1 引言
FIFO(First In First Out)是一種具有先進先出存儲功能的部件。在高速數字系統(tǒng)當中通常用作數據緩存。在高速數據采集、傳輸和實時顯示控制領域中.往往需要對大量數據進行快速存儲和讀取，而這種先進先出的結構特點很好地適應了這些要求，是傳統(tǒng)RAM無法達到的。
許多系統(tǒng)都需要大容量FIFO作為緩存，但是由于成本和容量限制，常采用多個FIFO芯片級聯(lián)擴展，這往往導致系統(tǒng)結構復雜，成本高。本文分別針對Hynix公司的兩款SRAM和DRAM器件，介紹了使用CPLD進行接口連接和編程控制，來
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FIFO SRAM DRAM CPLD
根據拓墣產業(yè)研究所(TRI)觀察，2014上半年臺灣IC設計產業(yè)受惠于中國大陸與新興市場智慧手機需求旺盛、4K2K電視滲透率上升、世足賽帶來LCDTV需求等三大因素，拉動了智慧手機晶片、驅動IC及電視SoC晶片之營收持續(xù)高漲，形成半導體產業(yè)少見的淡季不淡現象。
展望2014下半年，雖為傳統(tǒng)旺季，但中國大陸6月份縮減了3G智慧型手機補助，為市場投下變數，中國4G/LTE手機的銷售情形，將成為左右臺廠營收的重要關鍵。拓墣產業(yè)研究所預估，2014下半年臺灣IC設計營收預估達80.7億美元，較去年同
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半導體 DRAM
持續(xù)高高在上排名在前的三星利潤長期以來是孤芳自賞的。只是，第二季度的業(yè)績下來，它也開始持謹慎態(tài)度。
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三星 DRAM
南韓第二大記憶體廠SK海力士(SKHynix)首季超越勁敵美光，成為全球PC用動態(tài)隨機記憶體(DRAM)第一大廠。
市調機構iSuppli數據顯示，SK海力士PC用DRAM首季市占率33.2%，重新奪回全球排名首位，而原居領先位置的美光則自前季的36.4%下滑至32.1%。另外，三星電子拿下26.3%的市占率，位居第三。
在伺服器用DRAM的市占率排名上，遙遙領先的三星拿下43.5%、SK海力士34.1%居次、美光則為21%。
美光在行動裝置市場以29.8%的市占率上板回
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海力士 DRAM
80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場的上導產品之一，已廣泛應用于電腦終端、程控交換和工控等領域。在該嵌入式微處理器片內，集成有DRAM RCU單元，即DRAM刷新控制單元。RCU單元可以自動產生DRAM刷新總線周期，它工作于微處理器的增益模式下。經適當編程后，RCU將向將處理器的 BIU(總線接口)單元產生存儲器讀請求。對微處理器的存儲器范圍編程后，BIU單元執(zhí)行刷新周期時，被編程的存儲器范圍片選有效。
存儲器是嵌入式計算機系統(tǒng)的重要組成部分之一。通常采用靜態(tài)
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CPLD DRAM VHDL
美光半導體技術有限公司移動 DRAM 架構總監(jiān) Daniel Skinner榮獲JEDEC(即“固態(tài)技術協(xié)會”)最高榮譽“卓越獎”。 該殊榮是對其擔任LPDDR3 和 LPDDR4 任務組主席期間所展現出的杰出領導力的高度認可。
“卓越獎”是由JEDEC頒發(fā)最具聲望的獎項，該獎項旨在對長期服務于 JEDEC 和標準委員會的個人予以表彰。Daniel Skinner 先生是第十位獲此殊榮的人士。
JEDEC 總裁John
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美光 DRAM LPDDR3
全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，由于DRAM大廠持續(xù)將產能從標準型記憶體轉移至行動式記憶體，加上部份DRAM廠轉進25nm制程良率偏低及20nm制程轉進有延宕的情形下，2014下半年已有供貨吃緊的跡象。
以需求端來觀察，由于PCOEM庫存水位普遍不高，采購策略上除了希望原廠提供的顆粒外，亦向記憶體模組廠尋求更多的支援，DRAM市場已經醞釀第三季合約價格上漲的氛圍;從現貨價格來觀察，目前4GB報價約在36美元間，5月合約均價在30.5美元，
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存儲器 DRAM
從消費電子市場到工業(yè)應用，隨著新應用在各領域的不斷出現，3D傳感技術的市場在不斷地發(fā)展壯大。現今幾乎所有的智能電視及操作系統(tǒng)都已經能支持動作識別的相關功能，完成諸如畫面縮放和頻道切換等功能;傳感器能夠通過探測生產線的移動和表面質量，從而控制產品在生產線中的流向;設計人員也可以對復雜的形狀進行掃描并通過3D打印機進行復制;監(jiān)控系統(tǒng)也已能確保動物和人類遠離危險的區(qū)域。
如今的傳感器也已可以探測到極端細微的動作和特征。現代的傳感器不僅能夠探測到點頭之類的動作，還可以精確地識別是誰點的頭;除了識別功
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3D 傳感
打印速度慢制約了3D打印的普及和應用，我國研發(fā)成功了世界上最快的工業(yè)級3D打印機，打印速度提高了60%。
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3D 打印機
Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡稱“EVG ”)于2014年5月28日宣布已成功地在客戶提供的 300 毫米 DRAM 晶圓實現亞微米鍵合后對準精度。方法是在 EVG Gemini? FB 產品融合鍵合機和 SmartView ? NT 鍵合對準機上采用 Ziptronix 的 DBI? 混合鍵合技術。這種方法可用于制造各種應用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲器、高級圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC)?！ iptronix 的首席技術官兼工程副總裁 Paul Enquis
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EVG DRAM 3D
3D打印機不斷發(fā)展，傳統(tǒng)制造技術還有用嗎？日本已經有所考慮，他們的結論：使用3D打印機并不是萬能的，而是“必須使用制造商此前積累的隱性技術，光靠3D打印機無法完成最終的產品制造。”您認為哪？
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3D 打印機
為了真正意義上“開發(fā)能夠自我維持，在軌道上形成閉環(huán)制造流程，減少發(fā)射攜帶的物品，并增加滿足需求的能力”，美國國家宇航局(NASA)決定授予兩份新的3D打印項目合同，每年國家宇航局為小企業(yè)創(chuàng)新研究計劃和小企業(yè)技術轉移計劃撥款約1.3億美元，今年，他們在小企業(yè)創(chuàng)新研究(SBIR)和小企業(yè)技術轉移(STTR)計劃中撥出了12.5萬美元，授予太空制造(MadeinSpace)公司開展能夠在軌道上回收ABS塑料的系統(tǒng)(R3DO)項目研究，由其開發(fā)在太空中回收3D打印塑料耗材重新利用的設備
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3D 打印
通常一提到3D晶片就會聯(lián)想到采用矽穿孔(TSV)連接的晶片堆疊。但事實上，還有一些技術并未采用TSV，如BeSang公司最近授權給韓國海力士(SKHynix)的垂直晶體陣列技術。此外，由半導體研究聯(lián)盟(SRC)贊助加州柏克萊大學最近開發(fā)出采用低溫材料的新技術，宣稱可帶來一種低成本且靈活的3D晶片制造方法。
該技術直接在標準CMOS晶片上的金屬薄層之間制造主動元件，從而免除了垂直堆疊電晶體或以TSV堆疊晶片的開銷。
「對我來說，令人振奮的部份在于它是一款單晶片的整合，而不是采用至今在
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材料制造 3D
2013年全球半導體市場統(tǒng)計結果出爐，與我們先前預估吻合，2013年全球半導體市場較2012年成長4.9%，扭轉2012年衰退2.4%頹勢。半導體市場成長，是由DRAM及NANDFlash帶動，DRAM及NAND年成長率分別高達32.5%及24.2%。
統(tǒng)計2013年全球半導體市場營業(yè)額達3181億美元，較2012年的3031億美元成長4.9%。
2013年全球前25大半導體公司合計營業(yè)額2253億美元，占整體半導體營業(yè)額71%，較2012年的69%上升2個百分點。2013年全球最
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DRAM 半導體
DRAM最大的增長動力應該是來自云計算的硬件需求，其次是移動設備向64位的前進。
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PC DRAM
3d dram介紹
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