功率器件 文章 最新資訊
如何準(zhǔn)確選擇功率器件一
- 所謂功率半導(dǎo)體器件,以前也被稱為電力電子器件,簡單來說,就是進(jìn)行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導(dǎo)體 ...
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Diodes霍爾開關(guān)有效優(yōu)化敏感度

- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出四款全極性霍爾效應(yīng)開關(guān),其磁場檢測的敏感度適合于多種產(chǎn)品設(shè)計的接近效應(yīng)與位置檢測功能。這些微功率器件也為電池及低功率操作進(jìn)行了優(yōu)化,在3V供電下一般僅消耗24 μW。
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國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售
- “十二五”規(guī)劃出臺以后,國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視,同時,“節(jié)能減排”工作也深入開展,中國開始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵部件,受到了國家的重視,近兩年更是列入國家重大科技專項中提供多方位的支持。 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導(dǎo)體分立器件,具有易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高的特點,廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機(jī)
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富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件

- 上海,2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用,對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。 與傳統(tǒng)硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率,并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
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富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件
- 富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用,對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。 與傳統(tǒng)硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率,并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化,從而可以通過硅晶圓直徑的增加,來實現(xiàn)低成本生產(chǎn)。按照此目標(biāo),富
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功率器件的開發(fā)應(yīng)用與實例圖解
- 隨著全球能源的日趨緊張,節(jié)能節(jié)電迫在眉睫。電能轉(zhuǎn)換是節(jié)能節(jié)電的重要環(huán)節(jié)。在電能轉(zhuǎn)換過程中,轉(zhuǎn)換期間的...
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功率器件在混合動力汽車(HEV)中的應(yīng)用
- 混合動力汽車(HEV)市場的增長在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標(biāo)及追加投入的每個硬幣所帶來的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場的可靠性。消費者將混合汽車與標(biāo)準(zhǔn)汽車進(jìn)行比較,并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具
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功率器件介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對功率器件的理解,并與今后在此搜索功率器件的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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