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紫光國微2.5D/3D先進封裝項目將擇機啟動

  • 日前，紫光國微在投資者互動平臺透露，公司在無錫建設的高可靠性芯片封裝測試項目已于2024年6月產(chǎn)線通線，現(xiàn)正在推動量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導入工作，2.5D/3D等先進封裝將會根據(jù)產(chǎn)線運行情況擇機啟動。據(jù)了解，無錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項目是紫光集團在芯片制造領域的重點布局項目，也是紫光國微在高可靠芯片領域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設小批量、多品種智能信息高質量可靠性標準塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線，對保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定和安全具有重要作用。
  • 關鍵字： 紫光國微  2D/3D  芯片封裝  

國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

  • 據(jù)媒體報道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調整化學成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內存存儲奠定了基礎。這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）的科學家通過模擬和實驗進行的。根據(jù)報道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學所需的非常小但很深的圓孔的最簡
  • 關鍵字： 3D NAND  深孔蝕刻  

NAND價格能否“觸底反彈”？

  • 全球NAND閃存價格已連續(xù)四個月下跌，為應對這一不利局面，廠商開始減產(chǎn)以平衡供求，進而穩(wěn)定價格。美光率先宣布將減產(chǎn)，隨后三星也被曝出將調整其韓國本土的NAND產(chǎn)量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計劃削減產(chǎn)量。
  • 關鍵字： NAND  三星  閃存  美光  SK海力士  

NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略，以緩解供需失衡和穩(wěn)定價格

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究報告指出，NAND Flash產(chǎn)業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布減產(chǎn)，Kioxia/ SanDisk（鎧俠/閃迪）、Samsung（三星）和SK hynix/ Solidigm（SK海力士/思得）也啟動相關計劃，可能長期內加快供應商整合步伐。TrendForce集邦咨詢表示，NAND Flash廠商主要通過降低2025年稼動率和延后制程升級等方式達成減產(chǎn)目的，背后受以下因素驅動：第一，需求疲軟
  • 關鍵字： NAND Flash  減產(chǎn)  TrendForce  集邦咨詢  

應對降價：三星大幅減產(chǎn)西安工廠NAND閃存！

  • 1月13日消息，據(jù)媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產(chǎn)，以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產(chǎn)品的價格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產(chǎn)量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產(chǎn)線也將調整其供應，導致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產(chǎn)措施，當時
  • 關鍵字： 三星  NAND  閃存  存儲卡  U盤  晶圓  SK海力士  鎧俠  西部數(shù)據(jù)  美光  長江存儲  

李飛飛對計算機視覺的愿景：World Labs 正為機器提供 3D 空間智能

  • 斯坦福大學教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學習革命中發(fā)揮了重要作用，多年來努力創(chuàng)建 ImageNet 數(shù)據(jù)集和競賽，挑戰(zhàn) AI 系統(tǒng)識別 1000 個類別的物體和動物。2012 年，一個名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡在 AI 研究界引起了震動，它的性能遠遠超過了所有其他類型的模型，并贏得了 ImageNet 比賽。從那時起，神經(jīng)網(wǎng)絡開始騰飛，由互聯(lián)網(wǎng)上現(xiàn)在提供的大量免費訓練數(shù)據(jù)和提供前所未有的計算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
  • 關鍵字： 李飛飛對計算機視覺的愿景：World Labs 正在為機器提供 3D 空間智能  

SK 海力士新設 AI 芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門，任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官

  • 12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構優(yōu)化。本次調整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責任與權限，業(yè)務單元被劃分為包括 AI 基礎設施（CMO）、未來技術研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產(chǎn)（CPO）在內的五大部門。據(jù)介紹，新設的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內存等
  • 關鍵字： SK海力士  內存  NAND  

谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型 可一鍵生成超逼真3D互動世界

  • 12月5日消息，美國當?shù)貢r間周三，谷歌旗下人工智能研究機構DeepMind推出了一款新模型，能夠創(chuàng)造出“無窮無盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時候推出的Genie模型的升級版。僅憑一張圖片和一段文字描述，例如“一個可愛的機器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能構建出一個交互式的實時場景。在這方面，它與李飛飛創(chuàng)立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開發(fā)的模型有著異曲同工之妙。DeepMind宣稱，Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
  • 關鍵字： 谷歌  DeepMind  Genie 2  模型  3D  互動世界  

3Q24 NAND Flash營收季增4.8%，企業(yè)級SSD需求強勁，消費性訂單未復蘇

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，2024年第三季NAND Flash產(chǎn)業(yè)出貨量位元季減2%，但平均銷售單價（ASP）上漲7%，帶動產(chǎn)業(yè)整體營收達176億美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨詢表示，不同應用領域的NAND Flash價格走勢在今年第三季出現(xiàn)分化，企業(yè)級SSD需求強勁，推升價格季增近15%，消費級SSD價格雖有小幅上漲，但訂單需求較前一季衰退。智能手機用產(chǎn)品因中國手機品牌嚴守低庫存策略，訂單大量減少，第三季合約價幾乎與上季持平。Wafer受零售市場需求疲軟影響，合約價反
  • 關鍵字： NAND Flash  企業(yè)級SSD  TrendForce  集邦咨詢  

Teledyne推出用于在線3D測量和檢測的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具

  • Teledyne DALSA推出在線3D機器視覺應用開發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡化生產(chǎn)線上的3D測量和檢測任務。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描，是電動汽車（電動汽車電池、電機定子等）、汽車、電子、半導體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業(yè)工廠自動化應用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡化的工具，用于
  • 關鍵字： Teledyne  3D測量  Z-Trak 3D Apps Studio  

三星大幅減少未來生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量

  • 據(jù)韓媒報道，稱三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機的轉速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個層，從而提高工藝效率，但同時也有均勻性問題。東進半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商，為三星第7代（11微米）和第
  • 關鍵字： 三星  光刻膠  3D NAND  

三星將出售西安芯片廠舊設備及產(chǎn)線

  • 據(jù)韓媒報道，三星近期將開始銷售前端和后端生產(chǎn)線的舊設備，其中包括位于中國西安的NAND工廠。報道稱，三星近期正在半導體部門（DS）實施大規(guī)模成本削減和產(chǎn)線調整，并正在考慮出售其中國半導體生產(chǎn)線的舊設備。預計出售程序將于明年正式開始，銷售的設備大部分是100級3D NAND設備。自去年以來，三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉換為200層工藝。
  • 關鍵字： 三星  西安  NAND  

消息稱三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 結構

  •  10 月 29 日消息，《韓國經(jīng)濟日報》當?shù)貢r間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導體存儲路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過 400，而預計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結構。三星目前最先進的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM。報道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因為這代產(chǎn)品將調
  • 關鍵字： 三星  存儲   V-NAND   

TrendForce：預計 Q4 NAND Flash 合約價將下調 3% 至 8%

  • IT之家?10 月 15 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新調查，NAND Flash 產(chǎn)品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價于第三季率先下跌，預期第四季跌幅將擴大至 10% 以上。IT之家注意到，模組產(chǎn)品部分，除了 Enterprise SSD 因訂單動能支撐，有望于第四季小漲 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因買家的終端產(chǎn)品銷售不如預期，采購策略更加保守。TrendForce 預估，第四季 NAND Flash 產(chǎn)品整體合約價將出現(xiàn)季減 3% 至
  • 關鍵字： NAND 閃存  存儲  市場分析  

臺積電OIP推3D IC設計新標準

  • 臺積電OIP（開放創(chuàng)新平臺）于美西當?shù)貢r間25日展開，除表揚包括力旺、M31在內之業(yè)者外，更計劃推出3Dblox新標準，進一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。 臺積電設計構建管理處負責人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術實現(xiàn)優(yōu)化的設計。臺積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設計合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動AI芯片設計的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
  • 關鍵字： 臺積電  OIP  3D IC設計  
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3d-nand介紹

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