功率器件 文章 最新資訊
提高功率器件動態(tài)參數(shù)測試效率的7個方法

- 對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán),測試結(jié)果用于驗證、評價、對比功率器件的動態(tài)特性。如何能夠高效地完成測試是工程師一直關(guān)注的,也是在選擇功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)時需要著重關(guān)注的,一個高效的測試系統(tǒng)能夠幫助工程師快速完成測試、獲得測試結(jié)果、提升工作效率、節(jié)約時間和精力。接下來我們將為大家介紹提高功率器件動態(tài)參數(shù)測試效率的7個方法,希望能對大家的工作有所幫助。方法1:測試單元模塊化功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)往往需要具備多種測試功能、覆蓋多種電壓等級的被測器件,此時就需要對測試
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英飛凌為布魯姆能源公司的電解系統(tǒng)和燃料電池提供CoolSiC?功率器件

- 【2022年10月26日,德國慕尼黑訊】當(dāng)前的能源危機充分表明,全球迫切需要尋找替代能源來構(gòu)建氣候友好型的能源供應(yīng)能力。近日,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的CoolSiC? MOSFET和CoolSiC二極管被總部位于加利福尼亞州的布魯姆能源公司(Bloom Energy)選中,用于其燃料電池產(chǎn)品布魯姆能源服務(wù)器(Bloom’s Energy Server)以及布魯姆電解系統(tǒng)(Bloom Electrolyzer)中的功率變換。??布魯姆能源
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士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線初步通線,首個SiC器件芯片投片成功
- 10月24日,士蘭微發(fā)布公告稱,近期,士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實現(xiàn)初步通線,首個SiC器件芯片已投片成功,首批投片產(chǎn)品各項參數(shù)指標(biāo)達到設(shè)計要求,項目取得了階段性進展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設(shè)備的安裝、調(diào)試,目標(biāo)是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。士蘭微表示,公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開發(fā),性能指標(biāo)達到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上,參數(shù)指標(biāo)較好,繼續(xù)完成評測,即將向客戶送樣。據(jù)了解,2017年12月1
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庖丁解??垂β势骷p脈沖測試平臺

- _____雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時,這項測試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)應(yīng)用等各個環(huán)節(jié),測試結(jié)果有力地保證了器件的特性和質(zhì)量、功率變換器的指標(biāo)和安全,可以說是伴隨了功率器件生命的關(guān)鍵時刻。隨著先進功率器件的問世以及功率變換器設(shè)計愈發(fā)精細,器件研發(fā)工程師和電源工程師都越來越關(guān)注雙脈沖測試。工欲善其事,必先利其器,擁有一套雙脈沖測試平臺是獲得正確評估結(jié)果的第一步。本文將破解雙脈
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這些功率器件撐起3,000億特高壓建設(shè)

- 新能源是支撐國家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵,隨著“碳達峰”和“碳中和”目標(biāo)的提出,中國新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。但新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的一個關(guān)鍵問題是發(fā)電與用電區(qū)域不均衡,風(fēng)電、太陽能和水電等可再生能源主要集中在西部和西北部,用電則主要集中在中東部。并且風(fēng)電和太陽能(光伏)等發(fā)電方式波動性較大,在新能源布局較多的西北部地區(qū),由于用電負荷低于發(fā)電量,造成了較高比例的“棄風(fēng)”、“棄光”現(xiàn)象。將大規(guī)模波動性新能源發(fā)電接入電網(wǎng),一方面要提高儲能技術(shù),另一方面也要改善輸配電狀況,“西電東送”是解決能源分布不均的重要途徑,而“西
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打造驅(qū)動第三代功率半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

- 受訪人:亞德諾半導(dǎo)體 大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動汽車充電站、新能源等基礎(chǔ)設(shè)施的廣泛部署使得功耗快速增長,因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來,以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān),從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。新型和未來的SiC/GaN功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步,其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實現(xiàn)更緊湊、更具成本效益的功率應(yīng)用。好馬
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2021年中國半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強企業(yè)排名
- 注意以下排名企業(yè)不分先后:安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 江蘇長晶科技有限公司華潤微電子控股有限公司 樂山無線電股份有限公司揚州楊杰電子科技股份有限公司 北京燕東微電子有限公司杭州士蘭微電子股份有限公司 江蘇捷捷微電子股份有限公司吉林華微電子股份有限公司 無錫新潔能股份有限公司以上江蘇長晶科技有限公司已更名為江蘇長晶半導(dǎo)體有限公司,其經(jīng)營產(chǎn)品不變
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功率器件競爭格局解析
- 功率半導(dǎo)體為半導(dǎo)體重要組成,是進行電能(功率)處理的核心器件,用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。根據(jù)Yole數(shù)據(jù),2019年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為381億美元,預(yù)計到2022年達到426億美元,復(fù)合增長率為5.43%,市場空間穩(wěn)健增長。功率器件是功率半導(dǎo)體的一個重要分支,應(yīng)用領(lǐng)域極其廣泛,幾乎用于所有電力電子制造業(yè),其中,汽車、工業(yè)和消費電子是功率半導(dǎo)體的前三大終端市場。功率器件細分領(lǐng)域中,早期二極管、三極管主要應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng);晶閘管實現(xiàn)可控性改良;功率MOSFET和IGBT等器件實現(xiàn)
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聚焦半導(dǎo)體主業(yè),TCL科技出售廣州金服、加碼功率器件業(yè)務(wù)
- 日前,TCL科技連發(fā)數(shù)則公告,釋放出聚焦半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的信號。除了50億元增資TCL華星之外,TCL科技擬出售TCL 金服控股(廣州)集團有限公司(以下簡稱“廣州金服”),而其控股子公司天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱“中環(huán)半導(dǎo)體”)的全資子公司天津環(huán)鑫科技發(fā)展有限公司(以下簡稱“天津環(huán)鑫”)擬引入TCL 微芯科技(廣東)有限公司(以下簡稱“TCL 微芯”)對天津環(huán)鑫增資5.67億元。向TCL實業(yè)出售廣州金服100%股權(quán)公告顯示,TCL科技近日簽署了《股份轉(zhuǎn)讓協(xié)議》,擬向TCL實業(yè)出售廣州金服10
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功率器件巨頭怎樣去“玩轉(zhuǎn)”SiC市場

- 按照業(yè)界通常的看法,未來5到10年內(nèi),SiC功率器件市場增長機會主要在汽車領(lǐng)域,特別是EV、混合動力車、燃料電池車等電動車應(yīng)用市場。實際上,在光伏和儲能、驅(qū)動、充電樁、UPS領(lǐng)域,SiC都將有高速成長的機會。而且,電源領(lǐng)域?qū)⑹荢iC最大的市場。綜合起來,這幾個市場將會有16%的年復(fù)合增長率。脫穎而出更高的工作電壓、更高的效率、更好的散熱性能,都是SiC在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢。與傳統(tǒng)的Si材料作對比,SiC的帶隙(BandGap)是其三倍;擊穿場強(MV/cm)上,SiC是2.2,Si為0.3,高出7倍左右;
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低壓無刷一體化電機的解決方案
- 王? 力? (MPS?現(xiàn)場應(yīng)用工程師?副經(jīng)理)摘? 要:介紹了無刷直流電機、低壓驅(qū)動控制及電機一體化的解決方案。 關(guān)鍵詞:無刷直流電機;低壓;電機一體化;功率器件;編碼器無刷直流電機由電動機本體和驅(qū)動電路組成,是典 型的機電一體化產(chǎn)品。相比于有刷電機和步進電機,無 刷電機在壽命、小型化、效率、動態(tài)性能方面有著明顯 的優(yōu)勢。隨著無刷電機制 造工藝的日趨成熟,無刷 電機性價比將進一步得到 提升,勢必將得到更廣泛 的應(yīng)用。特別是在紡織、 醫(yī)療等行業(yè),對小型化、 集成化、驅(qū)動控制及電機 一體化的低壓直流無刷電 機
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碳化硅(SiC)功率器件或在電動汽車領(lǐng)域一決勝負
- 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段:硅晶閘管(可控硅)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和剛顯露頭角的碳化硅(SiC)系列大功率半導(dǎo)體器件。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料,與普通的硅材料相比,碳化硅的優(yōu)勢非常突出,它不僅克服了普通硅材料的某些缺點,在功耗上也有非常好的表現(xiàn),因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。正因為如此,已經(jīng)有越來越多的半導(dǎo)體企業(yè)開始進入SiC市場。到2023年,SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將達到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
- 關(guān)鍵字: 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車
支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

- 兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級盡可能提高(和降低)。氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性,同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗來看,您必須至少對其中的部分因素進行權(quán)衡,但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢實現(xiàn)設(shè)計,同時通過在一個封裝中進行復(fù)雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本,并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半,到為并
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中璟航天半導(dǎo)體要做半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,晶圓制造帶動,人才教育、供應(yīng)鏈和設(shè)計孵化先行——投行基金進入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新視角

- 在國家大力支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策下,在全球特別是中國強大的半導(dǎo)體市場需求下,一家投資江蘇盱眙8英寸功率器件為主的柔性生產(chǎn)線的黑馬進入了業(yè)內(nèi)的視線,這就是江蘇中璟航天半導(dǎo)體實業(yè)發(fā)展有限公司?! 〔痪们暗?“2018中國半導(dǎo)體市場年會暨第七屆集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會(南京)”上,中璟榮獲了賽迪顧問的 “最具成長力企業(yè)獎”和“投資新銳獎”2個獎項。會議期間,電子產(chǎn)品世界記者訪問了江蘇中璟航天半導(dǎo)體實業(yè)發(fā)展有限公司副總經(jīng)理麥桓彰先生。江蘇中璟航天半導(dǎo)體實業(yè)發(fā)展有限公司副總經(jīng)理麥桓彰先生 中璟航天半導(dǎo)體應(yīng)運而生
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功率器件介紹
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