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DRAM
SK 海力士據(jù)報(bào)道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價(jià)格上調(diào) 20%，因 Q3 需求保持強(qiáng)勁
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
DDR4
DRAM
存儲(chǔ)
|
2025-07-11
內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存價(jià)格上升，而 PC 內(nèi)存失去動(dòng)力
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
內(nèi)存
DDR4
DRAM
|
2025-07-02
歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格飆升，據(jù)報(bào)道使 DDR5 翻倍，推動(dòng)南亞科技的庫(kù)存暴利
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
DDR4
DRAM
存儲(chǔ)
|
2025-06-24
適用于DRAM和處理器的3D堆棧集成
EDA/PCB
DRAM
處理器
3D堆棧集成
|
2025-06-24
臺(tái)灣地區(qū)的 DRAM 供應(yīng)商南亞科技據(jù)報(bào)道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格報(bào)價(jià)，庫(kù)存緊張
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
DRAM
存儲(chǔ)
市場(chǎng)分析
|
2025-06-18
DDR4瘋狂漲價(jià)，DRAM廠商爆賺
DDR4
DRAM
三星
美光
南亞科技
華邦電子
HBM
|
2025-06-17
英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM
英特爾
軟銀
HBM
DRAM
三星
SK海力士
|
2025-06-03
三星考慮進(jìn)行大規(guī)模內(nèi)部重組
三星
HBM
LSI
DRAM
半導(dǎo)體
晶圓代工
|
2025-05-29
DDR5上升趨勢(shì)放緩;DRAM價(jià)格在第三季度將適度上漲
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
DDR5
DRAM
|
2025-05-29
Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
Neo Semiconductor
IGZO
3D DRAM
|
2025-05-14
三星因關(guān)稅前囤積而提高DRAM價(jià)格，DDR4上漲20%
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
三星
DRAM
DDR4
|
2025-05-12
撐不住, SK海力士DRAM漲12%
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
SK海力士
DRAM
|
2025-05-06
三星電子將引入VCT技術(shù)，未來(lái)2到3年推出新型DRAM產(chǎn)品
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
三星電子
VCT
DRAM
|
2025-04-29
高速數(shù)據(jù)中心蓬勃發(fā)展，DRAM內(nèi)存接口功不可沒(méi)
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
數(shù)據(jù)中心
DRAM
|
2025-04-11
SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營(yíng)收第一：HBM市占率高達(dá)70%
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
SK海力士
三星
DRAM
|
2025-04-10
美光、SK海力士跟隨中！三星對(duì)內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶已開(kāi)始談判新合同
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
內(nèi)存
DRAM
NAND
HBM
三星
美光
SK海力士
|
2025-04-07
下游客戶庫(kù)存去化順利，預(yù)計(jì)2Q25 DRAM價(jià)格跌幅將收斂
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
TrendForce
集邦咨詢
DRAM
|
2025-03-26
美光1γ DRAM開(kāi)始出貨，用上了EUV
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
美光1γ DRAM
|
2025-03-04
新型高密度、高帶寬3D DRAM問(wèn)世
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
3D DRAM
|
2025-03-04
美光宣布1γ DRAM開(kāi)始出貨：引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)突破，滿足未來(lái)計(jì)算需求
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
美光
1γ DRAM
DRAM
|
2025-02-27
消息稱三星芯片部門負(fù)責(zé)人攜1b DRAM樣品訪問(wèn)英偉達(dá)
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
三星
芯片
1b DRAM
樣品
英偉達(dá)
|
2025-02-18
SK海力士實(shí)現(xiàn)1c nm制程DRAM內(nèi)存量產(chǎn)
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
SK海力士
1c納米
DRAM
|
2025-01-22
?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內(nèi)存，美光成為首要供應(yīng)商
?三星
Galaxy S25
內(nèi)存
美光
DRAM
LPDDR5X
|
2025-01-07
買方采購(gòu)策略調(diào)整，1Q25 DRAM合約價(jià)走跌
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
DRAM
TrendForce
集邦咨詢
|
2024-12-30
美國(guó)商務(wù)部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國(guó)生產(chǎn)芯片
EDA/PCB
美國(guó)
美光科技
生產(chǎn)芯片
半導(dǎo)體
DRAM
內(nèi)存芯片
存儲(chǔ)芯片
|
2024-12-11
提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
電源與新能源
泛林集團(tuán)
DRAM
|
2024-11-21
在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長(zhǎng)下，供應(yīng)商需謹(jǐn)慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
DRAM
TrendForce
集邦咨詢
|
2024-11-14
北京君正：21nm DRAM新工藝預(yù)計(jì)年底推出
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
北京君正
21nm
DRAM
|
2024-11-14
郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因
EDA/PCB
郭明錤
英特爾
Lunar Lake
DRAM
CPU
封裝
AI PC
LNL
|
2024-11-06
鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
鎧俠
存儲(chǔ)技術(shù)
DRAM
MRAM
3D堆疊
|
2024-10-24
HBM對(duì)DRAM廠的貢獻(xiàn)逐季攀升
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
HBM
DRAM
TrendForce
|
2024-10-17
三星開(kāi)發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計(jì)算
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
三星
24Gb
GDDR7
DRAM
人工智能計(jì)算
|
2024-10-17
TrendForce：內(nèi)存下半年價(jià)格恐摔
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
TrendForce
內(nèi)存
DRAM
|
2024-08-30
SK海力士成功開(kāi)發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
SK海力士
第六代
10納米級(jí)
DDR5 DRAM
|
2024-08-29
第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季增24.8%，預(yù)期第三季合約價(jià)將上調(diào)
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
DRAM
TrendForce
集邦咨詢
|
2024-08-16
imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)
EDA/PCB
imec
High-NA
EUV
DRAM
|
2024-08-13
外媒：三星推出超薄型手機(jī)芯片LPDDR5X DRAM
手機(jī)與無(wú)線通信
三星
手機(jī)芯片
LPDDR5X DRAM
|
2024-08-07
HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢(shì)可期
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
HBM
DRAM
美光
|
2024-07-18
圓滿收官！紫光國(guó)芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實(shí)力
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
紫光國(guó)芯
慕尼黑電子展
DRAM
SeDRAM
CXL
|
2024-07-11
內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
HBM
3D DRAM
|
2024-07-08
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