GaN代工模型是否面臨問題？Innoscience參與臺積電2027退出

雖然臺積電計劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業(yè)務(wù)，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力，這標(biāo)志著 GaN 領(lǐng)域的重大轉(zhuǎn)變。哪些因素可能推動了這些不同的策略？根據(jù)《科創(chuàng)板日報》的報道，中國英諾賽科董事會主席羅偉偉解釋說，氮化鎵晶圓生產(chǎn)可能不太適合傳統(tǒng)的代工模式。

為什么 GaN 不適合代工模型

正如報告中所引用的，Luo 解釋說，傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)相對簡單，不會對代工服務(wù)產(chǎn)生強(qiáng)勁的需求。特別是對于 GaN 功率器件，這種模型沒有提供足夠的投資回報 （ROI），并且缺乏代工廠與其客戶之間通?？吹降拿芮泻献?。

據(jù) Luo 介紹，GaN 器件需要設(shè)計和應(yīng)用之間的深度集成。因此，垂直整合制造并直接與市場相連的 IDM 模式是目前更合適的生產(chǎn)方法。

英諾賽科是全球第一家實現(xiàn) 8 英寸硅基 GaN 晶圓量產(chǎn)的公司，也是全球唯一一家以工業(yè)規(guī)模提供全電壓光譜硅基 GaN 產(chǎn)品的公司。該公司以 IDM 模式運(yùn)營。報告稱，截至 2024 年底，其 GaN 晶圓月產(chǎn)能已達(dá)到 13,000 片，良率超過 95%。

生產(chǎn)挑戰(zhàn)：從 6 英寸到 12 英寸

正如報告中強(qiáng)調(diào)的那樣，Innoscience 首席執(zhí)行官指出，6 英寸 GaN 代工生產(chǎn)線幾乎無法滿足客戶的設(shè)計集成需求，這使得主要制造商不太可能在此類產(chǎn)能上投入大量資金。該報告補(bǔ)充說，可行的商業(yè)化需要擴(kuò)展到具有有意義輸出水平的 8 英寸晶圓。

同時，該報告援引行業(yè)消息人士的話指出，重大障礙繼續(xù)阻礙 12 英寸 GaN 晶圓的產(chǎn)業(yè)化。據(jù) Luo 稱，一個關(guān)鍵挑戰(zhàn)是，沒有 MOCVD 設(shè)備供應(yīng)商公開推出能夠支持 12 英寸 GaN 外延的解決方案。

MOCVD 是 GaN 層外延生長的核心設(shè)備。正如報告中所指出的，它在 GaN 材料生長、器件性能和大規(guī)模生產(chǎn)可行性方面起著至關(guān)重要的作用。

根據(jù) TrendForce 集邦咨詢的數(shù)據(jù)，到 2030 年，全球 GaN 功率器件市場預(yù)計將達(dá)到 43.76 億美元，復(fù)合年增長率 （CAGR） 為 49%。