三星據(jù)報(bào)道在超大面板上推動(dòng) SoP 封裝，挑戰(zhàn)臺(tái)積電和英特爾

根據(jù)ZDNet 的報(bào)道，三星電子正在開發(fā)系統(tǒng)級(jí)面板（SoP）這一先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)。報(bào)道指出，如果 SoP 技術(shù)快速發(fā)展，三星可能會(huì)在特斯拉下一代 Dojo 封裝供應(yīng)鏈中占據(jù)一席之地。目前，特斯拉計(jì)劃將其“AI6”芯片的 Dojo 封裝由三星晶圓廠制造并由英特爾進(jìn)行封裝，報(bào)道顯示。

報(bào)道中解釋說，SoP 將半導(dǎo)體集成在一個(gè)超大型面板上，能夠?qū)崿F(xiàn)比傳統(tǒng)封裝更大的模塊。SoP 不是使用印刷電路板（PCB）或芯片與電路板之間的薄層硅中介層，而是將多個(gè)半導(dǎo)體直接安裝在矩形面板上，芯片之間的連接通過每個(gè)芯片下方的精細(xì)銅重分布層（RDL）形成。

臺(tái)積電的 SoW 和下一代 SoW-X：三星 SoP 的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手

報(bào)告同時(shí)指出，SoP 的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手是 TSMC 的晶圓級(jí)系統(tǒng)（SoW），其架構(gòu)相似，但在晶圓上進(jìn)行封裝，而不是在面板上。特斯拉和 Cerebras 等公司已使用 SoW 大規(guī)模生產(chǎn)用于超級(jí)計(jì)算機(jī)的半導(dǎo)體。

正如報(bào)告所暗示的，如果三星商業(yè)化 SoP，它可能會(huì)在 TSMC 上獲得優(yōu)勢(shì)。據(jù)報(bào)道，TSMC 的 SoW 受到先進(jìn)芯片制造中 300 毫米晶圓尺寸的限制，將矩形模塊限制在約 210 × 210 毫米。相比之下，三星的 415 × 510 毫米 SoP 面板可以容納一邊超過 210 毫米的模塊——例如，可以同時(shí)生產(chǎn)兩個(gè) 240 × 240 毫米的超大型模塊。

TSMC 繼續(xù)在先進(jìn)封裝領(lǐng)域取得進(jìn)展。該公司在其 2025 年北美技術(shù)研討會(huì)上宣布，在 2024 年推出 SoW 后，現(xiàn)在正在推出基于 CoWoS 技術(shù)的晶圓級(jí)系統(tǒng) SoW-X，旨在提供比當(dāng)前 CoWoS 解決方案高 40 倍的計(jì)算能力。根據(jù)其新聞稿，SoW-X 計(jì)劃于 2027 年大規(guī)模生產(chǎn)。

特斯拉的 Dojo 計(jì)劃涉及三星和英特爾

三星開發(fā)新的封裝技術(shù)可能加強(qiáng)其在特斯拉供應(yīng)鏈中的作用。報(bào)道指出，特斯拉計(jì)劃使用先進(jìn)封裝技術(shù)來區(qū)分其用于自動(dòng)駕駛、機(jī)器人和數(shù)據(jù)中心的 AI 芯片——這可能增加主要芯片制造商對(duì)為超大型模塊設(shè)計(jì)的解決方案的需求。

報(bào)道還指出，特斯拉預(yù)計(jì)將采用英特爾嵌入式多芯片互連橋（EMIB）技術(shù)用于 Dojo 3。如果最終確定，這將創(chuàng)建一個(gè)前所未有的供應(yīng)鏈，結(jié)合了三星電子的晶圓代工業(yè)務(wù)和英特爾的外包半導(dǎo)體組裝和測(cè)試（OSAT）能力。