印度首個(gè)化合物半導(dǎo)體晶圓廠獲得批準(zhǔn)

近日，印度政府宣布批準(zhǔn)了印度半導(dǎo)體計(jì)劃（ISM）下的四個(gè)新半導(dǎo)體項(xiàng)目，將 ISM 項(xiàng)目總數(shù)從六個(gè)增加到十個(gè)。這四個(gè)項(xiàng)目總投資約 460 億印度盧比。值得注意的是，其中之一是印度首個(gè)商業(yè)化合物半導(dǎo)體晶圓廠。

該晶圓廠位于奧里薩邦首府布瓦尼薩爾爾的“信息谷”，由印度的 SiCSem 與英國(guó) Clas-SiC 合作建設(shè)。該工廠將專(zhuān)注于碳化硅（SiC）晶圓和器件的生產(chǎn)，年產(chǎn)能為 60,000 晶圓和 96,000,000 器件。其產(chǎn)品將應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、國(guó)防設(shè)備、鐵路、快速充電站和光伏逆變器。

此外，這次還批準(zhǔn)了先進(jìn)的封裝和玻璃基板設(shè)施，這些設(shè)施也位于奧里薩的 3D 玻璃解決方案工廠，投資額為 194.3 億盧比。該項(xiàng)目將引入世界領(lǐng)先的 3D 異構(gòu)集成（3DHI）技術(shù)和玻璃中介層工藝。計(jì)劃年產(chǎn)能包括 69,600 塊玻璃基板、13,200 個(gè) 3DHI 模塊和 5000 萬(wàn)個(gè)組裝單元，服務(wù)于國(guó)防、人工智能、射頻通信和光子集成等高端領(lǐng)域。

隨著這一批準(zhǔn)，ISM 框架下的項(xiàng)目總數(shù)增加到 10 個(gè)，累計(jì)投資超過(guò) 1.6 萬(wàn)億盧比（約合 192 億美元），涵蓋半導(dǎo)體制造、封裝和測(cè)試以及化合物半導(dǎo)體。印度政府通過(guò)生產(chǎn)關(guān)聯(lián)激勵(lì)（PLI）計(jì)劃提供資金支持，旨在吸引國(guó)際技術(shù)合作伙伴并培育國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈。

在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域，印度目前對(duì)其芯片的進(jìn)口依賴(lài)度為 90%。這些新批準(zhǔn)的項(xiàng)目，專(zhuān)注于碳化硅和先進(jìn)封裝，旨在減少對(duì)海外來(lái)源的依賴(lài)并增強(qiáng)供應(yīng)鏈的韌性。印度首個(gè)碳化硅晶圓廠的建設(shè)也預(yù)計(jì)將加速該國(guó)在寬禁帶半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的步伐，提升其在人工智能和 5G 通信等新興市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)力。