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晶圓 文章 最新資訊

美公司推出全球首款新型氮化鎵晶圓 可制造軍用設(shè)備

  • 　　據(jù)中國國防科技信息網(wǎng)報道，美國射頻微系統(tǒng)公司(RFMD)日前推出世界首個用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓，以滿足軍用和商用需求。該公司實現(xiàn)了從現(xiàn)有高產(chǎn)量、6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)向6寸氮化鎵晶圓生產(chǎn)和研發(fā)的轉(zhuǎn)變，以降低成本滿足不斷增長的氮化鎵器件市場需求。 　　RFMD公司總裁兼首席執(zhí)行官鮑勃稱：“我們很高興在RFMD公司的現(xiàn)有高產(chǎn)量6寸砷化鎵生產(chǎn)線上推出業(yè)界首款6寸碳化硅基氮化鎵射頻技術(shù)。氮化鎵器件和砷化鎵器件在制造上的合并是我們“砷化鎵中氮化鎵代工廠”策略
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2013年手機芯片將達667億美元 年增14.4%

  • 　　研究機構(gòu)Gartner今天表示，行動裝置的高銷售量，使得半導(dǎo)體市場晶片需求，逐漸由PC導(dǎo)向轉(zhuǎn)為行動裝置導(dǎo)向，以手機部門而言，Gartner預(yù)測，2013年的手機晶片市場將年增14.4%達667億美元，其中尤以記憶體和特定應(yīng)用IC的成長最為強勁。 　　2013年手機芯片將達667億美元 年增14.4% 　　Gartner認(rèn)為，行動裝置的崛起，對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來顯著影響，隨著白牌廠商的勢力逐漸坐大，智慧型手機和平板市場近年亦有向入門產(chǎn)品靠攏之勢，使得半導(dǎo)體廠商回過頭來搶食中低階市場大餅，市場競爭
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臺積電明年資本支出 逾百億美元

  • 　　為取得先進制程領(lǐng)導(dǎo)地位，半導(dǎo)體大廠接續(xù)展開投資競賽。臺積電今年拉高資本支出至95到100億美元，市場推估，因應(yīng)擴廠需求，明年資本支出可望增加2至5成，高過百億美元，可望超越英特爾(Intel)，半導(dǎo)體設(shè)備廠有機會啟動營運成長。 　　外資券商摩根大通指出，臺積電第4季營運動能雖趨緩，但2014年受惠蘋果A8處理器的訂單、更多客戶選擇進入更先進的20納米制程、IDM 大廠競爭者在14納米量產(chǎn)時程上可能遞延等三項有利因素，挹注臺積電營運。 　　臺積電20納米制程將于2014年初量產(chǎn)，16納米可望2015
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遲來的決定 印度兩座晶圓廠獲準(zhǔn)建設(shè)

  • 　　沙漠上的五星級酒店要動工了?9月13日印度通信與信息技術(shù)部長Kapil Sibal宣布已有兩家企業(yè)聯(lián)盟提出在印度建立半導(dǎo)體晶圓制造工廠。 　　據(jù)路透社報道，其中一家企業(yè)聯(lián)盟是由IBM、印度Jaiprakash Associates和以色列Tower Jazz公司組成，投資規(guī)模約41.42億美元，另一家則由Hindustan半導(dǎo)體制造公司、意法半導(dǎo)體和矽佳科技(Silterra)組成，投資規(guī)模約39.77億美元。 　　建設(shè)這兩個晶圓廠的目的是減少進口(目前印度國內(nèi)約80%的需求都是通過進口來滿足)。
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SSEC晶圓蝕刻制程平臺專用多路徑回收排放管路

  • 　　先進封裝與半導(dǎo)體元件、高亮度發(fā)光二極體與硬碟制造之單晶圓濕制程系統(tǒng)大廠美國固態(tài)半導(dǎo)體設(shè)備(Solid State Equipment LLC，DBA SSEC) 發(fā)表專為 WaferEtch 平臺設(shè)計的多路徑回收排放管路(MultiPath Collection Drain)。專屬的排放管路設(shè)計能在相同的反應(yīng)室內(nèi)收集、再循環(huán)、并隔絕多種化學(xué)品，且?guī)缀醪粫斐苫瘜W(xué)品的交叉污染，而且能夠形成獨特的化學(xué)品排放路徑，并維持SSEC出色的化學(xué)品儲存值。此外，即時冷卻功能可對現(xiàn)今微細特征蝕刻應(yīng)用提供更佳的制程控制
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印度建晶圓廠 IBM表興趣

  • 　　印度當(dāng)局祭出減稅等誘因，積極向國外半導(dǎo)體業(yè)者招手，盼能協(xié)助印度國內(nèi)興建晶圓廠，印度官方證實，成員包括IBM和意法半導(dǎo)體(STMicro)在內(nèi)的2大財團已提出建廠提案。 　　根據(jù)華爾街日報指出，印度傳播暨信息科技部長席巴爾(Kapil Sibal)上周五證實，2家財團提出晶圓廠建廠計劃，合計斥資80億美元，已要求他們在2個月內(nèi)提出更詳盡的計劃報告，包含產(chǎn)能結(jié)構(gòu)及營銷方案。他透露，印度需要蓋至少15座晶圓廠。 　　印度政府希望在國內(nèi)生產(chǎn)芯片，減少長期以來倚賴進口的成本支出，進而緩和經(jīng)常帳赤字嚴(yán)重惡化問
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中芯以在地優(yōu)勢 一拚臺積電

  • 　　臺積電2013第2季營收高達1559億元新臺幣，創(chuàng)下歷史新高，仍穩(wěn)居晶圓代工廠龍頭寶座，綜觀中芯國際雖然追趕先進半導(dǎo)體制程，但與臺積電的差距仍相當(dāng)大。臺積電28納米制程已貢獻臺積電營收達29%，正式超越其40/45納米制程的貢獻度。中芯國際則是預(yù)計年底才試投產(chǎn)28納米。 　　比較股價，兩者相距更多。臺積電股價已攻上百元新臺幣大關(guān)，中芯在香港股價仍在1港元下徘徊。資本市場的評價最殘酷，卻也最現(xiàn)實，中芯國際要重拾投資者與股東的信心，還有很多持續(xù)性的努力要做。 　　營收獲利都遙遙領(lǐng)先其它競爭對手的臺積電
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印度至少需要15座晶圓廠 官方推10年0利貸款獎勵

  • 　　Thomson Reuters報導(dǎo)，印度通信暨資訊科技部長Kapil Sibal 13日表示，印度至少需要15座晶圓廠。隨著智慧型手機、電腦、電視機的銷售迅速攀高，印度政府預(yù)估半導(dǎo)體年度進口金額將從2010年的70億美元竄升至2020年的500億美元;2020年當(dāng)?shù)仉娮赢a(chǎn)品銷售金額預(yù)估達4千億美元。印度內(nèi)閣12日批準(zhǔn)包含資本支出補助、10年零利率貸款以及退稅優(yōu)惠等晶圓廠建廠投資獎勵。 　　Gartner研究總監(jiān)Ganesh Ramamoorthy潑冷水，指稱廠商沒有必要到印度設(shè)廠，因為全球其他地區(qū)還
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中芯國際采用Cadence數(shù)字流程新增高級功能

  • 全球電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS) 與中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”，紐約證券交易所：SMI ，香港聯(lián)交所：981)，中國內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進的集成電路晶圓代工企業(yè)，日前共同宣布中芯國際已采用Cadence? 數(shù)字工具流程，應(yīng)用于其新款SMIC Reference Flow 5.1，一款為低功耗設(shè)計的完整的RTL-GDSII 數(shù)字流程。
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海力士火災(zāi)對內(nèi)存芯片價格影響不大

  • 2013年9月4日下午3點半左右，位于江蘇無錫新區(qū)的韓資企業(yè)海力士-意法半導(dǎo)體(中國)有限公司一車間突然發(fā)生火災(zāi)，冒起的滾滾濃煙蔓延周邊數(shù)公里。
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道康寧加盟EV集團開放平臺

  • 全球MEMS(微電子機械系統(tǒng))、納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場晶圓鍵合及光刻設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商EV集團(EVG)日前宣布，道康寧公司已加入該集團的“頂尖技術(shù)供應(yīng)商”網(wǎng)絡(luò)，為其室溫晶圓鍵合及鍵合分離平臺——LowTemp?平臺的開發(fā)提供大力支持。
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爭搶1xnm代工商機 晶圓廠決戰(zhàn)FinFET制程

  • 　　鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機，臺積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù)，并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，預(yù)計將于2014～2015年陸續(xù)投入量產(chǎn)，讓晶圓代工市場頓時硝煙彌漫。 　　FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機，并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢，臺積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術(shù)，并已將開戰(zhàn)時刻設(shè)定于2014?2015年;同時也各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，期抗衡英特爾和三星
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近年半導(dǎo)體生產(chǎn)仍將以300mm晶圓為主

  • 自新世記之初開始采用300mm晶圓生產(chǎn)以來已有10余年之久，據(jù)市調(diào)公司IC Insights近日報告，若以200mm相當(dāng)晶圓計算，2012年12月，世界300mm晶圓的生產(chǎn)能力占世界全體生產(chǎn)能力的56%，且近幾年內(nèi)還將繼續(xù)保持?jǐn)U張之勢，預(yù)計到2017年12月將達70.4%，計共1941萬片。
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武漢新芯加入全球半導(dǎo)體聯(lián)盟GSA；楊執(zhí)行長成為GSA亞太領(lǐng)袖議會成員

  • 2013年8月28日，中國武漢—國內(nèi)領(lǐng)先的12英寸晶圓制造公司武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)宣布，將加入全球半導(dǎo)體聯(lián)盟(GSA)——一家凝聚全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的非盈利機構(gòu)。同時，武漢新芯的執(zhí)行長楊士寧博士也將成為GSA亞太領(lǐng)袖議會(Asia-Pacific Leadership Council)成員。
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面對勁敵英特爾 臺積電仍有3大優(yōu)勢

  • 　　晶圓代工超高資本時代來臨 　　由數(shù)據(jù)顯示，目前全球有8 寸晶圓廠的半導(dǎo)體公司約有76家，12寸廠有27家，升級的家數(shù)越來越少，會有這樣的現(xiàn)象，原因在于資金墊高了產(chǎn)業(yè)的進入門檻。由早期投資一座月產(chǎn)能2 萬片的八寸廠需花費8~10 億美元，到了現(xiàn)在12 寸廠需25~30 億，而下一代制程的18 寸廠目前初估，至少需投入80~100 億美元，如此龐大的金額，放眼全球，能拿得出筆金額的半導(dǎo)體公司，只有英特爾、臺積電、三星與格羅方德。降低成本，一直以來是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能夠持續(xù)成長的原因之一，其中的二大關(guān)鍵，一、在
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晶圓介紹

晶圓　　晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細 ]

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