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晶圓 文章 最新資訊

LED制造商CREE推遲向6英寸晶圓制造轉(zhuǎn)移

  • 　　OFweek半導(dǎo)體照明網(wǎng)2月6號(hào)消息，LED制造商Cree放緩了向較大晶圓制造轉(zhuǎn)移的步伐，目的是為了保持更高的工廠利用率及盈利水平。 　　雖然LED照明市場(chǎng)不斷壯大，但仍然處于發(fā)展初期，供應(yīng)鏈中LED芯片的過(guò)剩抑制了整體需求，也導(dǎo)致價(jià)格下降。 　　Cree已經(jīng)開(kāi)始了從100 mm (4英寸)到150 mm (6英寸)晶圓制造的轉(zhuǎn)移，此舉將有助于大力提升產(chǎn)量及生產(chǎn)力，并降低芯片價(jià)格。但Cree首席執(zhí)行官Chuck Swoboda稱(chēng)將會(huì)推遲轉(zhuǎn)移，以便控制成本。向較大晶圓制造的轉(zhuǎn)移預(yù)計(jì)將在未來(lái)三到六個(gè)季
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增進(jìn)產(chǎn)能利用率　海力士接下大量晶圓代工訂單

  • 　　韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)為提升近期產(chǎn)能利用率較低的晶圓工廠的產(chǎn)能，近期已開(kāi)始大量接受其他韓國(guó)業(yè)者的晶圓代工訂單，目前海力士的代工業(yè)者已達(dá)7~8家。 　　根據(jù)韓國(guó)IT業(yè)者表示，海力士位在忠清北道清州的M8工廠，以8吋晶圓為基準(zhǔn)，目前接獲的代工訂單可達(dá)到單月3萬(wàn)片，M8工廠的最大生產(chǎn)量為單月8萬(wàn)片，亦即代工訂單已經(jīng)達(dá)到最大生產(chǎn)量的40%。 　　韓國(guó)業(yè)界人士說(shuō)明，海力士接到的代工訂單原本只有2家廠商，透過(guò)積極開(kāi)發(fā)客戶，現(xiàn)在已經(jīng)增加到7~8家，海力士的相關(guān)事業(yè)已經(jīng)比過(guò)去安全許多。海力士M8工廠除
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GT推出DSS 450 MonoCast 晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)

  • GT Advanced Technologies Inc.(納斯達(dá)克股票代碼：GTAT)今天宣布，DSS?450 MonoCast?晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)面市。在總產(chǎn)出方面，GT的DSS?450 MonoCast?熔爐所生長(zhǎng)材料生產(chǎn)的模塊可媲美結(jié)合傳統(tǒng)滲硼直拉單晶硅晶圓的模塊。DSS450 MonoCast熔爐具備多種新功能，可實(shí)現(xiàn)每個(gè)鑄錠的單晶硅產(chǎn)量≥80%，與其他鑄造單晶硅技術(shù)相比，能大幅提升每個(gè)晶柱中的I級(jí)晶圓(>90%單晶硅/晶圓)產(chǎn)量。GT的DSS450和DSS450HP系統(tǒng)率先采用MonoCast?技術(shù)
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今年半導(dǎo)體景氣回歸正常季節(jié)性需求

  • 　　據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào) 半導(dǎo)體界年度歲修啟動(dòng)，臺(tái)積電(2330)部分廠房去年底展開(kāi)，聯(lián)電今年初陸續(xù)舉行，預(yù)計(jì)春節(jié)后結(jié)束。法人解讀，今年半導(dǎo)體景氣回歸正常季節(jié)性需求，業(yè)者集中在首季歲修，產(chǎn)能利用率可望于本季落底。 　　竹科業(yè)者每年多在農(nóng)歷春節(jié)前后配合臺(tái)電檢修，視廠房大小，進(jìn)行一至三天不等的歲修。臺(tái)積電說(shuō)明，除了去年才剛量產(chǎn)的新廠如Fab12第五期不需要?dú)q修外，其余廠房都會(huì)進(jìn)行例行年度歲修，排定時(shí)間要看各廠房與臺(tái)電討論的結(jié)果，根據(jù)廠區(qū)回報(bào)資料顯示，有一些廠房2012年度歲修已從去年底展開(kāi)。 　　聯(lián)電表示，歲修確實(shí)
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TSMC2011年第四季每股盈余新臺(tái)幣1.22元

  • 　　TSMC18日公布2011年第四季財(cái)務(wù)報(bào)告，合并營(yíng)收為新臺(tái)幣1,047.1億元，稅后純益為新臺(tái)幣315.8億元，每股盈余為新臺(tái)幣1.22元(換算成美國(guó)存托憑證每單位為0.20美元)。 　　與2010年同期相較，2011年第四季營(yíng)收減少4.9%，稅后純益及每股盈余則均減少了22.5%。與前一季相較，2011年第四季營(yíng)收減少1.7%，稅后純益及每股盈余則均增加3.9%。這些財(cái)務(wù)數(shù)字皆為合并財(cái)務(wù)報(bào)表數(shù)字，并依照中國(guó)臺(tái)灣一般公認(rèn)會(huì)計(jì)準(zhǔn)則所編制。 　　若以美金計(jì)算，2011年第四季營(yíng)收較前一季減少了5.4%
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Fabless時(shí)代的尷尬

  • 以前在半導(dǎo)體業(yè)很流行IDM（Integrated Design and Manufacture），大公司一般都是典型的IDM廠商，可是最近幾年卻在往fabless趨勢(shì)發(fā)展，難道是社會(huì)分工越細(xì)，生產(chǎn)效率越高在起作用，越來(lái)越多的廠商希望集中精力去做一些事情嗎？
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今年全球半導(dǎo)體設(shè)備支出 臺(tái)灣第二大

  • 　　市場(chǎng)預(yù)估，2012年全球半導(dǎo)體晶圓廠設(shè)備支出將在第三季反彈，總額約為350億美元，年減11%，其中臺(tái)灣的設(shè)備投資預(yù)約達(dá)70.48億美元，雖年減11.9%，仍續(xù)居全球第二大采購(gòu)市場(chǎng)，值得注意的是，韓國(guó)因三星大舉投資晶圓代工，以102.55億美元、年成長(zhǎng)38.6%，躍居全球設(shè)備投資之冠。 　　臺(tái)積電去年資本支出從78億美元下修到74億美元，降幅約5%，市場(chǎng)傳出今年將比去年減約20%以內(nèi);下周三法說(shuō)會(huì)可望公布今年資本支出額。 　　SEMI昨公布全球晶圓廠預(yù)估報(bào)告指出，上半年景氣走緩，2012年全球半導(dǎo)體
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晶圓廠資本支出 Q3回溫

  • 　　國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料協(xié)會(huì)(SEMI)11日指出，韓國(guó)將是今年晶圓廠資本支出唯一持續(xù)成長(zhǎng)地區(qū)，三星資本支出預(yù)估達(dá)103億美元，年成長(zhǎng)38.6%。相較臺(tái)積電(2330)今年資本支出轉(zhuǎn)緩，透露晶圓代工先進(jìn)制程戰(zhàn)火激烈。 　　國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料協(xié)會(huì)最新報(bào)告指出，2012年全球晶圓廠的資本支出達(dá)350億美元，雖較去年下滑10.6%，仍高于2010年。 　　臺(tái)積電2005至2008年平均年資本支出約20多億美元，法人圈預(yù)估，臺(tái)積電2012年全年資本支出約在60億至65億美元之間，因28納米持續(xù)擴(kuò)充，最樂(lè)觀者上看
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臺(tái)積電稱(chēng)本月是其營(yíng)收谷底

  • 　　晶圓代工龍頭臺(tái)積電前日公布去年12月合并營(yíng)收312.42億元，月減12.9%，年減10.4%。 　　在庫(kù)存調(diào)節(jié)順利下，市場(chǎng)預(yù)期，今年1月?tīng)I(yíng)收因工作天數(shù)減少，將是這波谷底，2月后開(kāi)始反彈，營(yíng)收逐季回溫可期。 　　臺(tái)積電去年第四季營(yíng)收1,047.11億元，逼近公司早先預(yù)估第四季營(yíng)收高標(biāo)1,050億元，全年?duì)I收4,270.81億元，再創(chuàng)歷史新高。臺(tái)積電去年12月?tīng)I(yíng)收為22個(gè)月以來(lái)新低紀(jì)錄，雖較前一月下滑逾一成，衰退幅度仍優(yōu)于外資圈預(yù)估的15%范圍。去年第四季營(yíng)收1,047.11億元，與上季法說(shuō)預(yù)估的1,
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Global Foundries與IBM將共同生產(chǎn)32納米芯片

  • 　　根據(jù)EE Times報(bào)導(dǎo)，Global Foundries在紐約州的Saratoga地區(qū)有1座12吋晶圓廠Fab 8，與IBM位在East Fishkill的工廠相距僅100多公里，方便就近合作。Global Foundries稱(chēng)，F(xiàn)ab 8是美國(guó)境內(nèi)最大、最先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，產(chǎn)能利用率達(dá)100%時(shí)每個(gè)月可制造出6萬(wàn)片晶圓，該工廠將專(zhuān)注于32納米、28納米和未來(lái)更先進(jìn)的制程。 　　Global Foundries執(zhí)行長(zhǎng)Ajit Manocha在公開(kāi)聲明中指出，先前雙方已經(jīng)在新加坡與德國(guó)工廠，分別
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IHS：2011 Q3至Q4半導(dǎo)體庫(kù)存終于下降

  • 　　據(jù)eettaiwan 為了抑制供過(guò)于求，過(guò)去幾季以來(lái)業(yè)界不斷減少產(chǎn)量;而根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli指出，2011年第三季，半導(dǎo)體庫(kù)存出現(xiàn)了八季以來(lái)的首次下降情況，且第四季還可望進(jìn)一步下降。 　　據(jù)IHSiSuppli公司稍早前公布的庫(kù)存報(bào)告(InventoryInsiderreport)，2011年第三季半導(dǎo)體庫(kù)存天數(shù)(DOI)從第二季的83天下降2.5%，來(lái)到81天。 　　自2009年以來(lái)，DOI一直呈現(xiàn)穩(wěn)定上升趨勢(shì)。當(dāng)時(shí)的庫(kù)存天數(shù)僅約65天左右。這是由于當(dāng)時(shí)晶片制造商為了因應(yīng)全球性的經(jīng)
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聯(lián)電與世界先進(jìn)公布去年第四季度營(yíng)收

  • 　　晶圓代工廠聯(lián)電本月9日公布去年12月?tīng)I(yíng)收達(dá)81.05億元，第4季營(yíng)收244.25億元，季減3%;世界先進(jìn)12月?tīng)I(yíng)收達(dá)10.52億元，第4季營(yíng)收為33.08億元，季減14.6%。兩家晶圓代工廠第4季營(yíng)收均優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期，主要是受惠于急單涌入及新臺(tái)幣貶值。臺(tái)積電于10日公布12月?tīng)I(yíng)收，市場(chǎng)初估與11月的358.59億元相當(dāng)。 　　聯(lián)電12月?tīng)I(yíng)收達(dá)81.04億元，較11月微增0.5%，第4季營(yíng)收達(dá)244.25億元，僅較第3季的251.86億元減少3%，優(yōu)于市場(chǎng)普遍預(yù)估的季減5%。聯(lián)電第4季接單平穩(wěn)，11月及
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華虹宏力或?qū)⒈Ａ艉喜⒑笕?英寸晶圓工廠

  • 　　知情人士周一稱(chēng)，華虹宏力將保留全部3座8英寸晶圓工廠，并根據(jù)市場(chǎng)需求進(jìn)一步拓展工廠產(chǎn)能。 　　華虹宏力是上海華虹NEC旗下華虹半導(dǎo)體與宏力半導(dǎo)體制造公司合并后的新公司，華虹半導(dǎo)體和宏力半導(dǎo)體兩家公司2011年年底宣布合并，華虹半導(dǎo)體持有新公司64%的股份，宏力半導(dǎo)體持有剩余36%的股份。合并前，華虹半導(dǎo)體和宏力半導(dǎo)體分別是中國(guó)內(nèi)地第二大和第三大半導(dǎo)體代工廠商。 　　合并后的新公司華虹宏力年?duì)I收預(yù)計(jì)將達(dá)到6億美元，仍低于臺(tái)積電、臺(tái)聯(lián)電、Global Foundries和中芯國(guó)際。合并前，華虹半導(dǎo)體擁
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和艦、常憶與晶心結(jié)合彼此長(zhǎng)處共同推動(dòng)MCU解決方案

  • 和艦科技、常憶科技及晶心科技于日前共同推動(dòng)MCU解決方案，為MCU 集成電路設(shè)計(jì)業(yè)者提供了在0.18微米工藝上，易于集成的32位微控制器添加嵌入式閃存硅智財(cái)?shù)恼w組合及一條龍晶圓代工解決方案。
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晶圓雙雄2012投資大縮手

  • 　　由于2012年全球景氣未有好轉(zhuǎn)跡象，晶圓雙雄資本支出減幅將成法說(shuō)會(huì)關(guān)注焦點(diǎn)。臺(tái)積電趕在臺(tái)股封關(guān)日的元月18日舉行法說(shuō)，市場(chǎng)預(yù)期臺(tái)積電2012年資本支出至少將下修1成以上，聯(lián)電預(yù)定農(nóng)歷年后才舉行法說(shuō)，法人則估聯(lián)電資本支出恐下調(diào)2成以上。 　　針對(duì)2012年的資本支出議題上，市場(chǎng)曾多次預(yù)期晶圓代工產(chǎn)業(yè)將會(huì)大幅下修資本支出，以因應(yīng)歐債及全球景氣低迷的情況。臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀去年底公開(kāi)說(shuō)明過(guò)，2012年會(huì)減少資本支出，但幅度還不確定，主因半導(dǎo)體景氣雖然趨緩，但28奈米制程仍有大幅擴(kuò)充的需要。 　　28納米
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晶圓介紹

晶圓　　晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]

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