功率器件文章最新資訊

整套設(shè)備的智能化將是大勢所趨

面向工業(yè)設(shè)備的電源產(chǎn)品的使用條件比較苛刻，有的應(yīng)用需要24小時365天無間斷運轉(zhuǎn),所以設(shè)計與研發(fā)電源產(chǎn)品時，對功率器件要求很高，必須要兩個方面的技術(shù)性的考慮：一是損耗特性，由于無間斷運轉(zhuǎn)的需求，如何減少器件所產(chǎn)生的損耗對工廠電費有直接影響。
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重磅消息！深圳第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動

　　3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有里程碑意義，將對中國乃至全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠影響?！　】萍疾吭辈块L、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會主任、深圳第三代半導(dǎo)體研究院理事長曹健林，廣東省委常委、深圳市委書記王偉中，深圳市委副書記、市長陳如桂，科技部高新司原司長、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會副主任、深圳第三代半
關(guān)鍵字：青銅劍科技半導(dǎo)體碳化硅功率器件

嵌入式設(shè)計入門：三極管基礎(chǔ)電路設(shè)計

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MSP430程序升級方案

MSP430程序升級方案-　　對MSP430系列單片機進行編程的方式有以下3種：利用JTAG接口，利用BSL固件和利用用戶自定義的升級固件。由于利用自定義升級固件進行程序升級的方式比較靈活，且用途廣泛，因此本文將對其作重點介紹。
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變頻器逆變模塊損壞的起因及處理方法

變頻器逆變模塊損壞的起因及處理方法-　　變頻器逆變模塊損壞多半是由于驅(qū)動電路損壞致使1個橋臂上的2個開關(guān)器件同一時間導(dǎo)通所造成的。變頻器逆變功率模塊損壞是不管在矢量變頻器還是節(jié)能變頻器等其他變頻設(shè)備上常見到的故障，解決這種問題只有查到損壞的根本原因，并首先消除再次損壞的可能，才能更換逆變模塊，否則換上去的新模塊會再損壞。
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常用的功率半導(dǎo)體器件盤點匯總

常用的功率半導(dǎo)體器件盤點匯總-電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上）電子器件。
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開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展歷程的十個關(guān)注點

開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展歷程的十個關(guān)注點-　上世紀(jì)60年代，開關(guān)電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個發(fā)展階段。
關(guān)鍵字：開關(guān)電源功率器件電磁兼容性

功率器件交貨期持續(xù)拉長，供應(yīng)短缺局面何時結(jié)束？

全球性需求增加也帶動市場增長，但是功率分立器件交貨期開始延長暫時還沒有什么解決辦法。
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三菱電機強勢出擊PCIM亞洲2017展

　　三菱電機(www.MitsubishiElectric-mesh.com)今日在上海世博展覽館舉行的PCIM 亞洲 2017展會中隆重登場(三菱電機展位號:E06)，所展出的十款新型功率器件大受觀眾歡迎，不斷吸引觀眾前來參觀了解三菱電機最新的技術(shù)、產(chǎn)品和優(yōu)勢?！　∪怆姍C以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題，今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業(yè)應(yīng)用和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品，其中第7代IGBT模塊更首次作
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東芝推出額定值為5A／600V的高壓智能功率器件

　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司近日宣布推出最新產(chǎn)品“TPD4207F”，擴大其小型封裝高壓智能功率器件(IPD)產(chǎn)品陣容，該產(chǎn)品適用于空調(diào)、空氣凈化器的風(fēng)扇電機和泵等各類產(chǎn)品。新IPD采用小型“SOP30”表面貼裝型封裝，實現(xiàn)更大的額定電流(5A)和600V的高電壓。量產(chǎn)出貨即日啟動?！　≡撔翴PD利用東芝最新MOSFET技術(shù)——600V超結(jié)MOSFET“DTMOSIV系列”，有效減小功率損耗，實現(xiàn)5A額定電流。這一電流足以驅(qū)動冰箱的壓縮機電機，這是現(xiàn)有IPD無法做到的，因此新IPD的應(yīng)用范
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IGBT驅(qū)動電路的作用、工作特性與使用要求

　　IGBT驅(qū)動電路的作用：　　IGBT驅(qū)動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅(qū)動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動電路起到至關(guān)重要的作用?！　GBT的工作特性：　　IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負電壓來控制。當(dāng)加上正柵極電壓時,管子導(dǎo)通;當(dāng)加上負柵極電壓時,管子關(guān)斷。　　? ?　　IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關(guān)電源中的IGBT通過UGE電平
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中國的功率器件制造產(chǎn)業(yè)尚處于早期階段，前景廣闊

　　功率集成電路器件的產(chǎn)地正發(fā)生著重大改變。過去10年來，中國、歐洲和東南亞地區(qū)的功率器件制造業(yè)取得迅猛發(fā)展，而北美地區(qū)則逐漸走下坡路。　　在市場機遇方面，隨著電池供電與互聯(lián)消費產(chǎn)品及電動車的涌現(xiàn)，功率器件需求預(yù)計將更加強勁。如下方圖片所示，中國的智能手機需求增長與功率集成電路消費趨勢相符。未來，中國有望成為半導(dǎo)體器件包括功率器件主要的設(shè)計與制造來源。　　目前，中國的功率器件制造產(chǎn)業(yè)尚處于早期階段。在初始階段，中國制造的主要是簡單的二極管和功率MOSFET。批量制造如IGBT等更加復(fù)雜精細的功率器
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中國功率集成電路制造產(chǎn)業(yè)前景廣闊　

本文介紹了中國功率器件制造業(yè)未來發(fā)展所擁有的環(huán)境優(yōu)勢以及政策優(yōu)勢，分析了中國功率器件未來發(fā)展的廣闊前景。
關(guān)鍵字：功率器件產(chǎn)能政策 201705

光伏逆變器的新方向

新型功率器件、封裝或材料都是為了提高電源能效和功率密度。安森美半導(dǎo)體非常注重新技術(shù)的開發(fā)與新材料器件的應(yīng)用，能同時提供氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 寬帶隙(WBG)器件，目前SiC二極管已經(jīng)量產(chǎn)并且廣泛應(yīng)用于工業(yè)、太陽能逆變器等領(lǐng)域，SiC MOS 和新一代的GaN MOS 也在開發(fā)中，不久就會發(fā)布。
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華虹半導(dǎo)體功率器件平臺累計出貨量突破500萬片晶圓

　　全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導(dǎo)體有限公司(“華虹半導(dǎo)體”或“公司”，連同其附屬公司，統(tǒng)稱“集團”，股份代號：1347.HK)今天宣布，公司功率器件平臺累計出貨量已突破500萬片晶圓。其中，得益于市場對超級結(jié)MOSFET(“金氧半場效晶體管”)和IGBT(“絕緣柵雙極型晶體管”)的強勁需求，華虹半導(dǎo)體獨特且具競爭力的垂直溝槽型Super Junction MOSFET(“SJNFET”)以及場截止型IGBT累計出貨量分別超過了200,000片和30,000片晶圓，并保持
關(guān)鍵字：華虹半導(dǎo)體功率器件