LG電子將通過(guò)混合鍵合進(jìn)入半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)

LG 電子已悄然啟動(dòng)成為半導(dǎo)體設(shè)備制造商的計(jì)劃。其生產(chǎn)技術(shù)研究所已開(kāi)始開(kāi)發(fā)為下一代高帶寬存儲(chǔ)器 （HBM） 量身定制的混合鍵合機(jī)，其內(nèi)部目標(biāo)是到 2028 年出貨生產(chǎn)單元。混合鍵合是一種晶圓級(jí)連接技術(shù)，無(wú)需焊料凸塊。相反，每個(gè)芯片上的銅焊盤(pán)被平坦化到納米級(jí)的光滑度，并在室溫下壓合在一起，形成永久的直接電接觸。這種方法可產(chǎn)生更薄的內(nèi)存堆棧，在更低的溫度下運(yùn)行，并且比使用傳統(tǒng)熱壓縮鍵合組裝的方法提供更快的電氣性能。HBM 由緊密堆疊的 DRAM 層組成，目前的封裝支持多達(dá) 8 層的熱壓鍵合。堆疊超過(guò) 12 層會(huì)導(dǎo)致焊料凸點(diǎn)間距塌陷，這使得混合鍵合對(duì)于更高、更高效的堆疊至關(guān)重要。

LG 推動(dòng)混合鍵合開(kāi)發(fā)之際，行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 SK 海力士、美光和三星競(jìng)相為 NVIDIA、AMD、英特爾、谷歌和亞馬遜的人工智能系統(tǒng)供應(yīng) HBM4 和 HBM4E 內(nèi)存，計(jì)劃于 2026 年推出。為了加速其計(jì)劃，LG 正在招聘數(shù)十名半導(dǎo)體封裝博士，并與首爾國(guó)立大學(xué)合作。該公司將混合粘合視為其在 HVAC 和機(jī)器人技術(shù)方面現(xiàn)有 B2B 產(chǎn)品的自然延伸。目前，只有荷蘭公司 BESI 和美國(guó)供應(yīng)商應(yīng)用材料公司提供商業(yè)混合鍵合，而且在韓國(guó)都沒(méi)有業(yè)務(wù)。包括三星的 Semes、Hanwha Semitec 和 Hanmi Semiconductor 在內(nèi)的本地競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手仍處于原型或試點(diǎn)階段。如果 LG 實(shí)現(xiàn)其 2028 年目標(biāo)，其第一批客戶出貨量可能與 SK 海力士的 HBM4E 銷(xiāo)量增長(zhǎng)和三星 HBM4 風(fēng)險(xiǎn)線的推出保持一致。