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預估2024年第一季NAND Flash合約價平均季漲幅15~20%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,盡管適逢傳統(tǒng)淡季需求呈現(xiàn)下降趨勢,但為避免缺貨,買方持續(xù)擴大NAND Flash產品采購以建立安全庫存水位,而供應商為減少虧損,對于推高價格勢在必行,預估2024年第一季NAND Flash合約價季漲幅約15~20%。值得注意的是,NAND Flash原廠為減少虧損而急拉價格漲幅,但由于短期內漲幅過高,需求腳步卻跟不上,后續(xù)價格上漲仍需仰賴Enterprise SSD拉貨動能恢復。2024年第一季供應商的投產步伐不一,隨著部份供應商產能利用率提早拉升
- 關鍵字: NAND Flash TrendForce
SSD 正迎來量價齊升
- 2023 已近尾聲,跌跌不休的存儲行情終在四季度發(fā)生逆轉,尤其以 Flash Wafer 為代表的產品在 9 月、10 月、11 月的價格連續(xù)上漲,站在目前的時間節(jié)點,雖然從需求端看完全改善還需時日,但在各大原廠積極減產的作用下,供應已經大幅度收緊。根據(jù) CFM 閃存市場數(shù)據(jù),自 10 月份以來,現(xiàn)貨市場 NAND Flash 價格指數(shù)漲幅已達 40%。近日西部數(shù)據(jù)更是直接打響了 NAND 大漲價的第一槍。NAND 大漲價!近日,全球第四大 NAND Flash 供應商西部數(shù)據(jù)對客戶發(fā)出漲價通知信。在信中
- 關鍵字: SSD NAND
DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資:三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息,根據(jù)韓媒 ETNews 報道,三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元(IT之家備注:當前約 1482.3 億元人民幣),比 2023 年投資預算增加 25%;而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元(當前約 290.97 億元人民幣),比今年的投資額增長 100%。報道中指出,三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外,還提高了 2024 年的產能目標。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
- 關鍵字: 存儲 DRAM NAND Flash
集邦咨詢稱 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價環(huán)比增長 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息,集邦咨詢近日發(fā)布報告,預估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash(eMMC / UFS)環(huán)比增長 18-23%,而且不排除進一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產規(guī)劃依然穩(wěn)健,由于存儲器價格漲勢明確,帶動買方積極擴大購貨需求,以建設安全且相對低價的庫存水位。集邦咨詢認為買賣雙方庫存降低,加上原廠減產效應作用,這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價格的強勁漲勢。集邦咨詢認為明年第 1 季
- 關鍵字: 存儲 DRAM NAND Flash
明年半導體暴增20%,哪些賽道市場回暖?
- 今年的半導體可謂寒風瑟瑟,市場下滑的消息從年頭傳到年尾,半導體企業(yè)也疲于應對蕭瑟的市場環(huán)境,不斷傳出減產、虧損的消息。熬過冬就是春,最近的半導體市場總算是迎來了一些好消息。IDC 最新的預測,認為半導體市場已經觸底,明年開始半導體將會加速恢復增長。在它的預測中,2023 年全球半導體市場收入從 5188 億美元上調至 5265 億美元,2024 年收入預期也從 6259 億美元上調至 6328 億美元。到明年,全球半導體收入將同比增長 20.2%。IDC 全球半導體供應鏈技術情報研究經理 Rudy Tor
- 關鍵字: NAND flash 射頻前端 CPU 模擬芯片
300層之后,3D NAND的技術路線圖
- 開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
- 關鍵字: 3D NAND
一文看懂TSV技術
- 前言從HBM存儲器到3D NAND芯片,再到CoWoS,硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構建的,TSV是首字母縮寫,TSV(Through Silicon Via)中文為硅通孔技術。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通;TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質的填充,實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián),這項技術是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術,是實現(xiàn)3D先進封裝的關鍵技術之一。在本文中,我們將告訴您它們是什么,它們如何工作以及它們的用途。在2000年的第一個月,Santa Clara Universi
- 關鍵字: 芯片 TSV HBM NAND 先進封裝
市況好轉 內存廠Q3獲利嗨
- NAND Flash現(xiàn)貨價于8月中旬反彈,DRAM價格也在9月開始回升,內存市況確立好轉,帶動內存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內存族群財報,內存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損;內存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益(EPS)皆有1元以上,宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務指標來看,第三季財報數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內存廠商,則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安,財務成績表現(xiàn)亮眼。此外,威剛14日公告10月自結財務數(shù)
- 關鍵字: 內存 ?NAND Flash DRAM
預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示,第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%;由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產品低,因此成為本次的領漲項目。季漲幅擴大包括幾個原因,供應方面:三星擴大減產、美光祭出逾20%的漲幅等,持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎。需求方面:2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)除了受傳統(tǒng)旺季帶動,華為Mate
- 關鍵字: Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
3d-nand介紹
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