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TSMC運(yùn)用前沿技術(shù) 取勝快速變化的市場(chǎng)

TSMC中國(guó)區(qū)總經(jīng)理趙應(yīng)誠(chéng)在2月28日上海張江舉行的2008中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年會(huì)（IC Market China 2008）上就 “以領(lǐng)先技術(shù)助力產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)調(diào)發(fā)展”為題發(fā)表演講，趙應(yīng)誠(chéng)強(qiáng)調(diào)，運(yùn)用前沿技術(shù)在快速變化的市場(chǎng)取勝是TSMC的利器。講到半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)，趙應(yīng)誠(chéng)認(rèn)為：“持續(xù)穩(wěn)步增長(zhǎng)是主軸，隨著數(shù)據(jù)處理、通信產(chǎn)品、消費(fèi)電子等半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)張，在顯示屏、移動(dòng)手機(jī)、汽車電子等系統(tǒng)設(shè)備所用半導(dǎo)體日漸增加，高端及低端市場(chǎng)的需求越來(lái)越多樣化，新興市場(chǎng)逐漸富裕起來(lái)
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ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP Velocity DDR存儲(chǔ)器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認(rèn)證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲(chǔ)器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲(chǔ)器接口是第一個(gè)通過(guò)TSMC IP質(zhì)量安全測(cè)試的9
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