安森美文章最新資訊

線控技術(shù)重構(gòu)汽車電子架構(gòu)，電感式位置傳感器成就標(biāo)桿應(yīng)用

在汽車工業(yè)百年發(fā)展歷程中，機(jī)械傳動系統(tǒng)始終是車輛控制的核心。然而，隨著電動化與智能化浪潮的沖擊，傳統(tǒng)機(jī)械結(jié)構(gòu)的局限性日益凸顯。線控技術(shù)（Drive-By-Wire）通過電信號替代機(jī)械連接，正在重塑汽車的神經(jīng)中樞系統(tǒng)。以線控制動系統(tǒng)為例，傳統(tǒng)液壓制動需要通過機(jī)械連桿傳遞踏板力，而線控制動系統(tǒng)則利用電感式位置傳感芯片實(shí)時監(jiān)測踏板位置，將信號傳輸至電子控制單元（ECU），再由電機(jī)驅(qū)動制動卡鉗。線控技術(shù)的本質(zhì)是通過傳感器將物理量轉(zhuǎn)化為電信號，再通過控制器實(shí)現(xiàn)精確控制。安森美（onsemi）作為這一領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，構(gòu)
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全局快門CMOS傳感器選型指南：從分辨率到HDR的終極考量

在高速視覺應(yīng)用的競技場中，全局快門CMOS圖像傳感器扮演著關(guān)鍵角色。當(dāng)設(shè)計(jì)需要捕捉高速動態(tài)場景的方案時，僅僅關(guān)注分辨率或幀率遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。傳感器的核心特性——尤其是其快門機(jī)制——直接決定了能否無失真地“凍結(jié)”瞬間。深入理解全局快門在高速環(huán)境下的優(yōu)勢，并權(quán)衡光學(xué)格式、動態(tài)范圍、噪聲表現(xiàn)（SNR）、像素架構(gòu)，乃至功耗、接口、HDR處理能力等綜合特性，是選擇真正匹配高速需求的圖像傳感器的必經(jīng)之路。為了幫助篩選這些規(guī)格和功能，一個重要的考慮因素是傳感器的預(yù)期應(yīng)用。某些應(yīng)用需要非常高的分辨率來捕捉靜止物體，而另一些應(yīng)用
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適用于高速應(yīng)用的先進(jìn)全局快門圖像傳感器

在需要使用有源像素陣列CMOS 數(shù)字圖像傳感器來設(shè)計(jì)解決方案時，必須考慮大量傳感器規(guī)格。例如，傳感器的分辨率、光學(xué)格式、快門類型、最大幀率、動態(tài)范圍、信噪比（SNR）和像素結(jié)構(gòu)等等。更復(fù)雜的是，還要考慮傳感器的特性/功能，如功耗、接口、封裝類型、板載HDR 處理和感興趣的區(qū)域。最佳選擇并不總是一目了然。為了幫助篩選這些規(guī)格和功能，一個重要的考慮因素是傳感器的預(yù)期應(yīng)用。某些應(yīng)用需要非常高的分辨率來捕捉靜止物體，而另一些應(yīng)用則需要檢測快速移動的物體，并能夠再現(xiàn)"定格"效果。另一個重要
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一文讀懂SiC Combo JFET技術(shù)

安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。SiC Combo JFET 技術(shù)概覽對于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)。在這種設(shè)置中，SiC JFET負(fù)責(zé)處理
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SiC Combo JFET技術(shù)概覽與特性

安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。SiC Combo JFET技術(shù)概覽對于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)。在這種設(shè)置中，SiC JFET負(fù)責(zé)處理高
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無人機(jī)核心系統(tǒng)解析：自主導(dǎo)航與感知系統(tǒng)

無人機(jī)以高效創(chuàng)新的方案，改變了多個行業(yè)的格局。在農(nóng)業(yè)領(lǐng)域，無人機(jī)助力精準(zhǔn)農(nóng)業(yè) 、作物監(jiān)測和牲畜追蹤。工業(yè)部門利用無人機(jī)進(jìn)行現(xiàn)場勘測、基礎(chǔ)設(shè)施檢查和項(xiàng)目監(jiān)控。無人機(jī)還在革新配送服務(wù)，尤其在向偏遠(yuǎn)地區(qū)運(yùn)送包裹、醫(yī)療用品和緊急援助物資方面表現(xiàn)出色。第一篇推文中我們介紹了市場趨勢，本文將繼續(xù)介紹系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)。系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)無人機(jī)的眾多應(yīng)用1.測繪無人機(jī)這類無人機(jī)配備了高分辨率相機(jī)和深度傳感器，能夠?yàn)榻ㄖ?、采礦和環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域創(chuàng)建詳細(xì)的地圖和 3D 模型。2.巡檢無人機(jī)這類無人機(jī)
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安森美AI數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)方案指南上線

隨著人工智能產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，市場對AI數(shù)據(jù)中心的需求也不斷上升，智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美公司依托領(lǐng)先的碳化硅(SiC)技術(shù)，以功率器件、智能功率級模塊等核心產(chǎn)品，打造了一系列針對?AI數(shù)據(jù)中心的高功率密度電源解決方案，并發(fā)布了《AI?數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)方案指南》(AI Data Center System Solution Guide)，全面蓋產(chǎn)品規(guī)格參數(shù)、典型應(yīng)用場景及系統(tǒng)設(shè)計(jì)案例，為客戶提供從器件選型到系統(tǒng)集成的全方位技術(shù)支持。受生成式AI、機(jī)器學(xué)習(xí)及其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的推
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高結(jié)溫IC設(shè)計(jì)避坑指南：5大核心挑戰(zhàn)與應(yīng)對策略

在商業(yè)、工業(yè)及汽車電子領(lǐng)域，高溫環(huán)境對集成電路的性能、可靠性和安全性構(gòu)成嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。隨著應(yīng)用場景向極端溫度條件延伸，高結(jié)溫引發(fā)的漏電增加、壽命衰減等問題日益凸顯，亟需通過創(chuàng)新設(shè)計(jì)技術(shù)突破技術(shù)瓶頸。本文將解析高溫對集成電路的深層影響，揭示高結(jié)溫帶來的五大核心挑戰(zhàn)，并探討針對性的高功率設(shè)計(jì)解決方案。高結(jié)溫帶來的挑戰(zhàn)半導(dǎo)體器件在較高溫度下工作會降低電路性能，縮短使用壽命。對于硅基半導(dǎo)體而言，晶體管參數(shù)會隨著溫度的升高而下降，由于本征載流子密度的影響，最高極限會低于 300℃。依靠選擇性摻雜的器件可能會失效或性能不
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安森美亮相北京聽力學(xué)大會，展示智能聽力技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力

智能電源與智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美（onsemi）近日參加了第九屆北京國際聽力學(xué)大會，展示了前沿的聽力解決方案，鞏固了公司在智能化、個性化聽力健康領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。安森美重點(diǎn)展示了Ezairo系列平臺——搭載人工智能增強(qiáng)處理器和先進(jìn)的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)能力，專為高性能助聽器及高端音頻設(shè)備設(shè)計(jì)。其旗艦產(chǎn)品Ezairo 8300和Ezairo 8310平臺通過六核架構(gòu)實(shí)現(xiàn)卓越音頻精度，支持實(shí)時環(huán)境識別與聲音無縫自適應(yīng)。Ezairo 7160平臺具備開放式可編程能力，為產(chǎn)品開發(fā)提供定制化和靈活性的雙重優(yōu)勢。其無線連接技
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高溫IC設(shè)計(jì)必懂基礎(chǔ)知識：高結(jié)溫帶來的5大挑戰(zhàn)

隨著技術(shù)的飛速發(fā)展，商業(yè)、工業(yè)及汽車等領(lǐng)域?qū)δ透邷丶呻娐罚↖C）的需求持續(xù)攀升?。高溫環(huán)境會嚴(yán)重制約集成電路的性能、可靠性和安全性，亟需通過創(chuàng)新技術(shù)手段攻克相關(guān)技術(shù)難題?。本文致力于探討高溫對集成電路的影響，介紹高結(jié)溫帶來的挑戰(zhàn)，并提供適用于高功率的設(shè)計(jì)技術(shù)以應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。高結(jié)溫帶來的挑戰(zhàn)半導(dǎo)體器件在較高溫度下工作會降低電路性能，縮短使用壽命。對于硅基半導(dǎo)體而言，晶體管參數(shù)會隨著溫度的升高而下降，由于本征載流子密度的影響，最高極限會低于 300℃。依靠選擇性摻雜的器件可能會失效或性能不佳。影響 IC 在
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SiC市場的下一個爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，本文將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡介碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導(dǎo)通。然而，開關(guān)模式在應(yīng)用中通常需要常關(guān)狀態(tài)。因此，將SiC JFET與低電壓硅M
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SiC Combo JFET講解，這些技術(shù)細(xì)節(jié)必須掌握

安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。本文為第一部分，將介紹SiC Combo JFET 技術(shù)概覽、產(chǎn)品介紹等。SiC Combo JFET 技術(shù)概覽對于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開
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高溫IC設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識：環(huán)境溫度和結(jié)溫

隨著技術(shù)的飛速發(fā)展，商業(yè)、工業(yè)、軍事及汽車等領(lǐng)域?qū)δ透邷丶呻娐罚↖C）的需求持續(xù)攀升?。高溫環(huán)境會嚴(yán)重制約集成電路的性能、可靠性和安全性，亟需通過創(chuàng)新技術(shù)手段攻克相關(guān)技術(shù)難題?。通過深入分析高溫產(chǎn)生的根源，我們旨在緩解其引發(fā)的問題，從而增強(qiáng)集成電路在極端條件下的穩(wěn)健性并延長使用壽命，同時優(yōu)化整體解決方案的成本。安森美（onsemi）的 Treo平臺提供了全面的產(chǎn)品開發(fā)生態(tài)系統(tǒng)，專為支持高溫運(yùn)行而設(shè)計(jì)。環(huán)境溫度IC及所有電子設(shè)備的一個關(guān)鍵參數(shù)是其能夠可靠工作的溫度范圍。具體的工作溫度范圍是根據(jù)其應(yīng)用和行業(yè)
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干貨 | 域控關(guān)鍵技術(shù)詳解

向軟件定義汽車 (SDV) 的轉(zhuǎn)型促使汽車制造商不斷創(chuàng)新，在區(qū)域控制器中集成受保護(hù)的半導(dǎo)體開關(guān) 。電子保險絲和 SmartFET 可為負(fù)載、傳感器和執(zhí)行器提供保護(hù)，從而提高功能安全性，更好地應(yīng)對功能故障情況。不同于傳統(tǒng)的域架構(gòu)，區(qū)域控制架構(gòu)采用集中控制和計(jì)算的方式，將分散在各個 ECU 上的軟件統(tǒng)一交由強(qiáng)大的中央計(jì)算機(jī)處理，從而為下游的電子控制和配電提供了更高的靈活性。本系統(tǒng)方案指南 ( SSG ) 探討了車輛區(qū)域控制架構(gòu)的最新趨勢和技術(shù)。
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高溫IC設(shè)計(jì)必懂基礎(chǔ)知識：高溫設(shè)計(jì)的優(yōu)勢

隨著技術(shù)的飛速發(fā)展，商業(yè)、工業(yè)及汽車等領(lǐng)域?qū)δ透邷丶呻娐罚↖C）的需求持續(xù)攀升?。高溫環(huán)境會嚴(yán)重制約集成電路的性能、可靠性和安全性，亟需通過創(chuàng)新技術(shù)手段攻克相關(guān)技術(shù)難題?。這份白皮書致力于探討高溫對集成電路的影響，并提供適用于高功率的設(shè)計(jì)技術(shù)以應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。我們陸續(xù)介紹了這些干貨知識：工作溫度，包括環(huán)境溫度和結(jié)溫等。高結(jié)溫帶來的挑戰(zhàn) 。 IC的高溫設(shè)計(jì)原則。本文將繼續(xù)介紹高溫設(shè)計(jì)的優(yōu)勢。高溫設(shè)計(jì)的優(yōu)勢能夠在高溫下工作的集成電路具有多種優(yōu)勢。它們可以在汽車和航空航天等環(huán)境
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安森美介紹

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor, 美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò)和強(qiáng)大的產(chǎn)品系列，是計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)產(chǎn)品、汽車、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場客戶之首選高能效半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場運(yùn)營包括制造廠、銷售辦事處和設(shè)計(jì)中心的業(yè)務(wù) [ 查看詳細(xì) ]