LPDDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會發(fā)布 JESD209-6，即最新的低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率 6（LPDDR6）標(biāo)準(zhǔn)。JESD209-6 旨在顯著提升多種應(yīng)用場景（包括移動設(shè)備和人工智能）的內(nèi)存速度與效率。JEDEC 稱，新版 JESD209-6 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)是內(nèi)存技術(shù)的重大進(jìn)步，在性能、能效和安全性方面均有提升。

高性能

為支持人工智能應(yīng)用及其他高性能工作負(fù)載，LPDDR6 采用雙子通道架構(gòu)，在保持 32 字節(jié)小訪問粒度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)靈活操作。此外，LPDDR6 的主要特性還包括：

• 每顆芯片含 2 個(gè)子通道，每個(gè)子通道有 12 條數(shù)據(jù)信號線（DQs），以優(yōu)化通道性能。

• 每個(gè)子通道包含 4 條命令 / 地址（CA）信號，經(jīng)優(yōu)化減少焊球數(shù)量并提高數(shù)據(jù)訪問速度。

• 靜態(tài)效率模式，旨在支持大容量內(nèi)存配置并最大化存儲體資源利用率。

• 靈活的數(shù)據(jù)訪問，支持實(shí)時(shí)突發(fā)長度控制，可實(shí)現(xiàn) 32B 和 64B 訪問。

• 動態(tài)寫入 NT-ODT（非目標(biāo)片上終端），使內(nèi)存能根據(jù)工作負(fù)載需求調(diào)整 ODT，提升信號完整性。

能效

為滿足不斷增長的能效需求，與 LPDDR5 相比，LPDDR6 采用更低電壓和低功耗的 VDD2 供電，并強(qiáng)制要求 VDD2 采用雙電源設(shè)計(jì)。其他節(jié)能特性包括：

• 采用交替時(shí)鐘命令輸入，提升性能與效率。

• 低功耗動態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)（DVFSL），在低頻運(yùn)行時(shí)降低 VDD2 電壓，減少功耗。

• 動態(tài)效率模式，在低功耗、低帶寬場景下采用單子通道接口。

• 支持部分自刷新和主動刷新，降低刷新功耗。

安全性與可靠性

相較于上一版本標(biāo)準(zhǔn)，安全性和可靠性方面的改進(jìn)包括：

• 每行激活計(jì)數(shù)（PRAC），支持 DRAM 數(shù)據(jù)完整性。

• 定義隔離元模式，通過為關(guān)鍵任務(wù)分配特定內(nèi)存區(qū)域，提升整體系統(tǒng)可靠性。

• 支持可編程鏈路保護(hù)方案和片上糾錯(cuò)碼（ECC）。

• 能夠支持命令/ 地址（CA）奇偶校驗(yàn)、錯(cuò)誤清理以及內(nèi)存內(nèi)置自測試（MBIST），增強(qiáng)錯(cuò)誤檢測能力和系統(tǒng)可靠性。

日前，三星電子設(shè)備解決方案（DS）部門副董事長全永鉉宣布，三星將于今年下半年通過第六代「1c DRAM」工藝量產(chǎn)下一代 LPDDR6 內(nèi)存，并計(jì)劃向高通等科技巨頭供貨。

據(jù)悉，1c DRAM 是 DRAM 制造的第六代工藝節(jié)點(diǎn)，相比前代技術(shù)，其晶體管密度更高、能效比更優(yōu)。三星通過「設(shè)計(jì)變更」戰(zhàn)略，將 1c DRAM 的冷態(tài)良率提升至 50%，熱態(tài)良率達(dá) 60%-70%，并計(jì)劃在韓國華城工廠建設(shè)新生產(chǎn)線，擴(kuò)大產(chǎn)能。LPDDR6 內(nèi)存基于 1c 工藝開發(fā)，帶寬和功耗表現(xiàn)顯著提升，可滿足 AI 模型訓(xùn)練、移動終端算力升級等場景對內(nèi)存性能的嚴(yán)苛需求。

據(jù)行業(yè)消息，高通下一代旗艦芯片「驍龍 8 Elite Gen2」將首發(fā)支持 LPDDR6 內(nèi)存，并計(jì)劃于今年 9 月 23 日的驍龍峰會上亮相。

隨著 AI 應(yīng)用向終端設(shè)備下沉，LPDDR6 內(nèi)存的帶寬與能效成為關(guān)鍵競爭力。三星計(jì)劃通過向高通等廠商供貨，進(jìn)一步滲透智能手機(jī)、筆記本電腦及 AI 服務(wù)器市場，強(qiáng)化其技術(shù)壁壘。此外，三星還在 HBM4 等高端存儲產(chǎn)品中部署 1c DRAM 技術(shù)，構(gòu)建覆蓋 AI 全場景的內(nèi)存解決方案。

目前，三星已制定 1c DRAM 擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，預(yù)計(jì)最早于今年年底完成韓國華城工廠生產(chǎn)線建設(shè)。此外，該公司正同步開發(fā) DDR 與 LPDDR 用 1c DRAM，打破傳統(tǒng)開發(fā)順序，加速商業(yè)化進(jìn)程。

LPDDR6 將取代現(xiàn)有的 LPDDR5 內(nèi)存及其衍生版本，而 LPDDR5 標(biāo)準(zhǔn)早在 2019 年就已經(jīng)發(fā)布。距離 LPDDR5 標(biāo)準(zhǔn)問世已有將近五年時(shí)間，在這段時(shí)間里，三星和美光推出了 LPDDR5x，SK 海力士也推出了 LPDDR5T，其傳輸速率高達(dá) 9.6 Gbps。這些低功耗的 DRAM 內(nèi)存非常適合智能手機(jī)、輕薄型設(shè)備甚至筆記本電腦 / 迷你臺式機(jī)等強(qiáng)調(diào)低功耗的設(shè)備。

采用 LPDDR5 (X / T) 規(guī)格的內(nèi)存模組正越來越多地出現(xiàn)在各種產(chǎn)品中。例如，LPCAMM2 模組憑借其小巧的模塊化外形尺寸、更大的容量和更高的可升級性，將徹底改變 PC 內(nèi)存市場。

此外，最近上市的 LPCAMM2 模組采用了 LPDDR5 (X / T) 的變種，由于其小巧的模塊化外形尺寸，能夠提供更大的容量和可升級性，將改變 PC 市場格局。