并營(yíng)收98.34億元,年增27.67%,也是近三年新高紀(jì)錄。創(chuàng)見去年全年合并營(yíng)收261.15億元,年減0.39%。 法人預(yù)估,威剛?cè)ツ甑?季獲利優(yōu)前去年第3季,去年全年每股純益可望逾一個(gè)股本。
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 DRAM
2013年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)達(dá)3190億美元 成長(zhǎng)4.9%
- 全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在2012年衰退2.5%后,2013年恢復(fù)成長(zhǎng),年成長(zhǎng)率達(dá)4.9%。2013年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)額達(dá)3190億美元,較2012年的3029億美元成長(zhǎng)4.9%,成長(zhǎng)主要?jiǎng)恿κ怯蒁RAM及NANDFlash帶動(dòng),DRAM及NAND在2013年的年成長(zhǎng)率分別為35%及27.7%。 營(yíng)業(yè)額前3甲連莊 2013年全球半導(dǎo)體公司營(yíng)業(yè)額,英特爾(Intel)、三星(Samsung)及高通(Qualcomm)繼蟬聯(lián)前3名,2013年?duì)I業(yè)額合計(jì)977.6億美元,占整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)額30.8%
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 DRAM
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